講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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Investigation of trap states in in-situ MOCVD grown AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs grown on Sapphire substrates 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Lawrence Selvaraj, Takashi Egawa
ISPlasma2012
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
岩田康宏, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会研究会
開催年月日： 2011年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Si基板上AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT構造におけるトラップ準位の評価
久保俊晴, フリーズマン ジョセフ, セルバラージ ローレンス, 江川孝志
第72回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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Investigation of trap state densities in AlN/AlGaN/GaN/Si MISHs by frequency dependent conductance technique 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Lawrence Selvaraj, Takashi Egawa
9th International Conference on Nitride Semiconductors
開催年月日： 2011年07月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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容量およびコンダクタンス測定によるSiO2/p-GaN接合の界面評価
岩田 康宏, ジョセフ フリーズマン, 久保 俊晴, 江川 孝志
春季第58 回応用物理学関係連合講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
キャパシタンス、コンダクタンス測定によりSiO2/p-GaN界面の電子状態を調べた。
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Investigation of SiO2/p-GaN Interfaces by Capacitance and Conductance Analysis 国際会議
T. Kubo, J. Freedsman, Y. Iwata, T. Egawa
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials Aichi Science and Technology Foundation
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology
キャパシタンス、コンダクタンス測定によりSiO2/p-GaN界面の電子状態を調べた。
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Effect of a thin AlN layer inserted into GaN drift layers on reverse breakdown behavior for fully vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes 国際会議
ISPlasma2022 2022年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
国名：日本国
