論文 - 三好　実人

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  • AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   65 ( 11 )   111003-1 - 111003-5   2024年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad85ed

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad85ed/meta

  • Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment 査読あり 国際誌

    Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Solar Energy Materials and Solar Cells   275 ( 15 )   113025-1 - 113025-7   2024年07月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2024.113025

  • Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD 査読あり 国際誌

    Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   261   2400029-1 - 2400029-7   2024年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssb.202400029

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202400029

  • Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Applied Physics Letters   124 ( 18 )   18210-1 - 18210-4   2024年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0187043

    その他リンク： https://pubs.aip.org/aip/apl/article/124/18/182102/3286954/Current-collapse-suppression-in-AlGaInN-GaN-HEMTs

  • Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌

    Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Semiconductor Science and Technology   39 ( 4 )   045010-1 - 045010-6   2024年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/1361-6641/ad2d62

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad2d62

  • Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns 査読あり 国際誌

    Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Journal of Materials Science   59 ( 7 )   2974 - 2987   2024年02月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer  

    DOI： https://doi.org/10.1007/s10853-024-09392-z

    その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-024-09392-z#citeas

  • Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Applied Physics   135 ( 3 )   035703-1 - 035703-8   2024年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0181231

    その他リンク： https://pubs.aip.org/aip/jap/article/135/3/035703/3000640/Sub-bandgap-optical-absorption-processes-in-300-nm

  • Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   41 ( 5 )   052206-1 - 052206-6   2023年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/6.0002577

    その他リンク： https://pubs.aip.org/avs/jvb/article/41/5/052206/2909805/Simulation-analyses-of-carrier-dynamics-in-npn

  • Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   38 ( 9 )   095005-1 - 095005-6   2023年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/1361-6641/aceaa2

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2

  • Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Vaccum   213   112159-1 - 112159-6   2023年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.vacuum.2023.112159

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub

  • DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   220   2200733-1 - 2200733-5   2023年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.202200733

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202200733

  • Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   260   2200492-1 - 2200492-8   2023年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssb.202200492

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssb.202200492

  • High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   40 ( 6 )   062210-1 - 062210-7   2022年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： doi.org/10.1116/6.0002101

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/10.1116/6.0002101

  • Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 査読あり 国際誌

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics   132 ( 16 )   163102-1 - 163102-10   2022年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0106540

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0106540

  • Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects 査読あり 国際共著 国際誌

    Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini

    Sensors and Actuators: A. Physical   347   113935-1 - 113935-8   2022年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113935

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0924424722005702

  • Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-HBTs with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022 - Proceedings   2022年06月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/CSW55288.2022.9930408

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8819345

  • The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   127   112284-1 - 112284-9   2022年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.optmat.2022.112284

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346722003184?dgcid=coauthor

  • Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   219 ( 4 )   2100397-1 - 2100397-5   2022年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.202100397

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202100397

  • High drain-current-density and high breakdown-field Al0.36Ga0.64N-channel heterojunction filed-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer 査読あり 国際誌

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SC )   SC1039-1 - SC1039-6   2022年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac4b09

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4b09

  • Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate 査読あり 国際誌

    Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SA )   SA1017-1 - SA1017-5   2022年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac148a

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac148a

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