講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較
三木隆太郎、久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月 JSAP
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟 国名：日本国
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AlGaN/GaN CAVETs on Si substrates with strained layer superlattice as current blocking layer and δ-doped conductive buffer layer 国際会議
Toshiharu Kubo, Ryutaro Miki, Takashi Egawa
TWHM2024 2024年08月 TWHM2024
開催年月日： 2024年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai Sunplaza Hotel 国名：日本国
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス
久保俊晴、小池貴也、神谷俊輝、江川孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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Fabrication of Transfer-Free Graphene FETs on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Thick Ni Pattern with Ultra-Fine Structure 国際会議
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
ISPlasma2024 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
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ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対する ゲートリセスエッチング後表面処理の効果
久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2023年11月 電子情報通信学会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクト浜松
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Effects of surface treatments after gate recess etching on AlGaN/GaN MIS-HFETs with an ALD-SiO2/Al2O3 double insulator 国際会議
T. Kubo, T. Egawa
2023年11月 JSAP
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka Sea Hawk 国名：日本国
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極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月 日本応用物理学会
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：熊本城ホール
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：上智大学
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Estimation of Electrical Characteristics of Gate-Recessed AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Surface Treatment 国際会議
K. Toda, T. Kubo, T. Egawa
ISPlasma 2023 2023年03月 JSAP
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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Transfer-Free Graphene Synthesis on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Ni Pattern with Fine Structure 国際会議
I. Kato, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
2023年03月 JSAP
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2022年11月 電子情報通信学会
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ウィンクあいち + オンライン 国名：日本国
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Transfer-free graphene synthesis utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern 招待あり 国際会議
Toshiharu Kubo, Ichiro Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
2022年10月
開催年月日： 2022年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Busan + Online 国名：大韓民国
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AlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるリセス構造形成後表面処理の効果
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 + オンライン 国名：日本国
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東北大学 + オンライン 国名：日本国
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性Ⅱ
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：青山学院大学＋オンライン 国名：日本国
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微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
高橋明空, 加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月 日本応用物理学会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：青山学院大学＋オンライン 国名：日本国
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2021年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第82回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ
久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD 国際会議
Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
ISPlasma2021 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)
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転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs 国際会議
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
ISPlasma2020 JSAP
開催年月日： 2020年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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Estimation of electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double-layer insulators fabricated by atomic layer deposition 国際会議
Shunichi Yokoi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
ISPlasma2020 JSAP
開催年月日： 2020年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅱ
吉田信輝, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Al2O3/AlInGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価
藤田紘空, ビスワスディバリン, 鳥居直生, 吉田貴広, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Estimation of post-deposition annealing effects on electrical properties of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
S. Yokoi, T. Kubo, T. Egawa
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya university, Aichi, Japan
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Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議
S. Saito, D. Hosomi, K. Furuoka, H. Chen, T. Kubo, T. Egawa, and M. Miyoshi
TWHM2019 JSAP
開催年月日： 2019年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Grand Terrace Toyama, Toyama, Japan
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Effects of forming gas annealing depending on gate electrode materials in ALD-Al2O3/AlGaN MIS-HEMT 国際会議
Nobuki Yoshida, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
TWHM2019 JSAP
開催年月日： 2019年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Grand Terrace Toyama, Toyama, Japan
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Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MISHFET 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
CSW2019 JSAP
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kasugano International Forum, Nara, Japan
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Effect of Forming Gas Annealing Conditions on Electrical Properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GAN MIS-HEMTs 国際会議
Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
ISPlasma2019 JSAP
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan
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Fabrication of Transfer-free Graphene FETs with ALD-Al2O3 Layers as the Gate Insulator 国際会議
Motoki Kobayashi, Bilguum Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Mokoto Miyoshi and Takashi Egawa
ISPlasma2019 JSAP
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan
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Photo Response Measurement for Transfer-free Multilayer Graphene Films Prepared Utilizing Catalyst Metal Agglomeration Technique 国際会議
Bilguun Dorjdagva, Motoki Kobayashi, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
ISPlasma2019 JSAP
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan
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Study on MIS Interface States of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN Heterostructures 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi
ISPlasma2019 JSAP
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果
古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第66回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価
斉藤早紀, 細見大樹, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人
第66回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Effects of Forming Gas Anneal on Electrical Properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, T. Egawa
SISC2018 IEEE
開催年月日： 2018年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sandiego USA
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Surface and Bulk Carrier Transports in Accumulation-mode GaN MOSFETs 国際会議
N. Taoka, N. H. Trung, H. Yamada, T. Takahashi, T. Yamada, T. Kubo, T. Egawa, M. Shimizu
SISC2018 IEEE
開催年月日： 2018年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sandiego USA
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Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
IWN2018 JSAP
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa
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Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
IWN2018 JSAP
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす水素アニールの効果
古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製
小林幹,ドルジダウガ・ビルグーン, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価
細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人
第79回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果
久保俊晴,三好実人, 江川孝志
第65回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス
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ESR studies of layer thickness and post-deposition annealing effects on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT structures 国際会議
T. Kubo, T. Egawa
SISC 2017 IEEE
開催年月日： 2017年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：San Diego, USA
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Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures 国際会議
N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu
SISC 2017 IEEE
開催年月日： 2017年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：San Diego, USA
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ALD-Al2O3/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係
田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァン チュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮﨑誠一, 本山愼一, 清水三聡
第78回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2017年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場
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電子スピン共鳴によるAlGaN上Al2O3の化学状態評価
久保俊晴, 江川孝志
第78回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2017年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作製
有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
第64回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値電圧に与えるAl2O3膜厚の効果
久保俊晴, 座間秀昭, 小林忠正, 江川孝志
第64回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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GaN MOSキャパシタのC-V特性における周波数分散の理解
田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡
第64回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜, 神奈川
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Impacts of oxidants for ALD process on Al2O3/GaN interface properties 国際会議
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
ISPlasma2017 The Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2017年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chubu university
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Al2O3/GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの Al2O3形成温度依存性
田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡
第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会 電子デバイス界面テクノロジー研究会
開催年月日： 2017年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東レ研修センター, 静岡
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Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 and HfO2 fabricated by atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
SISC2016 IEEE
開催年月日： 2016年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：San Diego
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Large Surface Potential Fluctuation at ALD-Al2O3/GaN MOS Interfaces 国際会議
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, and M. Shimizu
SISC2016 IEEE
開催年月日： 2016年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sandiego
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ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性における成膜温度依存性
久保俊晴, 江川孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：新潟コンベンションセンター
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GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形成 温度依存性
田岡紀之、久保俊晴、山田寿一、江川孝志、清水三聡
第77回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ、新潟
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：新潟コンベンションセンター
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-HfO2/AlGaN界面の評価
久保俊晴, 西野剛介, 江川孝志
第63回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬幸記、三好実人、久保俊晴、江川孝志
第63回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学
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放射光を用いた軟X線光電子分光による絶縁膜/AlGaN界面における化学状態評価
久保俊晴, 西野剛介, 三好実人, 江川孝志
第11回日本表面科学会放射光表面科学研究部会・SPring-8ユーザー協同体顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム 日本表面科学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大型放射光施設SPring-8
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軟X線光電子分光によるSi基板上窒化物半導体と絶縁体との界面における電子状態解析
久保俊晴, 西野剛介, 三好実人, 江川孝志
あいちシンクロトロン光センター成果発表会 あいちシンクロトロン光センター
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ミッドランドホール
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Effect of Post-deposition Annealing on Threshold Voltage and Interface States 国際会議
Toshiharu Kubo, Gosuke Nishino, Takashi Egawa
SISC2015 IEEE
開催年月日： 2015年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Washington DC
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ALD により成膜した HfO2を用いた AlGaN/GaN MIS-HEMT の界面準位とデバイス特性
西野剛介, 久保俊晴, 江川孝志
電子デバイス研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪市立大学 学術情報センター会議室
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Analysis of Post-Deposition Annealing Effects on Insulator/Semiconductor Interface of Al2O3/AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si Substrates 国際会議
Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
SSDM2015 The Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo Convention Center
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Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価
有馬幸記、三好実人、久保俊晴、江川孝志
第76回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-Al2O3/AlGaN界面の評価
久保俊晴、三好実人、江川孝志
第76回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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Ni凝集を利用した転写フリープロセスによるグラフェントランジスタ作製
水野 正也, 久保 俊晴, 三好 実人, 江川 孝志, 曽我 哲夫
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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AlGaN上にALD成膜したHfO2を用いたMIS-HEMTの電気的特性
西野 剛介, 吉田 雄祐, 久保 俊晴, 三好 実人, 江川 孝志
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Effect of post-deposition annealing on threshold voltage and interface states in ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates 国際会議
Toshiharu Kubo, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa
SISC2014
開催年月日： 2014年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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成膜後アニールによるALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値シフト低減
吉田雄祐，久保俊晴，三好実人，江川孝志
第７５回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅳ
水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曾我哲夫
第７５回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Reduction of initial threshold voltage shift in ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates by post-deposition annealing 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa
SSDM2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Co触媒を用いた絶縁基板上グラフェン形成
水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第６１回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅲ 国際会議
伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第６１回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Formation of Graphene Layer on SiO2/Si(111) with Co Catalyst 国際会議
Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Takashi Egawa, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Tetsuo Soga
ISPlasma2014
開催年月日： 2014年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Graphene Synthesis on SiO2/Si(111) Via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Films 国際会議
Kazuo Banno, Masaya Mizuno, Makoto Miyoshi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga
ISPlasma2014
開催年月日： 2014年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
SSDM2013
開催年月日： 2013年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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ALD-Al2O3を用いたMIS構造の電気的特性におけるオゾン導入条件の影響
吉田雄祐，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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パルスアークプラズマによるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅱ
伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Co触媒の凝集を伴うグラフェン形成の観察
水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Electrical Properties of MIS-Structures with Al2O3 Deposited by ALD on GaN 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, and Takashi Egawa
ISCS2013
開催年月日： 2013年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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ALDにより成膜したAl2O3を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性
吉田雄祐，岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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ALDにより成膜したAl2O3を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性
久保俊晴,フリーズマンジョセフ, 岩田康宏, 江川孝志
電気学会電子デバイス研究会「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アピカルイン京都
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Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Al2O3 Deposited by Ozone-based Atomic Layer Deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yasuhiro Iwata and Takashi Egawa
ISPlasma2013
開催年月日： 2013年01月 - 2013年02月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性
岩田康宏，久保俊晴，江川孝志
電子情報通信学会研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪市立大学学術情報総合センター
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Effect of growth temperature on electrical proerties of Al2O3 deposited on GaN using ozone-based atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, and Takashi Egawa
IWN2012
開催年月日： 2012年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo convention center
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Investigation of Trapping Properties in AlGaN/GaN HEMT Heterostructures Grown on Silicon with Thick Buffer Layers 国際会議
J. Freedsman, T. Kubo, and T. Egawa
SSDM2012 日本応用物理学会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto International Conference Center
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GaN上にALD成膜したAl2O3の電気的特性の成膜温度依存性
岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス
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GaN上にALD成膜したAlOxの膜質及び界面評価
岩田康宏，久保俊晴，江川孝志
第59回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Characterization of aluminum oxide deposited on GaN using ozone-based atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Yasuhiro Iwata, Takashi Egawa
ISPlasma2012
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Investigation of trap states in in-situ MOCVD grown AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs grown on Sapphire substrates 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Lawrence Selvaraj, Takashi Egawa
ISPlasma2012
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
岩田康宏, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会研究会
開催年月日： 2011年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Si基板上AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT構造におけるトラップ準位の評価
久保俊晴, フリーズマン ジョセフ, セルバラージ ローレンス, 江川孝志
第72回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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Investigation of trap state densities in AlN/AlGaN/GaN/Si MISHs by frequency dependent conductance technique 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Lawrence Selvaraj, Takashi Egawa
9th International Conference on Nitride Semiconductors
開催年月日： 2011年07月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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容量およびコンダクタンス測定によるSiO2/p-GaN接合の界面評価
岩田 康宏, ジョセフ フリーズマン, 久保 俊晴, 江川 孝志
春季第58 回応用物理学関係連合講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
キャパシタンス、コンダクタンス測定によりSiO2/p-GaN界面の電子状態を調べた。
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Investigation of SiO2/p-GaN Interfaces by Capacitance and Conductance Analysis 国際会議
T. Kubo, J. Freedsman, Y. Iwata, T. Egawa
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials Aichi Science and Technology Foundation
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology
キャパシタンス、コンダクタンス測定によりSiO2/p-GaN界面の電子状態を調べた。
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Effect of a thin AlN layer inserted into GaN drift layers on reverse breakdown behavior for fully vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes 国際会議
ISPlasma2022 2022年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
国名：日本国
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