講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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Impacts of oxidants for ALD process on Al2O3/GaN interface properties 国際会議
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
ISPlasma2017 The Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2017年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chubu university
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Al2O3/GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの Al2O3形成温度依存性
田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡
第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会 電子デバイス界面テクノロジー研究会
開催年月日： 2017年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東レ研修センター, 静岡
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Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 and HfO2 fabricated by atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
SISC2016 IEEE
開催年月日： 2016年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：San Diego
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Large Surface Potential Fluctuation at ALD-Al2O3/GaN MOS Interfaces 国際会議
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, and M. Shimizu
SISC2016 IEEE
開催年月日： 2016年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sandiego
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ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性における成膜温度依存性
久保俊晴, 江川孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：新潟コンベンションセンター
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GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形成 温度依存性
田岡紀之、久保俊晴、山田寿一、江川孝志、清水三聡
第77回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ、新潟
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：新潟コンベンションセンター
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-HfO2/AlGaN界面の評価
久保俊晴, 西野剛介, 江川孝志
第63回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬幸記、三好実人、久保俊晴、江川孝志
第63回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学
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放射光を用いた軟X線光電子分光による絶縁膜/AlGaN界面における化学状態評価
久保俊晴, 西野剛介, 三好実人, 江川孝志
第11回日本表面科学会放射光表面科学研究部会・SPring-8ユーザー協同体顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム 日本表面科学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大型放射光施設SPring-8
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軟X線光電子分光によるSi基板上窒化物半導体と絶縁体との界面における電子状態解析
久保俊晴, 西野剛介, 三好実人, 江川孝志
あいちシンクロトロン光センター成果発表会 あいちシンクロトロン光センター
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ミッドランドホール
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Effect of Post-deposition Annealing on Threshold Voltage and Interface States 国際会議
Toshiharu Kubo, Gosuke Nishino, Takashi Egawa
SISC2015 IEEE
開催年月日： 2015年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Washington DC
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ALD により成膜した HfO2を用いた AlGaN/GaN MIS-HEMT の界面準位とデバイス特性
西野剛介, 久保俊晴, 江川孝志
電子デバイス研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪市立大学 学術情報センター会議室
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Analysis of Post-Deposition Annealing Effects on Insulator/Semiconductor Interface of Al2O3/AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si Substrates 国際会議
Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
SSDM2015 The Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo Convention Center
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Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価
有馬幸記、三好実人、久保俊晴、江川孝志
第76回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-Al2O3/AlGaN界面の評価
久保俊晴、三好実人、江川孝志
第76回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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Ni凝集を利用した転写フリープロセスによるグラフェントランジスタ作製
水野 正也, 久保 俊晴, 三好 実人, 江川 孝志, 曽我 哲夫
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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AlGaN上にALD成膜したHfO2を用いたMIS-HEMTの電気的特性
西野 剛介, 吉田 雄祐, 久保 俊晴, 三好 実人, 江川 孝志
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Effect of post-deposition annealing on threshold voltage and interface states in ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates 国際会議
Toshiharu Kubo, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa
SISC2014
開催年月日： 2014年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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成膜後アニールによるALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値シフト低減
吉田雄祐，久保俊晴，三好実人，江川孝志
第７５回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
