Presentations -
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 Invited
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都市大学 世田谷キャンパス Country：Japan
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多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
今泉 輝、間瀬 晃、 江川 孝志、 三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET
鈴木 仁、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討
石田 颯汰朗、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems International conference
Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region International conference
Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate International conference
Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
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GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
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光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討
鈴木 淳一、高橋 龍成、金子 優翔、青山 怜央、古賀 誠啓、渋井 駿昌、野口 尊央、林 駿希、藤澤 孝博、伊井 詩織、渡邊 琉加、深町 俊彦、難波江 宏一、三好 実人、竹内 哲也、上山 智、内田 史朗
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
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GaN の光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察
夏目 果代子、野田 幸樹、西畑 陽貴、今井 大地、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
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Simulation study on GaN-based npn HBTs with MQW structured p-base region International conference
Ryosei Inoue, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
Event date： 2024.08
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai Sunplaza Hotel, Sendai, Japan
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Near-UV photoelectric transducers for OWPT systems based on GaInN multiple quantum-well structures Invited International conference
Makoto Miyoshi
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024.04
Event date： 2024.04
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN Country：Japan
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Wavelength dependence of temperature characteristics of InGaN photodetectors for optical wireless power supply International conference
Junichi Suzuki, Shunki Hayashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Ryusei Takahashi, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024.04
Event date： 2024.04
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN Country：Japan
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厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.04
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン Country：Japan
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四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価 Invited
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、井上 諒星、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：広島大学 Country：Japan
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Fabrication of high AlN-mole-fraction Al0.7Ga0.3N channel HFETs using a single-crystal AlN substrate International conference
Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024) 2024.03
Event date： 2024.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan Country：Japan
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InGaN photovoltaic cells for applications in laser power beaming International conference
Masahiro Koga, Shunsuke Shibui, Ryusei Takahashi, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
SPIE Photonics West 2024 2024.01
Event date： 2024.01 - 2024.02
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Moscone Center, San Francisco, CA, US Country：United States
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GaN、AlGaN系半導体デバイスの進展 ～ワイドバンドギャップから超ワイドバンドギャップへ～ Invited
次世代パワー半導体（ＧａＮ・酸化ガリウム・ダイヤモンド半導体）の基礎と最新技術およびデバイス開発への応用 2023.12
Event date： 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech
Venue：オンライン Country：Japan
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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Improved performance of GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells on free-standing GaN substrates with a TMAH treatment International conference
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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In composition dependence of the sub-bandgap optical absorption processes in Al1-xInxN thin films grown on a c-plane GaN/Sapphire template International conference
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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InGaN MQW photonic power converter under 394 nm laser irradiation International conference
Ryusei Takahashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system International conference
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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Device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs with a thin 150-nm-thick UID-GaN channel fabricated on single-crystal AlN substrate International conference
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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Fabrication and device characteristics of GaN-based npn-type HBTs using a Quaternary AlGaInN Emitter and a GaInN Base International conference
Masaya Takimoto, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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InGaN光電変換素子を用いた光無線給電の検討
古賀 誠啓、渋井 駿昌、高橋 龍成、鈴木 淳一、青山 怜央、野口 尊央、林 駿希、藤澤 孝博、伊井 詩織、渡邊 琉加、深町 俊彦、難波江 宏一、三好 実人、竹内 哲也、上山 智、内田 史朗
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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単結晶AlN基板上高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製（II）
米谷 宜展、川出 智之、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 ED研究会 2023.05
Event date： 2023.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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GaInN photoelectric transducers for optical wireless power transmission system Invited International conference
Makoto Miyoshi
9th Annual World Congress of Advanced Materials 2023 (WCAM 2023) 2023.05
Event date： 2023.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Shinagawa Prince Hotel, Tokyo, JAPAN
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 (II)
川出 智之、田中 さくら、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価
野田 幸樹、村上 裕人、豊田 隼大、 柴田 夏奈、野村 麻友、市川 颯人、今井 大地、宮嶋 孝夫、三好 実人、竹内 哲也
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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GaInN系受光素子の自立GaN基板上への成長
藤澤 孝博、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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単結晶AlN基板上への高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製
川出 智之、田中 さくら、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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Recent Progress in UWBG AlN-based Power Transistors Invited
2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Symposium, workshop panel (nominated)
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Device characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs on single-srystal AlN substrate International conference
