論文 - 江龍 修

分割表示  67 件中 41 - 60 件目  /  全件表示 >>
  • Direct Observation of the Solid-Phase Recrystallization of Self - Implanted Amorphous SiC Layer on (11-20), (1-100), and (0001) Oriented 6H-SiC 査読あり

    O. Eryu, D. Matsuo, K. Abe and K. Nakashima

    Mat. Sci. Forrum   389-393   pp. 843 - 846   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of Surface Treatments of 6H-SiC upon Metal-SiC Interfaces 査読あり

    K. Abe, M. Sumitomo, T. Sumi, O. Eryu, and K. Nakashima

    Mat. Sci. Forrum   389-393   pp. 909 - 912   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Impurity Activation in N+ Ion-Implanted 6H-SiC with Pulsed Laser Annealing Method

    O. Eryu, K. Aoyama, K. Abe, and K. Nakashima

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   640 ( 1 )   H5.31.1 - H5.31.6   2001年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • Positron Annihilation Study of Vacancy-Type Defects in Silicon Carbide Co-Implanted with Aluminum and Carbon Ions 査読あり

    T. Ohshima, A. Uedono, H. Abe, Z.Q.Chen, H. Itoh, M. Yoshikawa, K. Abe, O. Eryu, and K. Nakashima

    Physica   B308-310   pp. 652 - 655   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Correlation between Er-luminescent centers and defects in Si co-implanted with Er and O

    K. Nakashima, O. Eryu, H. Akiyama, Y. Maeda, and H. Ebisu

    Nucl. Inst. and Methods in Phys. Res.   B 175-177 ( 1 )   208 - 213   2001年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Copper Ohmic contacs to n-type SiC formed with pulsed excimer laser irradiation

    K. Abe, M. Sumitomo, O. Eryu, and K. Nakashima

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   680 ( 1 )   E9.20.1 - E9.20.5   2001年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • Explosive Crystallization of the Ion Implanted Amorphous SiC Layer 査読あり

    Osamu Eryu, Koutarou Aoyama, Koji Abe, and Kenshiro Nakashima

    extended abstracts '1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology   FED-171 ( 1 )   171   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • Novel deposition technique of Er-doped a-Si:H combining catalytic chemical vapor deposition and pulsed laser-ablation 査読あり

    Atsushi Masuda, Joe Sakai, Haruo Akiyama, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima, and Hideki Matsumura

    Journal of Non-Crystalline Solids   266-269 ( 1 )   136 - 140   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Mecano-Chemical Polishing of Silicon Carbide Single Crystal and Polished Surface Evaluation with CAICISS 査読あり

    J. Watanabe, T. Takehisa, O. Eryu, K. Nakashima, G. Yu, K. Yamamoto

    Proc. of the Third International Symposium on Advances in Abrasive Technology   ( 1 )   117 - 122   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • Boundary Conditions for Formation of Er-O Optical Centers in Er- and O - Coimplanted Si 査読あり

    Kenshiro Nakashima, Osamu Eryu, Akikazu Saito, Toshitake Nakata, and Masanori Watanabe

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research   B148   pp.517 - 522   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Formation of Tungsten Ohmic Contact on n-Type 6H-SiC by Pulsed Laser Processes

    K. Nakashima, O. Eryu, T. Kume, T. Nakata, and M. Inoue

    Materials Science Forum   264-268 ( 1 )   779 - 782   1998年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Formation of an Ohmic Electrode in SiC Using a Pulsed Laser Irradiation Method

    Osamu Eryu, Takayuki Kume, Kenshiro Nakashima, Toshitake Nakata, and Morio Inoue

    Nucl. Inst. and Methods in Phys. Res.   B 121 ( 1 )   419 - 421   1997年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Optical Centers and Oxygen in Er-ion implanted Silicon

    Kenshiro Nakashima, Osamu Eryu, Osamu Iioka, Toshitake Nakata, and Masanori Watanabe

    Nucl. Inst. and Methods in Phys. Res.   B127 ( 128/ )   475 - 478   1997年04月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Optical Centers Related to Laser-Doped Erbium in Silicon 査読あり

    K. Nakashima, O. Eryu, O. Iioka, H. Minami, and M. Watanabe

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   422 ( 128/ )   75 - 80   1996年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • シリコン中のEr不純物のレーザー・ドープと光物性 査読あり

    中嶋堅志郎、江龍 修

    応用物理   65 ( 11 )   1144 - 1148   1996年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Formation of a p-n Junction in Silicon Carbide by Aluminum Doping at Room Temperature Using a Pulsed Laser Doping Method 査読あり

    Osamu Eryu, Yasuo Okuyama, Kenshiro Nakashima, Toshitake Nakata, and Masanori Watanabe

    Appl. Phys. Lett   67 ( 14 )   2052 - 2053   1995年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Redistribution of Er atoms in Si during Laser Doping 査読あり

    Osamu ERYU and Kenshiro NAKASHIMA

    IONICS   20   pp.21 - 27   1994年07月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Oxide formation during flight of ablated fragments 査読あり

    Osamu Eryu, Kenji Yamaoka, and Kohzoh Masuda

    Nucl. Inst. and Methods in Phys. Res.   285 ( 14 )   57 - 61   1993年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

  • Strong wavelength dependence of laser ablation fragments of superconductor YBa2Cu3Oy 査読あり

    Osamu Eryu, Kouichi Murakami, Kohzoh Masuda, Kazuhiko Shihoyama, and Takayasu Mochizuki

    Jpn. J. Appl. Phys   31 ( 14 )   L86 - L88   1992年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Novel method of laser ablation of YBa2Cu3Oy 査読あり

    Osamu Eryu, Kenji Yamaoka, Kouichi Murakami, and Kohzoh Masuda

    extended abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials   31 ( 14 )   438 - 440   1991年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

このページの先頭へ▲