論文 - 曾我 哲夫

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  • Initial stage of heteroepitaxial growth of compound semiconductor on Si substrate 査読あり

    T. Soga, T. George, T. Suzuki, T. Jimbo, M. Umeno

    Mat. Res Soc. Symp. Proc.   221 ( 12A )   155 - 160   1991年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Nucleation mechanisms for compound semiconductors grown on Si by MOCVD 査読あり

    T. Soga, T. George, T. Jimbo, M. Umeno

    J. Crystal Growth   115 ( 12A )   418 - 422   1991年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth mechanism of GaP on Si substrate by MOVPE 査読あり

    T. Suzuki, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    J. Crystal Growth   115 ( 12A )   158 - 163   1991年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effect of InGaAs/InP strained layer superlattice in InP-on-Si 査読あり

    H. Itakura, Z.K. Jiang, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    J. Crystal Growth   115 ( 12A )   154 - 157   1991年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Initial growth mechanism for GaAs and GaP on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

    T. Soga, T. George, T. Jimbo, M. Umeno

    Jpn. J. Appl. Phys.   30 ( 12A )   3471 - 3474   1991年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • MOCVD Growth and Evaluation of GaAs on p+n-Si and n+p-Si Substrates

    M. Umeno, F. Cai, T. Jimbo, T. Soga, D. Imanishi, H. Matsuo

    名古屋工業大学学報   42   137 - 141   1991年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)  

  • Improvement of GaAs metal-semiconductor field-effect transistors characteristics on SiO2 back-coated Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

    T. Egawa, S. Nozaki, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Jpn. J. Appl. Phys.   29 ( 12 )   L2417 - L2419   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High quality GaAs-on-Si by MOCVD with ternary alloys, AlGaP and AlGaAs 査読あり

    N. Noto, S. Nozaki, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Inst. Phys. Conf. Ser.   29 ( 106 )   117 - 122   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Effects of growth temperature and V/III ratio on MOCVD-grown GaAs-on-Si 査読あり

    S. Nozaki, N. Noto, T. Egawa, A. Wu, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Jpn. J. Appl. Phys   29 ( 1 )   138 - 144   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Low etch pit density GaAs on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

    T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Appl. Phys. Lett.   56 ( 15 )   1433 - 1435   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

    T. Egawa, S. Nozaki, N. Noto, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    J. Appl. Phys.   67 ( 11 )   6908 - 6913   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Room-temperature cw operation of AlGaAs/GaAs SQW lasers on Si substrate by MOCVD using AlGaAs/AlGaP intermediate layer 査読あり

    T. Egawa, Y. Kobayashi, Y. Hayashi, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Jpn. J. Appl. Phys   29 ( 7 )   L1133 - L1135   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Low-threshold continuous-wave room temperature operation of AlxGa1-xAs/GaAs single quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si substrate with SiO2 back coating 査読あり

    T. Egawa, H. Tada, Y. Kobayashi, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Appl. Phys. Lett.   57 ( 12 )   1179 - 1181   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Etch pit study of MOCVD-grown GaAs on Si with III-V compound intermediate layers 査読あり

    T. Soga, H. Nishikawa, S. Nozaki, N. Noto, T. Jimbo, M. Umeno

    Defect Control in Semiconductors   198 ( 12 )   1307 - 1311   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Defect reduction of GaAs on Si by alloy strained superlattice layer 査読あり

    M. Umeno, T. Jimbo, T. Soga

    Defect Control in Semiconductors   198 ( 12 )   1287 - 1294   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Nature and behavior of anti-phase-domains in GaAs/Si heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり

    O. Ueda, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Defect Control in Semiconductors   198 ( 12 )   1141 - 1146   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • TEM characterization of dislocations in GaAs-on-Si heterostructures with superlattice intermediate layer 査読あり

    T. Soga, H. Nishikawa, T. Jimbo, M. Umeno

    Mat. Res Soc. Symp. Proc.   198 ( 12 )   201 - 206   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Characteristics of MOCVD-grown AlGaAs/GaAs SQW lasers and GaAs MESFETs fabrication on Si substrate with SiO2-back coating 査読あり

    T. Egawa, H. Tada, Y. Kobayashi, S. Nozaki, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    Mat. Res Soc. Symp. Proc.   198 ( 12 )   141 - 146   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Characterization of MOCVD-grown GaAs/strained layer superlattices/GaP/Si heterostructures by transmission electron microscopy 査読あり

    O. Ueda, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

    J. Crystal Growth   106 ( 12 )   491 - 497   1990年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Etch pit observation of InP 査読あり

    H. Nishikawa, T. Soga, T. Jimbo, N. Mikuriya, M. Umeno

    Jpn. J. Appl. Phys.   28 ( 5 )   941 - 942   1989年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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