論文 - 三好　実人

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  • AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   65 ( 11 )   111003-1 - 111003-5   2024年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad85ed

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad85ed/meta

  • Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment 査読あり 国際誌

    Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Solar Energy Materials and Solar Cells   275 ( 15 )   113025-1 - 113025-7   2024年07月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2024.113025

  • Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD 査読あり 国際誌

    Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   261   2400029-1 - 2400029-7   2024年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssb.202400029

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202400029

  • Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Applied Physics Letters   124 ( 18 )   18210-1 - 18210-4   2024年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0187043

    その他リンク： https://pubs.aip.org/aip/apl/article/124/18/182102/3286954/Current-collapse-suppression-in-AlGaInN-GaN-HEMTs

  • Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌

    Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Semiconductor Science and Technology   39 ( 4 )   045010-1 - 045010-6   2024年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/1361-6641/ad2d62

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad2d62

  • Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns 査読あり 国際誌

    Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Journal of Materials Science   59 ( 7 )   2974 - 2987   2024年02月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer  

    DOI： https://doi.org/10.1007/s10853-024-09392-z

    その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-024-09392-z#citeas

  • Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Applied Physics   135 ( 3 )   035703-1 - 035703-8   2024年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0181231

    その他リンク： https://pubs.aip.org/aip/jap/article/135/3/035703/3000640/Sub-bandgap-optical-absorption-processes-in-300-nm

  • Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   41 ( 5 )   052206-1 - 052206-6   2023年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/6.0002577

    その他リンク： https://pubs.aip.org/avs/jvb/article/41/5/052206/2909805/Simulation-analyses-of-carrier-dynamics-in-npn

  • Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   38 ( 9 )   095005-1 - 095005-6   2023年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/1361-6641/aceaa2

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2

  • Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Vaccum   213   112159-1 - 112159-6   2023年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.vacuum.2023.112159

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub

  • DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   220   2200733-1 - 2200733-5   2023年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.202200733

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202200733

  • Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   260   2200492-1 - 2200492-8   2023年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssb.202200492

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssb.202200492

  • High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   40 ( 6 )   062210-1 - 062210-7   2022年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： doi.org/10.1116/6.0002101

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/10.1116/6.0002101

  • Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 査読あり 国際誌

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics   132 ( 16 )   163102-1 - 163102-10   2022年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0106540

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0106540

  • Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects 査読あり 国際共著 国際誌

    Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini

    Sensors and Actuators: A. Physical   347   113935-1 - 113935-8   2022年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113935

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0924424722005702

  • Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-HBTs with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022 - Proceedings   2022年06月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/CSW55288.2022.9930408

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8819345

  • The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   127   112284-1 - 112284-9   2022年05月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.optmat.2022.112284

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346722003184?dgcid=coauthor

  • Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   219 ( 4 )   2100397-1 - 2100397-5   2022年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.202100397

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202100397

  • High drain-current-density and high breakdown-field Al0.36Ga0.64N-channel heterojunction filed-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer 査読あり 国際誌

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SC )   SC1039-1 - SC1039-6   2022年02月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac4b09

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4b09

  • Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate 査読あり 国際誌

    Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SA )   SA1017-1 - SA1017-5   2022年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac148a

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac148a

  • Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films 査読あり 国際誌

    Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   14 ( 11 )   116503-1 - 116503-3   2021年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac30ed

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac30ed

  • Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌

    Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   333 - 334   2021年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.F-4-02

  • High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts 査読あり 国際誌

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   269 - 270   2021年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2021.D-7-08

  • Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa

    AIP Advances   11 ( 9 )   095208-1 - 095208-8   2021年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0062346

    その他リンク： https://doi.org/10.1063/5.0062346

  • Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    Liyang Li, Kohei Shima, Mizuki Yamanaka, Kazunobu Kojima, Takashi Egawa, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Letters   119 ( 9 )   091105-1 - 091105-6   2021年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0066263

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0066263

  • Evaluation of high-performance, self-powered and wavelength-selective InGaN/GaN multiple quantum well UV photodetectors fabricated on sapphire substrate: Analysis of the influence of growth temperature 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Sensors and Actuators A: Physical   331   113050-1 - 113050-11   2021年08月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sna.2021.113050

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S092442472100515X

  • Understanding the degradation mechanisms of InGaN/GaN multiple quantum well UV photodetectors submitted to different current stresses 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optics Letters   46 ( 15 )   3568 - 3571   2021年08月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：OSA  

