講演・口頭発表等 - 久保 俊晴

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  • Fabrication of Transfer-free Graphene FETs with ALD-Al2O3 Layers as the Gate Insulator 国際会議

    Motoki Kobayashi, Bilguum Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Mokoto Miyoshi and Takashi Egawa

    ISPlasma2019  JSAP

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    開催年月日: 2019年03月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan  

  • Photo Response Measurement for Transfer-free Multilayer Graphene Films Prepared Utilizing Catalyst Metal Agglomeration Technique 国際会議

    Bilguun Dorjdagva, Motoki Kobayashi, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa

    ISPlasma2019  JSAP

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    開催年月日: 2019年03月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan  

  • Study on MIS Interface States of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN Heterostructures 国際会議

    Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi

    ISPlasma2019  JSAP

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    開催年月日: 2019年03月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan  

  • Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果

    古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

    第66回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2019年03月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス  

  • ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価

    斉藤早紀, 細見大樹, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人

    第66回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2019年03月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス  

  • Effects of Forming Gas Anneal on Electrical Properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議

    T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, T. Egawa

    SISC2018  IEEE

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sandiego USA  

  • Surface and Bulk Carrier Transports in Accumulation-mode GaN MOSFETs 国際会議

    N. Taoka, N. H. Trung, H. Yamada, T. Takahashi, T. Yamada, T. Kubo, T. Egawa, M. Shimizu

    SISC2018  IEEE

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sandiego USA  

  • Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    IWN2018  JSAP

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa  

  • Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議

    Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

    IWN2018  JSAP

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa  

  • ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす水素アニールの効果

    古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2018年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場  

  • ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製

    小林幹,ドルジダウガ・ビルグーン, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2018年09月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋国際会議場  

  • MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価

    細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2018年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場  

  • ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果

    久保俊晴,三好実人, 江川孝志

    第65回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2018年03月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:早稲田大学西早稲田キャンパス  

  • ESR studies of layer thickness and post-deposition annealing effects on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT structures 国際会議

    T. Kubo, T. Egawa

    SISC 2017  IEEE

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Diego, USA  

  • Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議

    N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu

    SISC 2017  IEEE

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:San Diego, USA  

  • ALD-Al2O3/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係

    田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァン チュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮﨑誠一, 本山愼一, 清水三聡

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2017年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場  

  • 電子スピン共鳴によるAlGaN上Al2O3の化学状態評価

    久保俊晴, 江川孝志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2017年09月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作製

    有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

    第64回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2017年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜  

  • SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値電圧に与えるAl2O3膜厚の効果

    久保俊晴, 座間秀昭, 小林忠正, 江川孝志

    第64回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2017年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜  

  • GaN MOSキャパシタのC-V特性における周波数分散の理解

    田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡

    第64回応用物理学会春季学術講演会  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2017年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜, 神奈川  

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