T. Kawaide, S. Tanaka, A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023.03
Event date： 2023.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Gifu University, Japan Country：Japan
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Transfer-free graphene synthesis on sapphire substrates utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern with fine structure International conference
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023.03
Event date： 2023.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Gifu University Country：Japan
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Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy International conference
K. Noda, Y. Murakami, H. Toyoda, K. Kubo, K. Masaki, D. Imai, M. Miyoshi, T. Takeuchi and T. Miyajima
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023.03
Event date： 2023.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Gifu University, Japan Country：Japan
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名古屋工業大学における次世代半導体デバイスへの取り組み Invited
三好 実人
第14回 Nagoyaオープンイノベーション研究会 2023.02 名古屋産業振興公社
Event date： 2023.02
Language：Japanese Presentation type：Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech
Venue：名古屋工業大学
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温における非輻射再結合寿命
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、 石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英
2022年応用物理学会東北支部 第77回学術講演会 2022.12 応用物理学会東北支部
Event date： 2022.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学 片平キャンパス 片平さくらホール＆オンライン Country：Japan
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2022.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2022.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2022.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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Semipolar {11-22} AlInN epitaxial layers grown on a fully relaxed semipolar GaInN/GaN/m-plane sapphire template by MOCVD International conference
Takahiro Fujisawa, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)
Event date： 2022.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany Country：Germany
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AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate International conference
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)
Event date： 2022.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany
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半極性{11-22}AlInN/GaInNの成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
第83回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2022.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上 転写フリーグラフェン膜の作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2022.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英
第83回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2022.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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Fabrication and device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN Substrate International conference
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)
Event date： 2022.08 - 2022.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hiroshima Garden Place Hotel, Hiroshima, Japan
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Carrier dynamics simulation and device design of GaN-based npn HBTs with quaternary AlGaInN emitter and GaInN base International conference
Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)
Event date： 2022.08 - 2022.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hiroshima Garden Place Hotel, Hiroshima, Japan
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Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-HBTs with different-hole-concentration p-base layers International conference
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022)
Event date： 2022.06
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：The University of Michigan, Ann Arbor, MI, US /Hybrid format
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Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures International conference
L. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu
The 5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2022)
Event date： 2022.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Maison Glad Jeju Hotel, jeju, Korea /Hybrid format
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、井上 暁喜、川出 智之、江川 孝志、三好 実人
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
高橋 明空、加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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サファイア基板上Al1-xInxN混晶における基礎吸収端以下の光吸収過程
村上 裕人、豊田 隼大、久保 寿敏、正木 京介、今井 大地、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al1-xInxN混晶のバンド端近傍における光学特性解析
豊田 隼大、村上 裕人、宮田 梨乃、今井 大地、宮嶋 孝夫、三好 実人、竹内 哲也
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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完全緩和した半極性{11-22}GaInN上へのAlInN膜の成長
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
第69回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2022.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン
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Effect of growth temperature on the epilayer quality and the electro-optical performances of GaInN/GaN multi-quantum-well UV photodetectors International conference
Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
Event date： 2022.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan /Hybrid format
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Effect of a thin AlN layer inserted into GaN drift layers on reverse breakdown behavior for fully vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes International conference
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
Event date： 2022.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan /Hybrid format
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c面Al0.82In0.18N/GaN格子整合ヘテロ構造の発光特性
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 東北大学多元物質科学研究所研
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東北大学 片平さくらホール ＆ Zoomミーティング
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2021.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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AlInN/GaN 多層膜反射鏡における反射スペクトルの温度依存性
長澤 剛、 上島 祐介、 稲垣 徹郎、 柴田 夏奈、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下での評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system International conference
Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts International conference
Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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Epitaxial growth of AlInN films by MOCVD: Microstructure variation and polarization-induced hole conduction Invited International conference
Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takashi Egawa
Lester Eastman Conference 2021 (LEC 2021)
Event date： 2021.08
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：University of Notre Dame, IN, US /Online Presentation in Hybrid Format
