論文 - 江龍 修

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  • The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface 査読あり

    Yayoi Tanaka, Takao Kanda, Kazuyuki Nagatoshi, Masamiichi Yoshimura and Osamu Eryu

    Materials Science Forum   717-720   569 - 572   2012年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • HVPE growth of AlN on trench patterned 6H-SiC substrates 査読あり 国際誌

    Kenta Okumura, Takuya Nomura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Osamu Eryu

    Phys. Status Solidi C   8 ( 2 )   467 - 469   2011年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201000584

    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201000584

  • 電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査 査読あり

    加藤正史、平田晃正、大原繁男、江龍 修、丸田章博

    電気学会論文誌A (基礎・材料・共通部門誌)   131 ( 8 )   635 - 636   2011年08月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    名工大と阪大の電気系学生の入学動機と教育意欲に関する論文

  • Characteristics of PMN-PZT ferroelectric electron emitters with three-dimensional emission sites formed by chemical etching 査読あり 国際誌

    Tomohiko Sugiyama, Iwao Ohwada, Tsutomu Nanataki, Yukihisa Moriguchi, Osamu Eryu, Masaya Ichimura, and Manabu Gomi

    Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures   29 ( 3 )   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.3592993 Authors:

  • 学習・教育目標を利用した要素別GPA分析による学習指導の試み(共著) 査読あり

    大原繁男、森田良文、平田晃正、加藤正史、江龍 修

    電気学会論文誌A   1 ( 130 )   123 - 124   2010年01月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Improvements in Electrical Properties of SiC Surface Using Mechano-Chemical Polishing 査読あり

    K. Hotta, K. Hirose, Y. Tanaka, K. Kawata and O. Eryu

    Materials Science Forum   600-603   823 - 826   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of the Surface Condition of the Substrates on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFETs 査読あり

    T. Ohshima, S. Onoda, T. Kamada, K. Hotta, K. Kawata and O. Eryu

    Materials Science Forum   600-603   615 - 617   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • SiC半導体基板の超平坦化研磨スラリーによる高付加価値研磨技術 査読あり

    堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修

    機械技術   56   p.30 - p33   2008年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Low-Temperature Growth of GaAs by Organometallic Vapor Phase Epitaxy Using TEGa and TBAs 査読あり

    Kenji Hidaka, Takashi Hiramatsu, Yoshikazu Terai, Osamu Eryu, and Yasufumi Fujiwara

    J. Society of Materials Science Japan   56   pp. 880 - 885   2007年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Significant Enhancement of Ferromagnetism in Zn1xCrxTe Doped with Iodine as an n-Type Dopant 査読あり

    Nobuhiko Ozaki, Nozomi Nishizawa, Ste´phane Marcet, Shinji Kuroda, Osamu Eryu, and Koˆki Takita

    Physical Review Letters   97   pp. 037201-1 - 037201-4   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Nanostructure formation of SiC using ion implantation and CMP 査読あり

    O. Eryu, K. