研究者詳細 - 三好　実人

論文 - 三好　実人

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MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films 査読あり国際誌

Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings 2019年05月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819059

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/8819059

Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MIS HFET 査読あり国際誌

Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings 2019年05月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819229

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/8819229/authors#authors

A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SC ) SC1006-1 - SC1006-4 2019年04月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/1347-4065/ab040c

その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab040c

Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

Journal of Crystal Growth 506 40 - 44 2019年01月

担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.049

その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481830486X?via%3Dihub

Ultrathin inserted AlGaN/InAlN heterojunction for performance improvement in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり国際誌

Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Applied Physics Express 12 ( 1 ) 011010-1 - 011010-4 2019年01月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/1882-0786/aaf62b

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/aaf62b

Design and material growth of AlGaN-channel two-dimensional-electron gas heterostructures employing strain-controlled quaternary AlGaInN barrier layers 査読あり国際誌

Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 1 ) 011004-1 - 011004-5 2018年11月

担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/1347-4065/aaed2f

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/aaed2f

Epitaxial growth and characterization of approximatey 300-nm-thick AlInN films nearly lattice-matched to GaN grown on sapphire 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

Applied Physics Express 11 ( 5 ) 051001-1 - 051001-4 2018年04月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/APEX.11.051001

Scopus

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.051001

Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically smooth heterointerface 査読あり国際誌

Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 4S ) 04FG12-1 - 04FG12-4 2018年03月

担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FG12

Scopus

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.04FG12

Distinct light emission from two-dimensional electron gas at a lattice-matched InAlN/AlGaN heterointerface 査読あり国際誌

Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Applied Physics Letters 112 ( 10 ) 102102-1 - 102102-4 2018年03月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP

DOI： 10.1063/1.5023847

Scopus

その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5023847

A comparative study of InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells grown on sapphire and AlN template by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, Takashi Egawa

Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 215 ( 10 ) 1700323-1 - 1700323-7 2017年12月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：WILEY-VCH

DOI： 10.1002/pssa.201700323

Scopus

その他リンク： http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201700323/abstract;jsessionid=AD6B1173300C5C6B25637A1A9A7B85A0.f01t04

A comparative study of AlGaN-based PiN type UV photodiodes with and without surface recessed structures 査読あり

Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Transactions of the Materials Research Society of Japan 42 ( 6 ) 151 - 153 2017年12月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.14723/tmrsj.42.151

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/tmrsj/42/6/42_151/_article

Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface 査読あり国際誌

Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2017 635 - 636 2017年09月

担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/SSDM.2017.N-2-03

その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/event/ssdm2017/subject/N-2-03/advanced

High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films 査読あり国際誌

Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takeaki Hamada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Applied Physics Letters 111 ( 10 ) 102106-1 - 102106-4 2017年09月

担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP

DOI： 10.1063/1.4986311

Web of Science

その他リンク： http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4986311

Growth of rough-surface p-GaN layers on InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by metalorganic chemical vapor deposition and their application to GaN-based solar cells 査読あり国際誌

Takuma Mori, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Materials Research Express 4 ( 8 ) 085904-1 - 085904-8 2017年08月

担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP

DOI： 10.1088/2053-1591/aa8147

Web of Science

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aa8147

Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates 査読あり国際誌

Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 32 ( 6 ) 065012-1 - 065012-5 2017年05月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP

DOI： 10.1088/1361-6641/aa6c09

Web of Science

その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aa6c09/meta

Al2O3/AlGaN channel normally-off MOSFET on Si with high breakdown voltage 査読あり国際誌

Joseph J. Freedsman, Takeaki Hamada, Makato Miyoshi, Takashi Egawa

Electron Device Letters 38 ( 4 ) 497 - 500 2017年02月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/LED.2017.2662710

Web of Science

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/document/7839208/

Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Applied Physics Letters 110 ( 1 ) 013103-1 - 013103-4 2017年01月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP

DOI： 10.1063/1.4973523

Web of Science

その他リンク： http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4973523

Effect of well layer thickness on quantum and energy conversion efficiencies for InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Tatsuya Tsutsumi, Tomoki Kabata, Takuma Mori, Takashi Egawa

Solid-State Electronics 129 ( 1 ) 29 - 34 2016年12月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier

DOI： 10.1016/j.sse.2016.12.009

Web of Science

その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110116303598

Observation of reaction between a-type dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice after dislocation propagation 査読あり国際誌

Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Journal of Crystal Growth 468 ( 15 ) 536 - 540 2016年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.010

Web of Science

その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816306923

Modeling of the wafer bow in GaN-on-Si epiwafers employing GaN/AlN multilayer buffer structures 査読あり国際誌

Makoto Miyoshi, Arata Watanabe, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 31 ( 10 ) 105016-1 - 105016-7 2016年09月

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP

DOI： 10.1088/0268-1242/31/10/105016

Web of Science