    DOI： 10.1364/OL.434920

    その他リンク： https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?doi=10.1364/OL.434920

  • Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optik   245   167691-1 - 167691-2   2021年07月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.ijleo.2021.167691

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0030402621012894

  • Improved on-state performance in AlGaN-channel heterojunction field-effect transistors with a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively grown n++-GaN contact layer 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Akiyoshi Inoue, Mizuki Yamanaka, Hiroki Harada, Takashi Egawa

    Materials Science in Semiconductor Processing   133   105960-1 - 105960-5   2021年05月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2021.105960

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800121003073?dgcid=author

  • Demonstration of polarization-induced hole conduction in composition-graded AlInN layers grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Haruka Takada, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Applied Physics Letters   118 ( 16 )   162102-1 - 162102-5   2021年04月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0048751

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0048751

  • Growth of 300-nm-thick epitaxial AlInN films on a semi-relaxed c-plane GaInN template by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Tetsuya Takeuchi

    Materials Research Express   8 ( 2 )   025906-1 - 025906-6   2021年02月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/2053-1591/abe250

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/abe250

  • Impact of current-induced degradation process on the electro-optical characteristics of InGaN/GaN multiple-quantum-well photodetectors fabricated on sapphire substrate 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Applied Physics Letters   118 ( 2 )   021101-1 - 021101-5   2021年01月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/5.0027127

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0027127

  • Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    CrystEngComm   22 ( 48 )   8299 - 8312   2020年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Royal Society of Chemistry  

    DOI： 10.1039/D0CE01344G

    その他リンク： https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2020/ce/d0ce01344g?page=search

  • Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry 査読あり 国際誌

    Daichi Imai, Yuto Murakami, Rino Miyata, Hayata Toyoda, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 12 )   121001-1 - 121001-7   2020年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abc29f

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abc29f/meta

  • Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   38 ( 5 )   052205-1 - 052205-5   2020年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/6.0000284

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/10.1116/6.0000284

  • Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   109   110352-1 - 110352-6   2020年09月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.optmat.2020.110352

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925346720306935?via%3Dihub

  • Metalorganic chemical vapor deposition of over 150-nm-thick quaternary AlGaInN epitaxial films near alloy composition lattice-matching to GaN on sapphire and their structural and optical characterization 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Hiroki Harada, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   217 ( 3 )   1900597-1 - 1900597-6   2019年10月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.201900597

    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.201900597

  • High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator 査読あり 国際誌

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   37 ( 4 )   041205-1 - 041205-4   2019年07月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.5097338

    その他リンク： https://avs.scitation.org/doi/full/10.1116/1.5097338

  • 450 nm GaInN ridge stripe laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers 査読あり 国際誌

    Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Ryosuke Iida, Yuki Kato, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SC )   SCCC28-1 - SCCC28-6   2019年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab12ca

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab12ca

  • Growth and characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films with alloy compositions around lattice-matched to GaN 査読あり 国際誌

    Hiroki Harada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings   2019年05月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819345

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8819345

  • MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films 査読あり 国際誌

    Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings   2019年05月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819059

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/8819059

  • Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MIS HFET 査読あり 国際誌

    Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings   2019年05月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819229

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/8819229/authors#authors

  • A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SC )   SC1006-1 - SC1006-4   2019年04月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab040c

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab040c

  • Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Crystal Growth   506   40 - 44   2019年01月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.049

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481830486X?via%3Dihub

  • Ultrathin inserted AlGaN/InAlN heterojunction for performance improvement in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   12 ( 1 )   011010-1 - 011010-4   2019年01月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1882-0786/aaf62b

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/aaf62b

  • Design and material growth of AlGaN-channel two-dimensional-electron gas heterostructures employing strain-controlled quaternary AlGaInN barrier layers 査読あり 国際誌

    Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 1 )   011004-1 - 011004-5   2018年11月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/1347-4065/aaed2f

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/aaed2f

  • Epitaxial growth and characterization of approximatey 300-nm-thick AlInN films nearly lattice-matched to GaN grown on sapphire 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    Applied Physics Express   11 ( 5 )   051001-1 - 051001-4   2018年04月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/APEX.11.051001

    Scopus

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.051001

  • Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically smooth heterointerface 査読あり 国際誌

    Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4S )   04FG12-1 - 04FG12-4   2018年03月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FG12

    Scopus

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.04FG12

  • Distinct light emission from two-dimensional electron gas at a lattice-matched InAlN/AlGaN heterointerface 査読あり 国際誌

    Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Letters   112 ( 10 )   102102-1 - 102102-4   2018年03月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.5023847

    Scopus

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5023847

  • A comparative study of InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells grown on sapphire and AlN template by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, Takashi Egawa

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   215 ( 10 )   1700323-1 - 1700323-7   2017年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssa.201700323

    Scopus

    その他リンク： http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201700323/abstract;jsessionid=AD6B1173300C5C6B25637A1A9A7B85A0.f01t04

  • A comparative study of AlGaN-based PiN type UV photodiodes with and without surface recessed structures 査読あり

    Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   42 ( 6 )   151 - 153   2017年12月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.14723/tmrsj.42.151

    その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/tmrsj/42/6/42_151/_article

  • Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface 査読あり 国際誌

    Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2017   635 - 636   2017年09月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2017.N-2-03

    その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/event/ssdm2017/subject/N-2-03/advanced

  • High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films 査読あり 国際誌

    Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takeaki Hamada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Letters   111 ( 10 )   102106-1 - 102106-4   2017年09月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.4986311

    Web of Science

    その他リンク： http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4986311

  • Growth of rough-surface p-GaN layers on InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by metalorganic chemical vapor deposition and their application to GaN-based solar cells 査読あり 国際誌

    Takuma Mori, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Materials Research Express   4 ( 8 )   085904-1 - 085904-8   2017年08月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/2053-1591/aa8147

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aa8147

  • Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates 査読あり 国際誌

    Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32 ( 6 )   065012-1 - 065012-5   2017年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/1361-6641/aa6c09

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aa6c09/meta

  • Al2O3/AlGaN channel normally-off MOSFET on Si with high breakdown voltage 査読あり 国際誌

    Joseph J. Freedsman, Takeaki Hamada, Makato Miyoshi, Takashi Egawa

    Electron Device Letters   38 ( 4 )   497 - 500   2017年02月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/LED.2017.2662710

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/document/7839208/

  • Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    Applied Physics Letters   110 ( 1 )   013103-1 - 013103-4   2017年01月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.4973523

    Web of Science

    その他リンク： http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4973523

  • Effect of well layer thickness on quantum and energy conversion efficiencies for InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Tatsuya Tsutsumi, Tomoki Kabata, Takuma Mori, Takashi Egawa

    Solid-State Electronics   129 ( 1 )   29 - 34   2016年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sse.2016.12.009

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110116303598

  • Observation of reaction between a-type dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice after dislocation propagation 査読あり 国際誌

    Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Journal of Crystal Growth   468 ( 15 )   536 - 540   2016年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.010

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816306923

  • Modeling of the wafer bow in GaN-on-Si epiwafers employing GaN/AlN multilayer buffer structures 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Arata Watanabe, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   31 ( 10 )   105016-1 - 105016-7   2016年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/0268-1242/31/10/105016

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/10/105016/meta

  • Enhanced emission efficiency of deep ultraviolet light-emitting AlGaN multiple quantum wells grown on an n-AlGaN underlying layer 査読あり 国際誌

    Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Photonics Journal   8 ( 5 )   1601710-1 - 1601710-10   2016年08月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/JPHOT.2016.2601439

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/document/7556364/

  • Device characteristics and performance estimation of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Tatsuya Tsutsumi, Gosuke Nishino, Yuta Miyachi, Mayuko Okada, Joseph J. Freedsman, Takashi Egawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   34 ( 5 )   050602-1 - 050602-4   2016年08月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.4961908

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/34/5/10.1116/1.4961908

  • Selective growth of GaN on SiC substrates with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures 査読あり

    Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   41 ( 2 )   155 - 157   2016年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.14723/tmrsj.41.155

    その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/tmrsj/41/2/41_155/_article

  • Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa

    Electronics Letters   52 ( 14 )   1246 - 1248   2016年05月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology  

    DOI： 10.1049/el.2016.1574

    その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el.2016.1574

  • Analysis of reaction between c+a and -c+a dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice by transmission electron microscopy 査読あり 国際誌

    Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    AIP Advances   6 ( 4 )   045020-1 - 045020-7   2016年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.4948451

    Web of Science

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4948451

  • Characterization of dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattices 査読あり 国際誌

    Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 5S )   05FB08-1 - 05FB08-6   2016年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FB08