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シリコン基板上GaNヘテロエピタキシャル成長技術とそのデバイス応用 Invited
三好 実人、江川 孝志
第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会
Event date： 2021.06
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：オンライン開催
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Simulation study on a novel GaN-based npn HBT with a quaternary AlGaInN emitter layer and a two-dimensionally conductive base layer International conference
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021)
Event date： 2021.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Stockholm, Sweden /Online
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GaN-based solar cells and their application to optical wireless power transmission system Invited International conference
Makoto Miyoshi
The 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2021) 2021.04
Event date： 2021.04
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Online Country：Japan
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁善、三好 実人、佐藤 威友
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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四元混晶AlGaInNエミッタと量子井戸を組込んだベースを特徴とするGaN npn HBTのシミュレーション解析
二階 祐宇、飯田 悠介、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン開催
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分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における 誘電関数モデルの検討
豊田 隼大、村上 裕人、宮田 梨乃、今井 大地、宮嶋 孝夫、 三好 実人、竹内 哲也
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
高橋 明空、芝 南々子、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価
李 リヤン、 嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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エピタキシャルAlInN膜における分極誘起正孔伝導に関する研究
中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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四元混晶AlGaInNバリア層を備えるAl0.4Ga0.6Nチャネル2DEGヘテロ構造の作製と特性評価
田中 さくら、井上 暁喜、山本 皓介、江川 孝志、三好 実人
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた AlGaNチャネルHFETの作製と特性評価
井上 暁喜、 原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人
第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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Study on polarization-induced hole doping in MOCVD-grown epitaxial AlInN films near alloy compositions lattice-matching to GaN on sapphire International conference
T. Nakabayashi, H. Takada, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)
Event date： 2021.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate International conference
H. Toyoda, Y. Murakami, R. Miyata, D. Imai, M. Miyoshi, T. Takeuchi, T. Miyajima
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)
Event date： 2021.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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Improved on-state performance of high-breakdown-voltage AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively grown n+-GaN contact layer International conference
A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)
Event date： 2021.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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Macroscopically homogeneous cathodoluminescence mapping images of c-plane nearly lattice-matched Al1-xInxN films on a GaN substrate International conference
L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
Event date： 2021.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Online
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エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2020.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2020.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2020.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、 江川 孝志、 竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第81回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2020.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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c面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
Event date： 2020.07
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン開催
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AlInNエピタキシャル膜へのSiドーピングとその縦方向導電性評価
三好 実人、中林 泰希、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也
2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：上智大学 四谷キャンパス
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コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
三好 実人、Chen Heng、斉藤 早紀、井上 暁喜、江川 孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス
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転写フリーグラフェンFETの電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、高橋 明空、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：上智大学 四谷キャンパス
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs International conference
M.Kobayashi, B. Dorjdagva, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)
Event date： 2020.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan
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AlGaNチャネルパワーHFETの進展（２）
三好 実人
第6回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
Event date： 2020.02
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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GaN系半導体の太陽電池応用 ～現状と課題～
三好 実人
第5回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
Event date： 2019.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2019.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：静岡大学 浜松キャンパス
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c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2019.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：静岡大学 浜松キャンパス
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AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)
小松 祐斗、渡久地 政周、斉藤 早紀、三好 実人、佐藤 威友
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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格子緩和したGaInN テンプレート 上へのAlInN エピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学
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GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価（２）
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学
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AlGaInN/AlGaN 2DEGヘテロ構造における電極金属によるコンタクト抵抗低減の検討
Chen Heng、斉藤 早紀、原田 紘希、江川 孝志、三好 実人
第80回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer International conference
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
Event date： 2019.08
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hotel Grand Terrace Toyama, Japan
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Characterization of potential fluctuations and optical constants in Al1-xInxN alloys grown on c-plane GaN substrate International conference
Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
Event date： 2019.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hyatt Regency Bellevue, WA, US
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MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films International conference
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
Event date： 2019.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MIS HFET International conference
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
