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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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外部リンク |
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市村 正也 (イチムラ マサヤ)
ICHIMURA Masaya
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論文
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Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications 査読あり
Electron. Mater. 4 ( 4 ) 148 - 157 2023年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-Dry Deposition of SnO2 Using a Complexing Agent and Fabrication of Heterojunctions with Co3O4 査読あり
T. Li, M. Ichimura
Materials 16 5273 2023年08月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Low temperature processed CO2 laser-assisted RF-sputtered GaN thin film for wide bandgap semiconductors 査読あり 国際共著
S.-H. Kim, C.-H. Jo, M.-S. Bae, M. Ichimura and J.-H. Koh
J. Asian Ceramic Soc. 10 ( 1 ) 68 - 79 2023年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li
Solid St. Electron. 198 108479 2022年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-dry deposition of Ni(OH)2 precursors for fabrication of NiO thin films 査読あり
T. Li, T. Okada, M. Ichimura
Materials 15 4513 2022年07月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC 査読あり
M. Kato, J. Di, Y. Ohkouchi, T. Mizuno, M. Ichimura, K. Kojima
Mater. Today Commun. 31 103648 2022年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of a Co3O4/ZnO Heterostructure by Electrochemical Deposition 査読あり 国際誌
M. Ichimura, Y. Tomita
Int. J. Electrochem. Sci. 16 ( 12 ) 211223 2021年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunction Solar Cells with Electrochemically Deposited ZnO 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 36 095030 2021年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Galvanostatic electrochemical deposition of Cu-doped Mg(OH)2 thin films and fabrication of p-n homojunction 査読あり 国際共著 国際誌
J. Kang, M. Keikhaei, T. Li, M. Ichimura
Mater. Res. Bull. 137 111207 2021年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of transparent Mg(OH)2 thin films by drop-dry deposition 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Materials 14 724 2021年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
書籍等出版物
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太陽電池入門
市村正也（ 担当： 単著）
オーム社 2012年04月 （ ISBN:978-4-274-21191-1 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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工学系のための応用数学
市村正也, 森田良文（ 担当： 共著）
森北出版 2018年09月 （ ISBN:978-4-627-08201-4 ）
記述言語：日本語 著書種別：教科書・概説・概論
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高校化学からはじめる半導体
市村正也（ 担当： 単著）
オーム社 2011年03月 （ ISBN:978-4-274-20996-3 ）
記述言語：日本語 著書種別：教科書・概説・概論
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新インターユニバーシティ半導体工学
-（ 担当： 共著）
オーム社 2009年04月
記述言語：日本語
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新インターユニバーシティ固体電子物性
-（ 担当： 共著）
オーム社 2009年04月
記述言語：日本語
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インターユニバーシティ半導体工学
-（ 担当： 共著）
オーム社 1999年04月
記述言語：日本語
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半導体物性工学
-（ 担当： 共著）
朝倉書店 1990年04月
記述言語：日本語
MISC
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水素エネルギーと地球温暖化対策 査読あり
市村正也
日本の科学者 58 ( 3 ) 150 - 154 2023年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jjsci/58/3/58_38/_article/-char/ja/
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太陽電池の研究は何を目指すべきか 査読あり
市村
日本の科学者 56 ( 6 ) 42 2021年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
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真空度測定のコツ 招待あり 査読あり
市村正也
応用物理 85 ( 6 ) 508 2016年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
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真空技術のコツ
市村正也
応用物理 85 ( 1 ) 49 - 52 2016年01月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌） 出版者・発行元：応用物理学会
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真空技術超入門
市村正也
Journal of the Vacuum Society of Japan（真空） 58 ( 8 ) 273 - 281 2015年08月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌） 出版者・発行元：日本真空学会
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電気化学堆積法を用いたSnS 系ヘテロ接合太陽電池の開発
市村正也
高効率太陽電池－化合物・集光型・量子ドット型・Si・有機系・その他材料－ 106 - 113 2012年05月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他） 出版者・発行元：NTS
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硫化物を用いた薄膜太陽電池
市村正也
月間ディスプレイ 17 ( 10 ) 41 - 46 2011年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア） 出版者・発行元：テクノタイムズ社
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薄膜シリコン太陽電池
市村正也
最新太陽電池技術の徹底検証・今後の展開 29 - 36 2008年11月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他） 出版者・発行元：情報機構
講演・口頭発表等
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Possibility of Doping in GaOOH 国際会議
M. Ichimura
Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月 Materials Research Society of Japan
開催年月日： 2023年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto 国名：日本国
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Dip-dry Deposition of Semiconducting Al-O Thin Films 国際会議
M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月 Materials Research Society of Japan
開催年月日： 2023年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto 国名：日本国
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Fe2O3-based pn junction solar cells with a Mg(OH)2 interface layer
M. Ichimura, R. Takayanagi
Symposium on Earth-Abundant Materials for Future Photovoltaics 2022年06月 École Polytechnique Fédérale de Lausanne
開催年月日： 2022年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 国際会議
M. Tanaka, M. Ichimura
Material Research Meeting 2021
開催年月日： 2021年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunctions with Electrochemically Deposited ZnO 国際会議
T. Li, M. Ichimura
Material Research Meeting 2021
開催年月日： 2021年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 国際会議
M. KEIKHAEI, M. ICHIMURA
Materials Research Meeting 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Fabrication of ZnO/Co3O4 Heterojunction by Electrochemical Deposition 国際会議
Y. TOMITA, M. ICHIMURA
Materials Research Meeting 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Fe2O3-based pn junction solar cell fabricated by electrochemical deposition 国際会議
M. ICHIMURA, S. KOBAYASHI
Materials Research Meeting 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Fabrication of ZnO/NiO transparent solar cells by electrochemical deposition 国際会議
M. Koyama, M. Ichimura
7th Int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Matererials and Related Nanotechnology
開催年月日： 2019年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Fabrication of p-type Transparent CuZnO Thin Films by the Electrochemical Deposition Method 国際会議
M. Keikhaei, M. Ichimura
7th Int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Matererials and Related Nanotechnology
開催年月日： 2019年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
産業財産権
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光起電力素子およびその製造方法
川井正一、祖父江進、市村正也
出願番号：特願2013-171577 出願日：2013年11月
出願国：国内 取得国：国内
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Method for forming gold plating
Masaya Ichimura, Kanji Masui
出願番号：10/895498 出願日：2004年07月
公開番号：7641944B2 公開日：2010年03月
特許番号/登録番号：7641944 登録日：2010年01月 発行日：2010年01月
出願国：外国 取得国：外国
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光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
市村正也, 増井寛二
出願人：東海理化
出願番号：2004-210430 出願日：2004年07月
公開番号：2005-60828 公開日：2005年03月
特許番号/登録番号：4521228 登録日：2010年05月 発行日：2010年05月
出願国：国内 取得国：国内
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化合物半導体の製造方法及び製造装置
-市村正也，荒井英輔，後藤文孝
公開番号：2958448 公開日：1998年12月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
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SEMI Silicon Wafer Committee, Technical Committee Award 2006
2006年04月 -
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受賞国：日本国
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Prof. Ramasamy National Award for Crystal Growth 2004
2004年04月 -
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