論文 - 曾我　哲夫

MOCVD growth of III-V compounds on Si using strained superlattices 査読あり

S. Sakai, T. Soga, M. Takeyasu, M. Umeno

Mat. Res Soc. Symp. Proc.   67 ( 2 )   15 - 27   1986年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Epitaxial growth and material properties of GaAs on Si grown by MOCVD 査読あり

T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Umeno

J. Crystal Growth   77 ( 8 )   498 - 502   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

MOCVD growth of GaAs1-xPx (x=0-1) and fabrication of GaAs0.6P0.4 LED on Si substrate 査読あり

M. Takeyasu, S. Sakai, T. Soga, M. Umeno

Jpn. J. Appl. Phys   25 ( 9 )   1388 - 1392   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Deep levels in GaAs grown using superlattice intermediate layers on Si substrate by MOCVD 査読あり

T. Soga, S. Sakai, M. Umeno, S. Hattori

Jpn. J. Appl. Phys   25 ( 10 )   1510 - 1513   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Band gap energy and stress of GaAs grown on Si by MOCVD 査読あり

S. Sakai, T. Soga, M. Umeno

Jpn. J. Appl. Phys   25 ( 11 )   1680 - 1683   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

GaAlAs/GaAs TJS lasers on Si substrates operating at room temperature fabricated by MOCVD 査読あり

S. Sakai, X.W. Hu, T. Soga, M. Umeno

Jpn. J. Appl. Phys.   25 ( 12 )   1957 - 1958   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

MOCVD growth of GaAsP on Si (100) substrate with GaP and strained layer superlattice

M. Umeno, S. Sakai, M. Takeyasu, T. Soga

Proc. of Northeast Regional Meeting of The Metallugical Society   67 ( 2 )   207 - 217   1986年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

MOCVD growth of GaAs0.6P0.4 on Si substrate 査読あり

M. Takeyasu, T. Soga, S. Sakai, M. Umeno

Jpn. J. Appl. Phys   25 ( 4 )   L297 - L298   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si by MOCVD 査読あり

T. Soga, S. Sakai, M. Takeyasu, M. Umeno, S. Hattori

Inst. Phys. Conf. Ser.   48 ( 79 )   133 - 138   1986年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Room temperature operation of AlGaAs/GaAs DH lasers on Si grown entirely by MOCVD 査読あり

S. Sakai, T. Soga, M. Takeyasu, M. Umeno

Inst. Phys. Conf. Ser.   48 ( 79 )   751 - 752   1986年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Room-temperature laser operation of AlGaAs/GaAs double heterostructures fabricated by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

S. Sakai, T. Soga, M. Takeyasu, M. Umeno

Appl. Phys. Lett.   48 ( 6 )   413 - 414   1986年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of epitaxially grown GaAs on Si substrates with III-V compounds intermediate layers by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Takeyasu, M. Umeno

J. Appl. Phys.   57 ( 10 )   4578 - 4582   1985年05月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

AlGaAs/GaAs DH lasers on Si substrates grown using super lattice buffer layers by MOCVD 査読あり

S. Sakai, T. Soga, M. Takeyasu, M. Umeno

Jpn. J. Appl. Phys   24 ( 8 )   L666 - L668   1985年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

MOCVD growth of GaAs on Si substrates with AlGaP and strained superlattice layers 査読あり

T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Takeyasu, M. Umeno

Electron. Lett.   20 ( 22 )   916 - 918   1984年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

High temperature growth rate in MOCVD growth of AlGaAs 査読あり

T. Soga, Y. Takahashi, S. Sakai, M. Umeno

J. Crystal Growth   68 ( 22 )   169 - 175   1984年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Mechanism of MOCVD growth for GaAs and AlAs 査読あり

Y. Takahashi, T. Soga, S. Sakai, M. Umeno, S. Hattori

Jpn. J. Appl. Phys   23 ( 6 )   709 - 713   1984年06月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Solid Composition and growth rate of Ga1-xAlxAs grown epitaxially by MOCVD 査読あり

Y. Takahashi, T. Soga, S. Sakai, M. Umeno, S. Hattori

Jpn. J. Appl. Phys.   22 ( 9 )   1357 - 1360   1983年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）