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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、井上 暁喜、川出 智之、江川 孝志、三好 実人
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
高橋 明空、加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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サファイア基板上Al1-xInxN混晶における基礎吸収端以下の光吸収過程
村上 裕人、豊田 隼大、久保 寿敏、正木 京介、今井 大地、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al1-xInxN混晶のバンド端近傍における光学特性解析
豊田 隼大、村上 裕人、宮田 梨乃、今井 大地、宮嶋 孝夫、三好 実人、竹内 哲也
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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完全緩和した半極性{11-22}GaInN上へのAlInN膜の成長
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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Effect of growth temperature on the epilayer quality and the electro-optical performances of GaInN/GaN multi-quantum-well UV photodetectors International conference
Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
Event date： 2022.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan /Hybrid format
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Effect of a thin AlN layer inserted into GaN drift layers on reverse breakdown behavior for fully vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes International conference
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
Event date： 2022.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan /Hybrid format
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c面Al0.82In0.18N/GaN格子整合ヘテロ構造の発光特性
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 東北大学多元物質科学研究所研
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東北大学 片平さくらホール ＆ Zoomミーティング
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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AlInN/GaN 多層膜反射鏡における反射スペクトルの温度依存性
長澤 剛、 上島 祐介、 稲垣 徹郎、 柴田 夏奈、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下での評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system International conference
Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts International conference
Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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Epitaxial growth of AlInN films by MOCVD: Microstructure variation and polarization-induced hole conduction Invited International conference
Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takashi Egawa
Lester Eastman Conference 2021 (LEC 2021)
Event date： 2021.08
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：University of Notre Dame, IN, US /Online Presentation in Hybrid Format
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シリコン基板上GaNヘテロエピタキシャル成長技術とそのデバイス応用 Invited
三好 実人、江川 孝志
第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会
Event date： 2021.06
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：オンライン開催
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Simulation study on a novel GaN-based npn HBT with a quaternary AlGaInN emitter layer and a two-dimensionally conductive base layer International conference
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021)
Event date： 2021.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Stockholm, Sweden /Online
