講演・口頭発表等 - 久保 俊晴
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第82回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ
久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD 国際会議
Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
ISPlasma2021 日本応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)
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転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs 国際会議
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
ISPlasma2020 JSAP
開催年月日： 2020年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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Estimation of electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double-layer insulators fabricated by atomic layer deposition 国際会議
Shunichi Yokoi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
ISPlasma2020 JSAP
開催年月日： 2020年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅱ
吉田信輝, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Al2O3/AlInGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価
藤田紘空, ビスワスディバリン, 鳥居直生, 吉田貴広, 久保俊晴, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会 日本応用物理学会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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Estimation of post-deposition annealing effects on electrical properties of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
S. Yokoi, T. Kubo, T. Egawa
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya university, Aichi, Japan
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Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議
S. Saito, D. Hosomi, K. Furuoka, H. Chen, T. Kubo, T. Egawa, and M. Miyoshi
TWHM2019 JSAP
開催年月日： 2019年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Grand Terrace Toyama, Toyama, Japan
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Effects of forming gas annealing depending on gate electrode materials in ALD-Al2O3/AlGaN MIS-HEMT 国際会議
Nobuki Yoshida, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, and Takashi Egawa
TWHM2019 JSAP
開催年月日： 2019年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Grand Terrace Toyama, Toyama, Japan
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Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MISHFET 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
CSW2019 JSAP
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kasugano International Forum, Nara, Japan
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Effect of Forming Gas Annealing Conditions on Electrical Properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GAN MIS-HEMTs 国際会議
Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
ISPlasma2019 JSAP
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan