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.55.05FB08/meta;jsessionid=6FD4DC5F76751A85D6490BFD7F13CADE.c2

  • Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with n-AlGaN underlayers 査読あり 国際誌

    L. Li, T. Tsutsumi, Y. Miyachi, M. Miyoshi, T. Egawa

    Semiconductor Science and Technology   30 ( 12 )   125012-1 - 125012-5   2015年11月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/0268-1242/30/12/125012

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/30/12/125012/meta

  • DC characteristics in nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors 査読あり 国際誌

    Tatsuya Tsutsumi, Gosuke Nishino, Joseph. J. Freedsman, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2015   188 - 189   2015年09月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2015.PS-6-11

    その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2015/subject/PS-6-11/detail

  • Analysis of post-deposition annealing effects on insulator/semiconductor interface of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates 査読あり 国際誌

    Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2015   192 - 193   2015年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2015.PS-6-13

    その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2015/subject/PS-6-13/detail

  • Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

    Applied Physics Letters   107 ( 7 )   073102-1 - 073102-4   2015年08月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.4928759

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/107/7/10.1063/1.4928759

  • Numerical and experimental analyses of two-dimensional electron mobility in Al(In,Ga)N/AlGaN heterostructures 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Shu Fujita, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   8 ( 5 )   051003-1 - 051003-4   2015年04月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/APEX.8.051003

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/1882-0786/8/5/051003/

  • Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Shu Fujita, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   8 ( 2 )   021001-1 - 021001-4   2015年01月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/APEX.8.021001

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/1882-0786/8/2/021001/article

  • Demonstration of NOx gas sensing for Pd/ZnO/GaN heterojunction diodes 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, S. Fujita, T. Egawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   33 ( 1 )   013001-1 - 013001-4   2015年01月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.4906032

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/33/1/10.1116/1.4906032

  • Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Mizuno, K. Banno, T. Kubo, T. Egawa, T. Soga

    Materials Research Express   2 ( 1 )   015602-1 - 015602-8   2015年01月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/2053-1591/2/1/015602

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/2053-1591/2/1/015602/

  • Experimental and simulation study on ultraviolet light emission from quaternary InAlGaN quantum wells with localized carriers 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Masataka Kato, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   29 ( 7 )   075024-1 - 075024-6   2014年06月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

    DOI： 10.1088/0268-1242/29/7/075024

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/0268-1242/29/7/075024/

  • Transfer-free graphene synthesis on insulating substrates via agglomeration phenomena of catalytic nickel films 査読あり 国際誌

    K. Banno, M. Mizuno, K. Fujita, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa, T. Soga

    Applied Physics Letters   103 ( 8 )   082112-1 - 082112-4   2013年08月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.4818342

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/8/10.1063/1.4818342

  • Demonstration of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on high-quality AlN templates 査読あり 国際誌

    Y. Sakai, Y. Zhu, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka, T. Egawa

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 2 )   022102-1 - 022102-4   2010年02月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.49.022102

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.49.022102/meta

  • Device characteristics of metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlN/GaN high-electron –mobility transistors on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌

    J. Selvaraj, S. L. Selvaraj, M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka, T. Egawa

    Japanese Journal of Applied Physics   48 ( 4 )   04C102-1 - 04C102-4   2009年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.48.04C102

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.48.04C102/meta

  • Suppression of the subband parasitic peak by 1 nm i-AlN interlayer in AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka

    Applied Physics Letters   93 ( 13 )   131117 - 131119   2008年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2996580

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/93/13/10.1063/1.2996580

  • Device characteristics of MOCVD-grown InAlN/GaN HEMTs on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Josephine Selvaraj, Lawrence Selvaraj, Makoto Miyoshi, Yoshitaka Kuraoka, Mitsuhiro Tanaka, Takashi Egawa

    Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2008   152 - 153   2008年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/SSDM.2008.G-1-4

    その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2008/subject/G-1-4/detail

  • Metalorganic chemical vapor deposition and material characterization of lattice-matched InAlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka, T. Egawa

    Applied Physics Express   1 ( 8 )   081102-1 - 081102-3   2008年06月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/APEX.1.081102

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/APEX.1.081102/meta

  • Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka

    Applied Physics Letters   92 ( 19 )   191917-1 - 191917-3   2008年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2931698

