論文 - 曾我 哲夫
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Direct evidence for self-annihilation of antiphase domains in GaAs/Si heterostructures 査読あり
O. Ueda, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Phys. Lett. 55 ( 5 ) 445 - 447 1989年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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High quality GaAs and GaP on Si with III-V alloy SLS buffer layers 査読あり
M. Umeno, T. Jimbo, T. Soga
J. Crystal Growth 98 ( 12 ) 188 - 194 1989年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Correlation between crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by MOCVD 査読あり
T. Egawa, S. Nozaki, N. Noto, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 148 ( 12 ) 273 - 278 1989年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Effects of growth temperature on MOCVD-grown GaAs-on-Si 査読あり
S. Nozaki, N. Noto, M. Okada, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 148 ( 12 ) 235 - 240 1989年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Growth of GaAs on Si using AlGaP intermediate layer 査読あり
N. Noto, S. Nozaki, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 148 ( 12 ) 247 - 252 1989年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Evaluation of anti-phase-boundaries in GaAs/Si heterostructures by transmission electron microscopy 査読あり
O. Ueda, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 148 ( 12 ) 267 - 272 1989年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Defect characterization of GaAs on Si grown by MOCVD 査読あり
T. Soga, S. Nozaki, N. Noto, H. Nishikawa, T. Jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 28 ( 12 ) 2441 - 2445 1989年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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プラズマ MOCVD 装置の開発と InP 薄膜結晶成長
梅野正義, 内藤正美, 鈴木孝之, 曽我哲夫, 神保孝志, 松本功, 加藤匡也
名古屋工業大学学報 40 183 - 189 1989年03月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）
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Junction characteristics of GaAs on Si for Solar Cell Application
T. Soga, T. Egawa, S. Nozaki, N. Noto, T. Jimbo and M. Umeno
Proceedings of 4th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 359 - 363 1989年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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MOCVD growth of GaAs on Si with strained layer superlattices 査読あり
T. Soga, T. Imori, M. Ogawa, T. Jimbo, M. Umeno
Inst. Phys. Conf. Ser. 27 ( 91 ) 335 - 338 1988年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Etching technique to reveal dislocations in thin GaAs films grown on Si substrate 査読あり
H. Nishikawa, T. Soga, N. Mikuriya, T. jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 2 ) L159 - L160 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Quality improvement of metalorganic chemical vapor deposition grown GaP on Si by AsH3 preflow 査読あり
Y. Kohama, K. Uchida, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Phys. Lett. 53 ( 10 ) 862 - 864 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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MOCVD growth and characterization of GaAs and GaP grown on Si substrates 査読あり
T. Soga, Y. Kohama, K. Uchida, M. Tajima, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 93 ( 11 ) 499 - 503 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Less hazardous MOCVD growth of InP using solid red-phosphorus and H2 plasma 査読あり
M. Naito, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 93 ( 11 ) 52 - 55 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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High quality GaP grown on Si substrates by MOCVD 査読あり
K. Uchida, Y. Kohama, M. Tajima, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 116 ( 11 ) 319 - 322 1988年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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シリコン上GaAsレーザー 査読あり
神保孝志、曽我哲夫、梅野正義
レーザー研究 16 ( 11 ) 70 - 75 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Selective MOCVD growth of GaAs on Si substrate with superlattice intermediate layers 査読あり
T. Soga, S. Sakai, M. Umeno, S. Hattori
Jpn. J. Appl. Phys 26 ( 2 ) 252 - 255 1987年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Stress and strain of GaAs on Si grown by MOCVD using strained superlattice intermediate layers and a two-step growth method 査読あり
T. Soga, T. Imori, M. Umeno, S. Hattori
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 5 ) L536 - L538 1987年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Heteroepitaxy of GaAs on Si by MOCVD 査読あり
T. Soga, T. Imori, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 91 ( 91 ) 69 - 72 1987年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Studies on III-V compound semiconductors on Si substrates grown by MOCVD 査読あり
Tetsuo Soga
1987年03月
記述言語：英語 掲載種別：学位論文（博士）
その他リンク： https://m-opac.nul.nagoya-u.ac.jp/webopac/YB03245908
