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電気・機械工学科 電気電子分野
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論文
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Concentrations Influence of Complexing Agents on the Physicochemical Properties of Chemical Bath Deposited n-type FeSxOy for Homostructure Solar Cell 査読あり 国際共著
A. A. Ariff, A. Supee, M. Ichimura, M. Z. Mohd Yusop, A. Abdul Jalil
Physica Status Solidi (a) 221 2400376 2024年10月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-dry deposition of SnO2 using Na2SnO3 and fabrication of SnO2/NiO transparent solar cells 査読あり
M. Ichimura, T. Okada, A. Fukuda, T. Li
J. Electron. Mater. 53 5265 - 5272 2024年09月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Low-temperature deposition of β-Ga2O3 thin films employing in situ pulsed laser-assisted RF sputtering system 査読あり 国際共著
Y.Y. Huh, C.H. Jo, M. Ichimura, J.H. Koh
Mat. Sci. Semicond. Proc. 179 108428 2024年08月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Enhanced soft piezoelectric properties of Sb2O3 doped 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 materials 査読あり 国際共著
T.W. Kim, G. Lee, M. Ichimura, J.H. Koh
J. Alloy Comp. 987 174163 2024年06月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Dip-dry deposition of semiconducting aluminum oxide-hydroxide thin films 査読あり
M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
Jpn. J. Appl. Phys. 63 018001 2024年01月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications 査読あり
Electron. Mater. 4 ( 4 ) 148 - 157 2023年11月
担当区分:筆頭著者, 責任著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-Dry Deposition of SnO2 Using a Complexing Agent and Fabrication of Heterojunctions with Co3O4 査読あり
T. Li, M. Ichimura
Materials 16 5273 2023年08月
担当区分:最終著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Low temperature processed CO2 laser-assisted RF-sputtered GaN thin film for wide bandgap semiconductors 査読あり 国際共著
S.-H. Kim, C.-H. Jo, M.-S. Bae, M. Ichimura and J.-H. Koh
J. Asian Ceramic Soc. 10 ( 1 ) 68 - 79 2023年01月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li
Solid St. Electron. 198 108479 2022年12月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-dry deposition of Ni(OH)2 precursors for fabrication of NiO thin films 査読あり
T. Li, T. Okada, M. Ichimura
Materials 15 4513 2022年07月
担当区分:責任著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
書籍等出版物
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太陽電池入門
市村正也( 担当: 単著)
オーム社 2012年04月 ( ISBN:978-4-274-21191-1 )
記述言語:日本語 著書種別:学術書
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工学系のための応用数学
市村正也, 森田良文( 担当: 共著)
森北出版 2018年09月 ( ISBN:978-4-627-08201-4 )
記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論
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高校化学からはじめる半導体
市村正也( 担当: 単著)
オーム社 2011年03月 ( ISBN:978-4-274-20996-3 )
記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論
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新インターユニバーシティ固体電子物性
-( 担当: 共著)
オーム社 2009年04月
記述言語:日本語
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新インターユニバーシティ半導体工学
-( 担当: 共著)
オーム社 2009年04月
記述言語:日本語
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インターユニバーシティ半導体工学
-( 担当: 共著)
オーム社 1999年04月
記述言語:日本語
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半導体物性工学
-( 担当: 共著)
朝倉書店 1990年04月
記述言語:日本語
MISC
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水素エネルギーと地球温暖化対策 査読あり
市村正也
日本の科学者 58 ( 3 ) 150 - 154 2023年03月
担当区分:筆頭著者 記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
その他リンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjsci/58/3/58_38/_article/-char/ja/
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太陽電池の研究は何を目指すべきか 査読あり
市村
日本の科学者 56 ( 6 ) 42 2021年06月
担当区分:筆頭著者 記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
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真空度測定のコツ 招待あり 査読あり
市村正也
応用物理 85 ( 6 ) 508 2016年06月
担当区分:筆頭著者 記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)
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真空技術のコツ
市村正也
応用物理 85 ( 1 ) 49 - 52 2016年01月
記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌) 出版者・発行元:応用物理学会
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真空技術超入門
市村正也
Journal of the Vacuum Society of Japan(真空) 58 ( 8 ) 273 - 281 2015年08月