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/92/19/10.1063/1.2931698

  • Improved performance of 264 nm emission AIGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    Y. H. Zhu, S. Sumiya, J. C. Zhang, M. Miyoshi, T. Shibata, K. Kosaka, M. Tanaka, T. Egawa

    Electronics Letters   44 ( 7 )   493 - 495   2008年03月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology  

    DOI： 10.1049/el:20082753

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4479563&abstractAccess=no&userType=inst

  • AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    S. Sumiya, Y. Zhu, J. Zhang, K. Kosaka, M. Miyoshi, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Japanese Journal of Applied Physics   47 ( 1 )   43 - 46   2008年01月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.43

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.47.43/meta

  • Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes 査読あり 国際誌

    J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka

    Applied Physics Letters   91 ( 22 )   221906-1 - 221906-3   2007年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2817947

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/91/22/10.1063/1.2817947

  • Improved reverse blocking characteristics in AlGaN/GaN Schottky barrier diodes based on AlN template 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Electronics Letters   43 ( 17 )   953 - 954   2007年08月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology  

    DOI： 10.1049/el:20071141

    Web of Science

    その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el_20071141

  • Electrical characterization of Pt/AlGaN/GaN Schottky diodes grown using AlN template and their application to hydrogen gas sensors 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, Y. Kuraoka, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, T. Egawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   25 ( 4 )   1231 - 1235   2007年06月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.2749530

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/25/4/10.1116/1.2749530

  • Study on mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures using a thin AlN Interfacial layer 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa

    Solid-State Electronics   50 ( 9-10 )   1515 - 1521   2006年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sse.2006.07.016

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110106002759

  • High speed turn-on reverse conducting 4 kV static induction thyristors based on the buried gate type p-base n-emitter soft contact structure and anti-parallel diodes for solid-state power supplies in high energy accelerators 査読あり 国際誌

    N. Shimizu, M. Miyoshi, S. Tange, T. Sekiya, T. Ito, T. Sakuma, T. Sakurai, T. Terasawa, M. Hatano, S. Hotta, Y. Imanishi, A. Okimoto, M. Asai, O. Oda, J. Nishizawa

    Solid-State Electronics   50 ( 9-10 )   1567 - 1578   2006年08月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.sse.2006.08.014

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110106002917?np=y

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices 査読あり

    Makoto Miyoshi

    2006年03月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：学位論文（博士）  

  • Nanostructural characterization and two-dimensional-electron gas properties in high-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Journal of Applied Physics   98 ( 6 )   063713-1 - 063713-5   2005年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.2060946

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/98/6/10.1063/1.2060946

  • DC characteristics in high-quality AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors grown on AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1   44 ( 9A )   6490 - 6494   2005年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.44.6490

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.44.6490/meta

  • Structural characterization of strained AlGaN layers in different Al content AlGaN/GaN heterostructures and its effect on two-dimensional electron transport properties 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   23 ( 4 )   1527 - 1531   2005年07月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AVS  

    DOI： 10.1116/1.1993619

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/23/4/10.1116/1.1993619

  • Investigation of boron diffusion into silicon using a liquid boron tribromide source and its application to buried-gate-type static-induction thyristors 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, N. Shimizu, Y. Imanishi, O. Oda, J. Nishizawa

    Journal of The Electrochemical Society   152 ( 8 )   G601 - G607   2005年02月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Electrochemical Society  

    DOI： 10.1149/1.1938007

    Web of Science

    その他リンク： http://jes.ecsdl.org/content/152/8/G601.short

  • Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Technical Digest of 2004 IEEE International Electron Devices Meeting - IEDM 2004   1031 - 1034   2004年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/IEDM.2004.1419366

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1419366

  • MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on 100-mm-diameter sapphire substrates 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda

    Journal of Crystal Growth   272 ( 1-4 )   293 - 299   2004年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.117

    Web of Science

    その他リンク： http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024804010875

  • Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors grown on 100-mm-diameter sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Sakai, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, M. Tanaka, O. Oda

    Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 12R )   7939 - 7943   2004年12月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.7939

    Web of Science

    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.43.7939/meta

  • High performance AlGaN/AlN/GaN HEMTs grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, A. Imanish, H. Ishikawa, T.Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Extended Abstracts of 2004 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium - CSICS 2004   193 - 196   2004年10月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/CSICS.2004.1392534

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1392534&tag=1

  • High-electron-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AlN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

    Applied Physics Letters   85 ( 10 )   1710 - 1712   2004年07月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.1790073

