講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅳ
水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曾我哲夫
第７５回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Reduction of initial threshold voltage shift in ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates by post-deposition annealing 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa
SSDM2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Co触媒を用いた絶縁基板上グラフェン形成
水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第６１回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅲ 国際会議
伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第６１回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Formation of Graphene Layer on SiO2/Si(111) with Co Catalyst 国際会議
Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Takashi Egawa, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Tetsuo Soga
ISPlasma2014
開催年月日： 2014年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Graphene Synthesis on SiO2/Si(111) Via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Films 国際会議
Kazuo Banno, Masaya Mizuno, Makoto Miyoshi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga
ISPlasma2014
開催年月日： 2014年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer 国際会議
Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
SSDM2013
開催年月日： 2013年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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ALD-Al2O3を用いたMIS構造の電気的特性におけるオゾン導入条件の影響
吉田雄祐，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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パルスアークプラズマによるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅱ
伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Co触媒の凝集を伴うグラフェン形成の観察
水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
第７４回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Electrical Properties of MIS-Structures with Al2O3 Deposited by ALD on GaN 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, and Takashi Egawa
ISCS2013
開催年月日： 2013年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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ALDにより成膜したAl2O3を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性
吉田雄祐，岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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ALDにより成膜したAl2O3を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性
久保俊晴,フリーズマンジョセフ, 岩田康宏, 江川孝志
電気学会電子デバイス研究会「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アピカルイン京都
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Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Al2O3 Deposited by Ozone-based Atomic Layer Deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yasuhiro Iwata and Takashi Egawa
ISPlasma2013
開催年月日： 2013年01月 - 2013年02月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性
岩田康宏，久保俊晴，江川孝志
電子情報通信学会研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪市立大学学術情報総合センター
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Effect of growth temperature on electrical proerties of Al2O3 deposited on GaN using ozone-based atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, and Takashi Egawa
IWN2012
開催年月日： 2012年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo convention center
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Investigation of Trapping Properties in AlGaN/GaN HEMT Heterostructures Grown on Silicon with Thick Buffer Layers 国際会議
J. Freedsman, T. Kubo, and T. Egawa
SSDM2012 日本応用物理学会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto International Conference Center
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GaN上にALD成膜したAl2O3の電気的特性の成膜温度依存性
岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス
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GaN上にALD成膜したAlOxの膜質及び界面評価
岩田康宏，久保俊晴，江川孝志
第59回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Characterization of aluminum oxide deposited on GaN using ozone-based atomic layer deposition 国際会議
Toshiharu Kubo, Yasuhiro Iwata, Takashi Egawa
ISPlasma2012
開催年月日： 2012年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
