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MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures for high-power HEMTs on 100-mm-diameter sapphire substrates International conference
M. Miyoshi, S. Arulkumaran, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda
The 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XII)
Event date： 2004.05 - 2004.06
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Westin Maui, Lahaina, HI, US
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100mm径サファイア上への高Al組成AlGaN/GaN HEMTの作製とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、勝川 裕幸、小田 修
第51回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2004.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm 径サファイア基板上に成長した高Al 組成AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
電子情報通信学会 MW/ED研究会
Event date： 2004.01
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：機械振興会館
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MOVPE 法による100mm 径サファイア基板上への高Al 組成AlxGa1-xN/GaN HEMT 構造の成長とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田修、勝川裕幸
電子情報通信学会 ED/LQE/CPM研究会
Event date： 2003.10
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm 径サファイア上AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価
三好 実人、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志
第64回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2003.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100-mm-diameter AlGaN/GaN epitaxial wafers for HEMTs grown on sapphire substrates International conference
M. Miyoshi, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo
The 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2003)
Event date： 2003.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Seoul, Korea
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Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo
The 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5)
Event date： 2003.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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MOVPE による100mm 径サファイア上AlGaN/GaN ヘテロ構造の成長
三好 実人、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志
第50回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2003.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth of 100 mm diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda
The 5th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2003)
Event date： 2003.01
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bankoku Shinryokan Resort MICE, Okinawa, Japan
