論文 - 三好 実人
-
Enhanced emission efficiency of deep ultraviolet light-emitting AlGaN multiple quantum wells grown on an n-AlGaN underlying layer 査読あり 国際誌
Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Photonics Journal 8 ( 5 ) 1601710-1 - 1601710-10 2016年08月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IEEE
-
Makoto Miyoshi, Tatsuya Tsutsumi, Gosuke Nishino, Yuta Miyachi, Mayuko Okada, Joseph J. Freedsman, Takashi Egawa
Journal of Vacuum Science & Technology B 34 ( 5 ) 050602-1 - 050602-4 2016年08月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
DOI： 10.1116/1.4961908
その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/34/5/10.1116/1.4961908
-
Selective growth of GaN on SiC substrates with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures 査読あり
Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu
Transactions of the Materials Research Society of Japan 41 ( 2 ) 155 - 157 2016年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/tmrsj/41/2/41_155/_article
-
Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa
Electronics Letters 52 ( 14 ) 1246 - 1248 2016年05月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology
DOI： 10.1049/el.2016.1574
その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el.2016.1574
-
Analysis of reaction between c+a and -c+a dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice by transmission electron microscopy 査読あり 国際誌
Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
AIP Advances 6 ( 4 ) 045020-1 - 045020-7 2016年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/1.4948451
-
Characterization of dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattices 査読あり 国際誌
Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 5S ) 05FB08-1 - 05FB08-6 2016年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
-
Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with n-AlGaN underlayers 査読あり 国際誌
L. Li, T. Tsutsumi, Y. Miyachi, M. Miyoshi, T. Egawa
Semiconductor Science and Technology 30 ( 12 ) 125012-1 - 125012-5 2015年11月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP
DOI： 10.1088/0268-1242/30/12/125012
その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/30/12/125012/meta
-
DC characteristics in nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors 査読あり 国際誌
Tatsuya Tsutsumi, Gosuke Nishino, Joseph. J. Freedsman, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2015 188 - 189 2015年09月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/SSDM.2015.PS-6-11
その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2015/subject/PS-6-11/detail
-
Analysis of post-deposition annealing effects on insulator/semiconductor interface of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates 査読あり 国際誌
Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2015 192 - 193 2015年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/SSDM.2015.PS-6-13
その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2015/subject/PS-6-13/detail
-
Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga
Applied Physics Letters 107 ( 7 ) 073102-1 - 073102-4 2015年08月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/1.4928759
その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/107/7/10.1063/1.4928759
-
Numerical and experimental analyses of two-dimensional electron mobility in Al(In,Ga)N/AlGaN heterostructures 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Shu Fujita, Takashi Egawa
Applied Physics Express 8 ( 5 ) 051003-1 - 051003-4 2015年04月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
-
Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Shu Fujita, Takashi Egawa
Applied Physics Express 8 ( 2 ) 021001-1 - 021001-4 2015年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
その他リンク： http://iopscience.iop.org/1882-0786/8/2/021001/article
-
Demonstration of NOx gas sensing for Pd/ZnO/GaN heterojunction diodes 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, S. Fujita, T. Egawa
Journal of Vacuum Science & Technology B 33 ( 1 ) 013001-1 - 013001-4 2015年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
DOI： 10.1116/1.4906032
その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/33/1/10.1116/1.4906032
-
M. Miyoshi, M. Mizuno, K. Banno, T. Kubo, T. Egawa, T. Soga
Materials Research Express 2 ( 1 ) 015602-1 - 015602-8 2015年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP
-
Makoto Miyoshi, Masataka Kato, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 29 ( 7 ) 075024-1 - 075024-6 2014年06月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP
-
K. Banno, M. Mizuno, K. Fujita, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa, T. Soga
Applied Physics Letters 103 ( 8 ) 082112-1 - 082112-4 2013年08月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/1.4818342
その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/8/10.1063/1.4818342
-
Demonstration of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on high-quality AlN templates 査読あり 国際誌
Y. Sakai, Y. Zhu, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka, T. Egawa
Japanese Journal of Applied Physics 49 ( 2 ) 022102-1 - 022102-4 2010年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.49.022102/meta
-
Device characteristics of metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlN/GaN high-electron –mobility transistors on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌
J. Selvaraj, S. L. Selvaraj, M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka, T. Egawa
Japanese Journal of Applied Physics 48 ( 4 ) 04C102-1 - 04C102-4 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.48.04C102/meta
-
Suppression of the subband parasitic peak by 1 nm i-AlN interlayer in AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌
J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka
Applied Physics Letters 93 ( 13 ) 131117 - 131119 2008年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/1.2996580
その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/93/13/10.1063/1.2996580
-
Device characteristics of MOCVD-grown InAlN/GaN HEMTs on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌
Josephine Selvaraj, Lawrence Selvaraj, Makoto Miyoshi, Yoshitaka Kuraoka, Mitsuhiro Tanaka, Takashi Egawa
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2008 152 - 153 2008年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2008/subject/G-1-4/detail
