論文 - 曾我 哲夫
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Al0.22Ga0.78As/Si monolithic two-terminal tandem solar cell grown by MOCVD 査読あり
M. Umeno, Y. Azuma, T. Egawa, T Soga, T. Jimbo
Conference Record of the Twenty Third IEEE Photovoltaic Specialists Conference 741 - 746 1993年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Effects of thickness on dislocations in GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 32 ( 6A ) L767 - L769 1993年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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The effects of the growth parameters on the initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
T. Soga, T. Suzuki, M. Mori, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 132 ( 11A ) 134 - 140 1993年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrical properties of GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
T. Soga, T. Suzuki, M. Mori, Z.K.Jiang, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 132 ( 11A ) 414 - 418 1993年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of antiphase domain in GaP on misoriented (001) Si substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
T. Soga, H. Nishikawa, T. Jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 32 ( 11A ) 4912 - 4915 1993年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Phys. Lett. 63 ( 18 ) 2543 - 2545 1993年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Room-temperature cw operation of SQW lasers on Si grown with AlGaAs/AlGaP intermediate layer 査読あり
T. Egawa, Y. Hayashi, T. George, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Mat. Res Soc. Symp. Proc. 228 ( 4 ) 189 - 194 1992年04月
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Stress-free GaAs on Si by laser pulse irradiation 査読あり
M. Umeno , T. Soga, T. Jimbo
Jpn. J. Appl. Phys 31 ( 4 ) 1189 - 1190 1992年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Tilt deformation of metalorganic chemical vapor deposition grown GaP on Si substrate 査読あり
T. Suzuki, M. Mori, Z.K. Jiang, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 31 ( 61/ ) 2079 - 2084 1992年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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TEM characterization of the GaP/Si interface grown by MOCVD 査読あり
T. Soga, Z.K. Jiang, T. Suzuki, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Surf. Sci. 60 ( 61/ ) 380 - 384 1992年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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First demonstration of AlxGa1-xAs/Si monolithic tandem solar cell grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり
H. Shimizu, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 31 ( 8B ) L1150 - L1152 1992年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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赤外線加熱方式MOCVD装置の開発
梅野正義、鈴木孝之、曽我哲夫、神保 孝志
名古屋工業大学紀要 43 ( 4 ) 199 - 205 1992年03月
掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）
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First results of AlGaAs/Si monolithic 2-terminal tandem solar cellgrown by MOCVD 査読あり
M. Umeno, H. Shimizu, T. Egawa, T Soga, T. Jimbo
Conference Record of the Twenty Second IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1991. 361 - 364 1991年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Very low dislocation density GaAs on Si using superlattice grown by MOCVD 査読あり
T. Soga, H. Nishikawa, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 107 ( 11 ) 479 - 482 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Room temperature low threshold cw operation of MOCVD-grown AlGaAs/GaAs SQW lasers on Si substrate with SiO2 back-coating 査読あり
T. Egawa, H. Tada, Y. Kobayashi, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
J. Crystal Growth 107 ( 11 ) 757 - 760 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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T. Soga, T. George, T. Jimbo, M. Umeno, E. R. Weber
Appl. Phys. Lett. 58 ( 11 ) 1170 - 1172 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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T. Egawa, S. Nozaki, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Phys. Lett. 58 ( 12 ) 1265 - 1267 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Two-dimensional growth of GaP on Si substrates under high V/III ratio by metal organic vapor phase epitaxy 査読あり
M. Imaizumi, T. Saka, T. Jimbo, T. Soga, M. Umeno
Jpn. J. Appl. Phys 30 ( 3 ) 451 - 453 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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T. Soga, T. George, T. Suzuki, T. Jimbo, M. Umeno
Appl. Phys. Lett. 58 ( 19 ) 2108 - 2110 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Room-temperature continuous-wave operation of AlGaAs-GaAs single-quantum-well lasers on Si by metalorganic chemical-vapor deposition using AlGaAs-AlGaP intermediate layer 査読あり
T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno
IEEE J. Quantum Electron. 27 ( 6 ) 1798 - 1803 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