Event date： 2019.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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Growth and characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films with alloy compositions around lattice-matched to GaN International conference
Hiroki Harada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
Event date： 2019.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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高効率パワーエレクトロニクス機器に向けたWBG半導体デバイス技術 ～GaNおよびAlGaNを中心として～ Invited
三好 実人
軽金属学会東海支部 平成31年度第1回講演会 『次世代の半導体』 軽金属学会東海支部
Event date： 2019.04
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：名古屋工業大学
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Effects of forming gas annealing conditions on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs International conference
Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Study on influence of barrier layer thickness on carrier transport efficiency in MOCVD-grown InGaN MQW solar cells International conference
Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Fabrication of transfer-free graphene FETs with ALD-Al2O3 layers as the gate insulator International conference
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Photo response measurement for transfer-free multilayer graphene films prepared utilizing catalyst metal agglomeration technique International conference
B. Dorjdagva, M. Kobayashi, T, Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Study on MIS interface states of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN heterostructures International conference
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya Institute of Technology, Japan
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ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価
斉藤 早紀、細見 大樹、古岡 啓太、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動
石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析
今井 大地、山路 知明、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系ナノワイヤの局所構造評価 Invited
宮嶋 孝夫、清木 良麻、近藤 剣、市川 貴登、伊奈 稔哲、新田 清文、宇留賀 朋哉、鶴田 一樹、隅谷 和嗣、今井 康彦、木村 滋、安田 伸広、三好 実人、今井 大地、竹内 哲也、上山 智
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング
小松 祐斗、植村 圭佑、細見 大樹、三好 実人、佐藤 威友
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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AlInNエピタキシャル膜のSiドーピングによる導電性制御
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価
原田 紘希, 三好 実人, 江川 孝志、竹内 哲也
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Epitaxial growth of high-quality AlInN thick films and its device applications Invited International conference
Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
SPIE Photonics West 2019
Event date： 2019.02
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Moscone Center, San Francisco, CA, US Country：United States
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高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ Invited
三好 実人
学術討論会『将来のクルマを支える材料技術』 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部
Event date： 2019.01
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：名古屋大学
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Effects of forming gas anneal on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs International conference
T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, T. Egawa
49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2018)
Event date： 2018.12
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA, US
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡 啓太、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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MOCVD growth of 300-nm-thick epitaxial AlInN films on GaN/sapphire templates and free-standing GaN substrates International conference
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers International conference
Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs International conference
Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer International conference
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Study on barrier thickness dependency of carrier transport property in InGaN/GaN MQW solar cells International conference
Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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四元混晶AlGaInNバリア層を有するAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：京都テルサ
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AlGaNチャネルHFETの進展
三好 実人、細見 大樹
第2回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
Event date： 2018.10
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価
ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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In0.2Ga0.8N / GaN MQW 太陽電池における取り出し効率のバリア厚依存性
原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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c面GaN上にエピタキシャル成長した厚膜AlInN層における混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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c面GaN上への高品質AlInN厚膜のMOCVD成長
三好 実人、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也
第1回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
Event date： 2018.07
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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InGaN MQW 太陽電池における光吸収端波長の拡大に関する研究
原田 紘希，森 拓磨, Dorjdagva Bilguun, 加藤 慎也, 三好 実人, 江川 孝志
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 日本学術振興会 第175委員会
Event date： 2018.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ホテルさっぽろ芸文館
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GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡
平岩 恵、村永 亘、赤木 孝信、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、三好 実人、赤崎 勇
第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
Event date： 2018.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋大学 東山キャンパスES総合館ESホール
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AlInN/AlGaN多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード
荒川 渓、三好 晃平、竹内 哲也、三好 実人、上山 智、岩谷 素顕、赤崎 勇
第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
Event date： 2018.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋大学 東山キャンパスES総合館ESホール
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High-quality AlInN films grown by MOCVD with film thicknesses up to 500 nm International conference
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
Event date： 2018.06
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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A novel AlGaN-channel 2DEG heterostructure employing a quaternary InAlGaN barrier layer and its thermal stability of 2DEG properties International conference
Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
Event date： 2018.06
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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InGaN/GaN MQW solar cells grown by MOCVD with spectral response extending out to 540 nm International conference
Hiroki Harada, Takuma Mori, Bilguun Dorjdagva, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
Event date： 2018.06
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価