    Web of Science

    その他リンク： http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/85/10/10.1063/1.1790073

  • Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo

    Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics   0 ( 7 )   2091 - 2094   2003年11月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：WILEY-VCH  

    DOI： 10.1002/pssc.200303445

    Web of Science

    Scopus

    その他リンク： http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.200303445/abstract

  • Growth of 100 mm diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E86-C ( 10 )   2077 - 2081   2003年10月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEICE  

    Web of Science

    その他リンク： https://search.ieice.org/bin/summary.php?id=e86-c_10_2077

  • Uniformity studies of MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on 100-mm diameter sapphire 査読あり 国際誌

    S. Arulkumaran, M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo

    Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2003   2003年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： https://doi.org/10.7567/SSDM.2003.F-3-4L

    その他リンク： https://confit.atlas.jp/guide/organizer/ssdm/ssdm2003/subject/F-3-4L/detail

  • Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on 4-inch diameter sapphire substrate 査読あり 国際誌

    S. Arulkumaran, M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo

    Electron Device Letters   24 ( 8 )   497 - 499   2003年08月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/LED.2003.815162

    Web of Science

    その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=1218653&abstractAccess=no&userType=inst

  • Synchrotron x-ray diffraction study of the crystallisation kinetics of silica glass at high pressure and high temperature 査読あり 国際誌

    Kaichi Suito, Makoto Miyoshi, Akifuma Onodera, Osamu Shimomura, Takumi Kikegawa

    High Temperatures - High Pressures   34 ( 2 )   243 - 250   2002年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1068/htjr017

    Web of Science

    その他リンク： http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.430.1411

  • Studies of crystallization process of silica and germania 査読あり 国際誌

    K. Suito, M. Miyoshi, A. Onodera

    High Pressure Research   16 ( 4 )   217 - 232   1999年08月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1080/08957959908200295

    Web of Science

    その他リンク： https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/08957959908200295

  • Brazing of Si-Ge thermoelectric element and Mo electrode 査読あり

    keiko Ikoma, Masakazu Kobayashi, Kazuhiko Shinohara, Makoto Miyoshi, Yuichiro Imanishi

    Journal of Advanced Science   9 ( 3-4 )   188 - 191   1998年01月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.2978/jsas.9.188

    その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsas1989/9/3-4/9_3-4_188/_article/-char/ja/

  • Synchrotron x-ray-diffraction study of α-cristobalite at high pressure and high temperature 査読あり 国際誌

    A. Onodera, K. Suito, J. Namba Y. Taniguchi, T. Horikawa, M. Miyoshi, O. Shimomura, T. Kikegawa

    High Pressure Research   15 ( 5 )   307 - 319   1996年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1080/08957959708240478

    Web of Science

    その他リンク： https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/08957959708240478

  • Thermoelectric generation and related properties of conventional type module based on Si-Ge alloy 査読あり 国際誌

    M. Kobayashi, K. Ikoma, K. Furuya, K. Shinohara, Y. Imanishi, M. Miyoshi, T. Watanabe

    15th International Conference on Thermoelectrics - Proceedings ICT '96   373 - 377   1996年03月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/ICT.1996.553507

    Web of Science

    その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/553507

  • Thermal expansion studies of stishovite at 10.5 GPa using synchrotron radiation 査読あり 国際誌

    K. Suito, M. Miyoshi, A. Onodera, O. Shimomura, T. Kikegawa

    Physics of the Earth and Planetary Interiors   93 ( 3-4 )   215 - 222   1996年02月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

    DOI： 10.1016/0031-9201(95)03074-3

    Web of Science

    その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0031920195030743

  • Measurement of ultrasonic wave velocities in silica glass at high temperature and high pressure 査読あり 国際誌

    Kaichi Suito, Makoto Miyoshi

    AIP Conference Proceedings   309 ( 1 )   101 - 104   1994年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

    DOI： 10.1063/1.46282

    Web of Science

    その他リンク： https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.46282

  • Elastic properties of obsidian, vitreous SiO2, and vitreous GeO2 under high pressure up to 6 GPa 査読あり 国際誌

    K. Suito, M. Miyoshi, T. Sasakura, H. Fujisawa

    High Pressure Research: Application to Earth and Planetary Sciences   67   219 - 225   1992年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1029/GM067p0219

    その他リンク： https://agupubs.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1029/GM067p0219

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