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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：アクトシティ浜松 Country：Japan
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Improved performance of GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells on free-standing GaN substrates with a TMAH treatment International conference
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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In composition dependence of the sub-bandgap optical absorption processes in Al1-xInxN thin films grown on a c-plane GaN/Sapphire template International conference
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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InGaN MQW photonic power converter under 394 nm laser irradiation International conference
Ryusei Takahashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system International conference
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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Device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs with a thin 150-nm-thick UID-GaN channel fabricated on single-crystal AlN substrate International conference
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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Fabrication and device characteristics of GaN-based npn-type HBTs using a Quaternary AlGaInN Emitter and a GaInN Base International conference
Masaya Takimoto, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023.11
Event date： 2023.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan Country：Japan
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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InGaN光電変換素子を用いた光無線給電の検討
古賀 誠啓、渋井 駿昌、高橋 龍成、鈴木 淳一、青山 怜央、野口 尊央、林 駿希、藤澤 孝博、伊井 詩織、渡邊 琉加、深町 俊彦、難波江 宏一、三好 実人、竹内 哲也、上山 智、内田 史朗
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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単結晶AlN基板上高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製（II）
米谷 宜展、川出 智之、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.09
Event date： 2023.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：熊本城ホールほか3会場 Country：Japan
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 ED研究会 2023.05
Event date： 2023.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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GaInN photoelectric transducers for optical wireless power transmission system Invited International conference
Makoto Miyoshi
9th Annual World Congress of Advanced Materials 2023 (WCAM 2023) 2023.05
Event date： 2023.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Shinagawa Prince Hotel, Tokyo, JAPAN
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 (II)
川出 智之、田中 さくら、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価
野田 幸樹、村上 裕人、豊田 隼大、 柴田 夏奈、野村 麻友、市川 颯人、今井 大地、宮嶋 孝夫、三好 実人、竹内 哲也
第70回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