細見 大樹、陳 桁、江川 孝志、三好 実人
第65回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2018.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第65回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2018.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第65回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2018.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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InGaN MQW太陽電池における光応答波長の広域化に関する研究
原田 紘希、森 拓磨、Dorjdagva Bilguun、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
第65回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2018.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2017.11 - 2017.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨、 太田 美希、 原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2017.11 - 2017.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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Device design for avalanche operation of solar-blind AlGaN-based PiN type UV photodiodes International conference
Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
Event date： 2017.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Kyushu University, Japan
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Performance improvements of AlGaN deep ultraviolet light emitter via a 20-nm-thick n-AlGaN underlying layer International conference
Lei Li, Yuta Miyachi, Tatsuya Tsutsumi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
Event date： 2017.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Kyushu University, Japan
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ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上
細見 大樹、宮地 祐太、江川 孝志、三好 実人
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
Event date： 2017.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface International conference
Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai International Center, Japan
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格子整合系InAlN/AlGaNヘテロ構造を用いた電界効果UVフォトトランジスタ
細見 大樹、岡田 真由子、李 磊、江川 孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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MOCVD法によるp-down構造InGaN/GaN MQW太陽電池の作製
森 拓磨、原田 紘希、三好 実人、江川 孝志
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価～ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係～
細見 大樹、江川 孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定
中島 陸、森 拓磨、細見 大樹、江川孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN 2DEG heterostructures and filed-effect transistors for high power applications International conference
Makoto Miyoshi, Daiki Hosomi, Mayuko Okada, Riku Nakashima, Joseph J. Freedsman, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films International conference
Lei Li, Daiki Hosomi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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Influence of underlying substrates on material and device properties of MOCVD-grown InGaN/GaN MQW solar cells International conference
Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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MOCVD法によって成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における成長基板の影響
太田 美希、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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Niパターン凝集を用いて作成したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作成
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上
細見 大樹, 宮地 祐太, 三好 実人, 江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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Self-forming Graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique International conference
Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2017)
Event date： 2017.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Chubu University, Japan
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MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2016.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：京都大学 桂キャンパス
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Si基板上に歪層超格子を介して成長したGaN結晶内における転位反応
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
2016 真空・表面科学合同講演会 日本表面科学会
Event date： 2016.11 - 2016.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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Si(111)基板上に歪層超格子を介して成長したGaN薄膜内の転位構造
菅原 義弘、石川 由加里、三好 実人、江川 孝志
先進パワー半導体分科会 第3回講演会
Event date： 2016.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：つくば国際会議場
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AlInN/AlGaN/Si metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect-transistor with normally-off operation and high breakdown voltage International conference
Joseph J. Freedsman, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
The 2016 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
Event date： 2016.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Warsaw University of Technology, Poland
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MOCVD法によるInAlN多重量子井戸構造の成長
宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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MOCVD法によるInGaN/GaN MQW構造上への凹凸表面p-GaN層の形成
森 拓磨、堤 達哉、加畑 智基、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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フェムト秒レーザー照射によるMgドープp-GaN層の局所活性化
中島 陸、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志、谷川 達也
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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AlGaN系PiN型UVフォトダイオードのアバランシェ動作
岡田 真由子、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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Emission efficiency improvement of deep ultraviolet light-emitting AlGaN multiple quantum wells grown on n-AlGaN underlying layers International conference
L. Li, Y. Miyachi, M. Miyoshi, T. Egawa
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
Event date： 2016.08
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya Congress Center, Japan
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Analysis of complex dislocation in GaN layer grown on 4 inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattice after epitaxial growth International conference
Y. Sugawara, Y. Ishikawa, A. Watanabe, M. Miyoshi, T. Egawa
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
Event date： 2016.08
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya Congress Center, Japan
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Selective GaN growth on 6H-SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures
Reina Miyagawa, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu
第35回電子材料シンポジウム
Event date： 2016.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ琵琶湖
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SiC基板上直接GaN成長における基板のレーザー処理の影響
宮川 鈴衣奈、 宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 日本結晶成長学会
Event date： 2016.05
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都大学桂キャンパス ローム記念館
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GaN growth on SiC substrate with femtosecond–laser–induced periodic nanostructure International conference
Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu
2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
Event date： 2016.03 - 2016.04
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Phoenix Convention Center, AZ, USA
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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MOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量子効率のwell厚依存性
堤 達哉、加畑 智基、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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表面リセス型電極構造を用いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価
岡田 真由子、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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表面保護膜形成によるInGaN/GaN多重量子井戸構造太陽電池の高性能化に関する研究
加畑 智基、堤 達哉、森 拓磨、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2016.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Si(111)基板上に AlGaN/AlN 歪層超格子を介して形成した GaN 層の転位解析
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
2015年真空・表面科学合同講演会
Event date： 2015.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：つくば国際会議場
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表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑 智基、堤 達哉、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2015.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大阪市立大学
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フェムト秒レーザー誘起ナノ周期構造SiC基板上へのGaN成長
宮川 鈴衣奈、岡部 悠、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修
先進パワー半導体分科会 第2回講演会
Event date： 2015.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：大阪国際交流センター
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InAlN/AlGaN HFETのDC特性評価
堤 達哉、西野 剛介、ジョセフ フリーズマン、三好 実人、江川 孝志
先進パワー半導体分科会 第2回講演会
Event date： 2015.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：大阪国際交流センター
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Characterization of dislocations in GaN layer deposited on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattice International conference
Y. Sugawara, Y. Ishikawa, A. Watanabe, M. Miyoshi, T. Egawa
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
Event date： 2015.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Act City Hamamatsu, Japan
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Analysis of post-deposition annealing effects on insulator/semiconductor interface of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates International conference
T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
Event date： 2015.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Sapporo Convention Center, Japan
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DC characteristics in nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure feld-effect transistors International conference
T. Tsutsumi , G. Nishino, J. J. Freedsman, M. Miyoshi, T. Egawa
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
Event date： 2015.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Sapporo Convention Center, Japan
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Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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透明酸化物被覆によるGaN系LEDの発光強度向上に関する研究
加畑 智基、岡田 真由子、堤 達哉、三好 実人、江川 孝志、大園 修司、本田 和宏、座間 秀昭
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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AlGaN/AlN歪層超格子を積層した4-inch Si(111)基板上に成長したGaN層中の転位観察
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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InAlN/AlGaN HFETのパワーデバイスとしての性能予測
堤 達哉、西野 剛介、ジョセフ フリーズマン、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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AlGaNチャネル２DEGヘテロ構造の電子移動度解析
三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-Al2O3/AlGaN界面の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2015.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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Effect of n-AlGaN underlayer on the optical properties of AlxGa1-xN/ AlyGa1-yN multiple quantum wells International conference
L. Li, Y. Miyachi, T.Tsutsumi, M. Miyoshi, T. Egawa
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
Event date： 2015.08 - 2015.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Beijing International Convention Center, China
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Graphene Transistors Fabricated by Transfer-free Process via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Film International conference
M. Mizuno, T. Egawa, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Soga
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015)
Event date： 2015.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan
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Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes via a 20-nm-thick n-AlGaN interlayer International conference
L. Li, T. Tsutsumi, Y. Miyachi, Y. Akatsuka, M. Miyoshi, T. Egawa
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015)
Event date： 2015.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan
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Ni凝集を利用した転写フリープロセスによるグラフェントランジスタ
水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川孝志、曽我 哲夫
第62回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2015.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東海大学 湘南キャンパス
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格子整合系InAlN/ AlGaN HEMT デバイスの試作と評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第62回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2015.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東海大学 湘南キャンパス
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AlGaN上にALD成膜したHfO2を用いたMIS-HEMTの電気的特性
西野 剛介、吉田 雄祐、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第62回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2015.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東海大学 湘南キャンパス
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 電子情報通信学会
Event date： 2014.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大阪大学 吹田キャンパス
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111) 基板上グラフェン層の形成Ⅳ
水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曽我 哲夫
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEG ヘテロ構造のMOCVD 成長と評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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成膜後アニールによるALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT の閾値シフト低減
吉田 雄祐、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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Pd/ZnO/GaN ヘテロ接合ダイオードのNOx ガス検知特性の評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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ZnO 透明電極を用いたGaN 系LED の特性改善
赤塚 雄太、江川 孝志、三好 実人
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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Co 触媒を用いた絶縁基板上グラフェン形成
水野 正也、伴野 和也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第61回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学相模原キャンパス
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111) 基板上グラフェン層の形成Ⅲ
伴野 和也、水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曽我 哲夫
