Presentations -
-
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 Invited
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都市大学 世田谷キャンパス Country：Japan
-
多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
今泉 輝、間瀬 晃、 江川 孝志、 三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
-
単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET
鈴木 仁、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
-
光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討
石田 颯汰朗、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
-
Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems International conference
Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
-
Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region International conference
Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
-
N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate International conference
Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
-
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
-
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
-
GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
-
光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討
鈴木 淳一、高橋 龍成、金子 優翔、青山 怜央、古賀 誠啓、渋井 駿昌、野口 尊央、林 駿希、藤澤 孝博、伊井 詩織、渡邊 琉加、深町 俊彦、難波江 宏一、三好 実人、竹内 哲也、上山 智、内田 史朗
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
-
GaN の光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察
夏目 果代子、野田 幸樹、西畑 陽貴、今井 大地、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
-
Simulation study on GaN-based npn HBTs with MQW structured p-base region International conference
Ryosei Inoue, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
Event date： 2024.08
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai Sunplaza Hotel, Sendai, Japan
-
Near-UV photoelectric transducers for OWPT systems based on GaInN multiple quantum-well structures Invited International conference
Makoto Miyoshi
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024.04
Event date： 2024.04
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN Country：Japan
-
Wavelength dependence of temperature characteristics of InGaN photodetectors for optical wireless power supply International conference
Junichi Suzuki, Shunki Hayashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Ryusei Takahashi, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024.04
Event date： 2024.04
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN Country：Japan
-
厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.04
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン Country：Japan
-
四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価 Invited
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、井上 諒星、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：広島大学 Country：Japan
-
Fabrication of high AlN-mole-fraction Al0.7Ga0.3N channel HFETs using a single-crystal AlN substrate International conference
Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024) 2024.03
Event date： 2024.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University, Japan Country：Japan
-
InGaN photovoltaic cells for applications in laser power beaming International conference
Masahiro Koga, Shunsuke Shibui, Ryusei Takahashi, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
SPIE Photonics West 2024 2024.01
Event date： 2024.01 - 2024.02
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Moscone Center, San Francisco, CA, US Country：United States
-
GaN、AlGaN系半導体デバイスの進展 ～ワイドバンドギャップから超ワイドバンドギャップへ～ Invited
次世代パワー半導体（ＧａＮ・酸化ガリウム・ダイヤモンド半導体）の基礎と最新技術およびデバイス開発への応用 2023.12
Event date： 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech
Venue：オンライン Country：Japan
PREV - 