講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較
三木隆太郎、久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月 JSAP
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟 国名：日本国
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AlGaN/GaN CAVETs on Si substrates with strained layer superlattice as current blocking layer and δ-doped conductive buffer layer 国際会議
Toshiharu Kubo, Ryutaro Miki, Takashi Egawa
TWHM2024 2024年08月 TWHM2024
開催年月日： 2024年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai Sunplaza Hotel 国名：日本国
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス
久保俊晴、小池貴也、神谷俊輝、江川孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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Fabrication of Transfer-Free Graphene FETs on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Thick Ni Pattern with Ultra-Fine Structure 国際会議
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
ISPlasma2024 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
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ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対する ゲートリセスエッチング後表面処理の効果
久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2023年11月 電子情報通信学会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクト浜松
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Effects of surface treatments after gate recess etching on AlGaN/GaN MIS-HFETs with an ALD-SiO2/Al2O3 double insulator 国際会議
T. Kubo, T. Egawa
2023年11月 JSAP
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka Sea Hawk 国名：日本国
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極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月 日本応用物理学会
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：熊本城ホール
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：上智大学
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Estimation of Electrical Characteristics of Gate-Recessed AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Surface Treatment 国際会議
K. Toda, T. Kubo, T. Egawa
ISPlasma 2023 2023年03月 JSAP
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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Transfer-Free Graphene Synthesis on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Ni Pattern with Fine Structure 国際会議
I. Kato, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
2023年03月 JSAP
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2022年11月 電子情報通信学会
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ウィンクあいち + オンライン 国名：日本国
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Transfer-free graphene synthesis utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern 招待あり 国際会議
Toshiharu Kubo, Ichiro Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
2022年10月
開催年月日： 2022年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Busan + Online 国名：大韓民国
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AlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるリセス構造形成後表面処理の効果
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 + オンライン 国名：日本国
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東北大学 + オンライン 国名：日本国
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性Ⅱ
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：青山学院大学＋オンライン 国名：日本国
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微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
高橋明空, 加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：青山学院大学＋オンライン 国名：日本国
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2021年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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