論文 - 三好　実人

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  • Metalorganic chemical vapor deposition and material characterization of lattice-matched InAlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka, T. Egawa

    Applied Physics Express   1 ( 8 )   081102-1 - 081102-3   2008年06月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/APEX.1.081102

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/APEX.1.081102/meta

  • Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka

    Applied Physics Letters   92 ( 19 )   191917-1 - 191917-3   2008年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2931698

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/92/19/10.1063/1.2931698

  • Improved performance of 264 nm emission AIGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    Y. H. Zhu, S. Sumiya, J. C. Zhang, M. Miyoshi, T. Shibata, K. Kosaka, M. Tanaka, T. Egawa

    Electronics Letters   44 ( 7 )   493 - 495   2008年03月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology  

    DOI： 10.1049/el:20082753

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4479563&abstractAccess=no&userType=inst

  • AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    S. Sumiya, Y. Zhu, J. Zhang, K. Kosaka, M. Miyoshi, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Japanese Journal of Applied Physics   47 ( 1 )   43 - 46   2008年01月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.43

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.47.43/meta

  • Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka

    Applied Physics Letters   91 ( 22 )   221906-1 - 221906-3   2007年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2817947

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/91/22/10.1063/1.2817947

  • Improved reverse blocking characteristics in AlGaN/GaN Schottky barrier diodes based on AlN template 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Electronics Letters   43 ( 17 )   953 - 954   2007年08月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology  

    DOI： 10.1049/el:20071141

    Web of Science

    その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el_20071141

  • Electrical characterization of Pt/AlGaN/GaN Schottky diodes grown using AlN template and their application to hydrogen gas sensors 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   25 ( 4 )   1231 - 1235   2007年06月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.2749530

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/25/4/10.1116/1.2749530

  • Study on mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures using a thin AlN Interfacial layer 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa

    Solid-State Electronics   50 ( 9-10 )   1515 - 1521   2006年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sse.2006.07.016

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110106002759

  • High speed turn-on reverse conducting 4 kV static induction thyristors based on the buried gate type p-base n-emitter soft contact structure and anti-parallel diodes for solid-state power supplies in high energy accelerators 査読あり 国際誌

    N. Shimizu, M. Miyoshi, S. Tange, T. Sekiya, T. Ito, T. Sakuma, T. Sakurai, T. Terasawa, M. Hatano, S. Hotta, Y. Imanishi, A. Okimoto, M. Asai, O. Oda, J. Nishizawa

    Solid-State Electronics   50 ( 9-10 )   1567 - 1578   2006年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sse.2006.08.014

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110106002917?np=y

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices 査読あり

    Makoto Miyoshi

    2006年03月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：学位論文（博士）  

  • Nanostructural characterization and two-dimensional-electron gas properties in high-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Journal of Applied Physics   98 ( 6 )   063713-1 - 063713-5   2005年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2060946

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/98/6/10.1063/1.2060946

  • DC characteristics in high-quality AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors grown on AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1   44 ( 9A )   6490 - 6494   2005年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.44.6490

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.44.6490/meta

  • Structural characterization of strained AlGaN layers in different Al content AlGaN/GaN heterostructures and its effect on two-dimensional electron transport properties 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   23 ( 4 )   1527 - 1531   2005年07月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.1993619

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/23/4/10.1116/1.1993619

  • Investigation of boron diffusion into silicon using a liquid boron tribromide source and its application to buried-gate-type static-induction thyristors 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, N. Shimizu, Y. Imanishi, O. Oda, J. Nishizawa

    Journal of The Electrochemical Society   152 ( 8 )   G601 - G607   2005年02月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Electrochemical Society  

    DOI： 10.1149/1.1938007

    Web of Science

    その他リンク： http://jes.ecsdl.org/content/152/8/G601.short

  • Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Technical Digest of 2004 IEEE International Electron Devices Meeting - IEDM 2004   1031 - 1034   2004年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/IEDM.2004.1419366

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1419366

  • MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on 100-mm-diameter sapphire substrates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda

    Journal of Crystal Growth   272 ( 1-4 )   293 - 299   2004年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.117

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024804010875

  • Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors grown on 100-mm-diameter sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Sakai, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, M. Tanaka, O. Oda

    Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 12R )   7939 - 7943   2004年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.7939

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.43.7939/meta

  • High performance AlGaN/AlN/GaN HEMTs grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanish, H. Ishikawa, T.Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Extended Abstracts of 2004 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium - CSICS 2004   193 - 196   2004年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/CSICS.2004.1392534

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1392534&tag=1

  • High-electron-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AlN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Applied Physics Letters   85 ( 10 )   1710 - 1712   2004年07月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.1790073

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/85/10/10.1063/1.1790073

  • Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo

    Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics   0 ( 7 )   2091 - 2094   2003年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssc.200303445

    Web of Science

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    その他リンク： http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.200303445/abstract

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