記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌) 出版者・発行元:日本真空学会
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電気化学堆積法を用いたSnS 系ヘテロ接合太陽電池の開発
市村正也
高効率太陽電池-化合物・集光型・量子ドット型・Si・有機系・その他材料- 106 - 113 2012年05月
担当区分:筆頭著者 記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他) 出版者・発行元:NTS
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硫化物を用いた薄膜太陽電池
市村正也
月間ディスプレイ 17 ( 10 ) 41 - 46 2011年10月
担当区分:筆頭著者 記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア) 出版者・発行元:テクノタイムズ社
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薄膜シリコン太陽電池
市村正也
最新太陽電池技術の徹底検証・今後の展開 29 - 36 2008年11月
記述言語:日本語 掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他) 出版者・発行元:情報機構
講演・口頭発表等
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溶液を用いる半導体薄膜堆積 招待あり
市村正也
電気学会C部門電子材料研究会 2024年11月 電気学会
開催年月日: 2024年11月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(招待・特別)
開催地:大阪 国名:日本国
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Possibility of Doping in GaOOH 国際会議
M. Ichimura
Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月 Materials Research Society of Japan
開催年月日: 2023年12月
記述言語:英語 会議種別:ポスター発表
開催地:Kyoto 国名:日本国
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Dip-dry Deposition of Semiconducting Al-O Thin Films 国際会議
M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月 Materials Research Society of Japan
開催年月日: 2023年12月
記述言語:英語 会議種別:ポスター発表
開催地:Kyoto 国名:日本国
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Fe2O3-based pn junction solar cells with a Mg(OH)2 interface layer
M. Ichimura, R. Takayanagi
Symposium on Earth-Abundant Materials for Future Photovoltaics 2022年06月 École Polytechnique Fédérale de Lausanne
開催年月日: 2022年06月
記述言語:英語 会議種別:ポスター発表
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 国際会議
M. Tanaka, M. Ichimura
Material Research Meeting 2021
開催年月日: 2021年12月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
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Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunctions with Electrochemically Deposited ZnO 国際会議
T. Li, M. Ichimura
Material Research Meeting 2021
開催年月日: 2021年12月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
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Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 国際会議
M. KEIKHAEI, M. ICHIMURA
Materials Research Meeting 2019
開催年月日: 2019年12月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
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Fabrication of ZnO/Co3O4 Heterojunction by Electrochemical Deposition 国際会議
Y. TOMITA, M. ICHIMURA
Materials Research Meeting 2019
開催年月日: 2019年12月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
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Fe2O3-based pn junction solar cell fabricated by electrochemical deposition 国際会議
M. ICHIMURA, S. KOBAYASHI
Materials Research Meeting 2019
開催年月日: 2019年12月
記述言語:英語 会議種別:ポスター発表
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Fabrication of ZnO/NiO transparent solar cells by electrochemical deposition 国際会議
M. Koyama, M. Ichimura
7th Int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Matererials and Related Nanotechnology
開催年月日: 2019年06月
記述言語:英語 会議種別:ポスター発表
産業財産権
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光起電力素子およびその製造方法
川井正一、祖父江進、市村正也
出願番号:特願2013-171577 出願日:2013年11月
出願国:国内 取得国:国内
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Method for forming gold plating
Masaya Ichimura, Kanji Masui
出願番号:10/895498 出願日:2004年07月
公開番号:7641944B2 公開日:2010年03月
特許番号/登録番号:7641944 登録日:2010年01月 発行日:2010年01月
出願国:外国 取得国:外国
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光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
市村正也, 増井寛二
出願人:東海理化
出願番号:2004-210430 出願日:2004年07月
公開番号:2005-60828 公開日:2005年03月
特許番号/登録番号:4521228 登録日:2010年05月 発行日:2010年05月
出願国:国内 取得国:国内
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化合物半導体の製造方法及び製造装置
-市村正也,荒井英輔,後藤文孝
公開番号:2958448 公開日:1998年12月
出願国:国内 取得国:国内
受賞
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SEMI Silicon Wafer Committee, Technical Committee Award 2006
2006年04月 -
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受賞国:日本国
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Prof. Ramasamy National Award for Crystal Growth 2004
2004年04月 -
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