論文 - 三好　実人

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  • Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films 査読あり 国際誌

    Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   14 ( 11 )   116503-1 - 116503-3   2021年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac30ed

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac30ed

  • Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌

    Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   333 - 334   2021年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.F-4-02

  • High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts 査読あり 国際誌

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   269 - 270   2021年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.D-7-08

  • Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa

    AIP Advances   11 ( 9 )   095208-1 - 095208-8   2021年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0062346

    その他リンク： https://doi.org/10.1063/5.0062346

  • Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    Liyang Li, Kohei Shima, Mizuki Yamanaka, Kazunobu Kojima, Takashi Egawa, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Letters   119 ( 9 )   091105-1 - 091105-6   2021年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0066263

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0066263

  • Evaluation of high-performance, self-powered and wavelength-selective InGaN/GaN multiple quantum well UV photodetectors fabricated on sapphire substrate: Analysis of the influence of growth temperature 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Sensors and Actuators A: Physical   331   113050-1 - 113050-11   2021年08月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sna.2021.113050

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S092442472100515X

  • Understanding the degradation mechanisms of InGaN/GaN multiple quantum well UV photodetectors submitted to different current stresses 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optics Letters   46 ( 15 )   3568 - 3571   2021年08月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：OSA  

    DOI： 10.1364/OL.434920

    その他リンク： https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?doi=10.1364/OL.434920

  • Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optik   245   167691-1 - 167691-2   2021年07月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.ijleo.2021.167691

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0030402621012894

  • Improved on-state performance in AlGaN-channel heterojunction field-effect transistors with a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively grown n++-GaN contact layer 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Akiyoshi Inoue, Mizuki Yamanaka, Hiroki Harada, Takashi Egawa

    Materials Science in Semiconductor Processing   133   105960-1 - 105960-5   2021年05月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2021.105960

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800121003073?dgcid=author

  • Demonstration of polarization-induced hole conduction in composition-graded AlInN layers grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Haruka Takada, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Applied Physics Letters   118 ( 16 )   162102-1 - 162102-5   2021年04月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0048751

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0048751

  • Growth of 300-nm-thick epitaxial AlInN films on a semi-relaxed c-plane GaInN template by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Tetsuya Takeuchi

    Materials Research Express   8 ( 2 )   025906-1 - 025906-6   2021年02月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/2053-1591/abe250

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/abe250

  • Impact of current-induced degradation process on the electro-optical characteristics of InGaN/GaN multiple-quantum-well photodetectors fabricated on sapphire substrate 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Applied Physics Letters   118 ( 2 )   021101-1 - 021101-5   2021年01月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0027127

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0027127

  • Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    CrystEngComm   22 ( 48 )   8299 - 8312   2020年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Royal Society of Chemistry  

    DOI： 10.1039/D0CE01344G

    その他リンク： https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2020/ce/d0ce01344g?page=search

  • Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry 査読あり 国際誌

    Daichi Imai, Yuto Murakami, Rino Miyata, Hayata Toyoda, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 12 )   121001-1 - 121001-7   2020年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abc29f

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abc29f/meta

  • Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   38 ( 5 )   052205-1 - 052205-5   2020年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/6.0000284

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/10.1116/6.0000284

  • Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   109   110352-1 - 110352-6   2020年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.optmat.2020.110352

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925346720306935?via%3Dihub

  • Metalorganic chemical vapor deposition of over 150-nm-thick quaternary AlGaInN epitaxial films near alloy composition lattice-matching to GaN on sapphire and their structural and optical characterization 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Hiroki Harada, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   217 ( 3 )   1900597-1 - 1900597-6   2019年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.201900597

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201900597

  • High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator 査読あり 国際誌

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   37 ( 4 )   041205-1 - 041205-4   2019年07月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.5097338

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/full/10.1116/1.5097338

  • 450 nm GaInN ridge stripe laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers 査読あり 国際誌

    Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Ryosuke Iida, Yuki Kato, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SC )   SCCC28-1 - SCCC28-6   2019年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab12ca

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab12ca

  • Growth and characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films with alloy compositions around lattice-matched to GaN 査読あり 国際誌

    Hiroki Harada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings   2019年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819345

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8819345

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