第61回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学相模原キャンパス
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Graphene Synthesis on SiO2/Si(111) Via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Films International conference
K. Banno, M. Mizuno, M. Miyoshi, T. Kubo, T. Egawa, T. Soga
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2014)
Event date： 2014.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Meijo University, Japan
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Formation of Graphene Layer on SiO2/Si(111) with Co Catalyst International conference
M. Mizuno, K. Banno, T. Egawa, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Soga
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2014)
Event date： 2014.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Meijo University, Japan
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Co触媒の凝集を伴うグラフェン形成の観察
水野 正也、伴野 和也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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パルスアークプラズマによるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅱ
伴野 和也、水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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InAlGaNを活性層に用いた深紫外LEDに関する研究
加藤 正隆、三好 実人、江川 孝志
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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Estimation of bound interface density of AlInN/GaN hetero-structures International conference
O. Oda, A. Wakejima, M. Miyoshi, T. Egawa
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)
Event date： 2013.01 - 2013.02
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya University, Japan
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InAlN/GaN HEMT structures on 4-in silicon grown by MOCVD International conference
M. Miyoshi, S. Sumiya, M. Ichimura, T. Sugiyama, S. Maehara, M. Tanaka and T. Egawa
The 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2010)
Event date： 2010.06 - 2010.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Tokyo Institute of Technology, Japan
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MOCVD法により作製した格子整合系InAlN/GaN HEMTのデバイス特性評価
三好 実人、J. Selvaraj、倉岡 義孝、田中 光浩、江川 孝志
第69回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2008.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Electrical characteristics in MOCVD-grown lattice-matched InAlN/GaN HEMTs
M. Miyoshi, Y. Kuraoka, J. Selvaraj, M. Tanaka, T. Egawa
第27回電子材料シンポジウム
Event date： 2008.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ修善寺
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MOCVD 法による格子整合系InAlN/GaN HEMT エピウェハーの作製とその特性評価
三好 実人、倉岡 義孝、田中 光浩、江川 孝志
第55回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2008.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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AlN テンプレート上へのGaN 系ショットキーダイオードの作製ならびに水素ガスセンサーへの応用
三好 実人、倉岡 義孝、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、江川 孝志
日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム
Event date： 2007.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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高電子移動度AlGaN/AlN/GaN 構造を用いた横型ショットキーバリアダイオードの作製
三好 実人、倉岡 義孝、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、江川 孝志
第54回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2007.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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AlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
第52回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2005.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
電子情報通信学会 MW/ED研究会
Event date： 2005.01
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates International conference
M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda
The 50th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2004)
Event date： 2004.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton San Francisco Union Square Hotel, CA US
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High performance AlGaN/AlN/GaN HEMTs grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda
The 26th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (CSICS 2004, Formerly GaAs IC Symposium)
Event date： 2004.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Monterey Marriott, CA, US
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MOVPE法による100mm径AlN/サファイアテンプレート上への高電子移動度AlGaN/AlN/GaN ヘテロ構造の作製
三好 実人、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、毛利 光宏、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
第65回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2004.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures for high-power HEMTs on 100-mm-diameter sapphire substrates International conference
M. Miyoshi, S. Arulkumaran, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda
The 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XII)
Event date： 2004.05 - 2004.06
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Westin Maui, Lahaina, HI, US
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100mm径サファイア上への高Al組成AlGaN/GaN HEMTの作製とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、勝川 裕幸、小田 修
第51回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2004.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm 径サファイア基板上に成長した高Al 組成AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
電子情報通信学会 MW/ED研究会
Event date： 2004.01
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：機械振興会館
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MOVPE 法による100mm 径サファイア基板上への高Al 組成AlxGa1-xN/GaN HEMT 構造の成長とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田修、勝川裕幸
電子情報通信学会 ED/LQE/CPM研究会
Event date： 2003.10
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm 径サファイア上AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価
三好 実人、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志
第64回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2003.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100-mm-diameter AlGaN/GaN epitaxial wafers for HEMTs grown on sapphire substrates International conference
M. Miyoshi, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo
The 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2003)
Event date： 2003.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Seoul, Korea
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Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo
The 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5)
Event date： 2003.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nara Kasugano International Forum, Japan
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MOVPE による100mm 径サファイア上AlGaN/GaN ヘテロ構造の成長
三好 実人、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志
第50回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2003.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth of 100 mm diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda
The 5th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2003)
Event date： 2003.01
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Bankoku Shinryokan Resort MICE, Okinawa, Japan
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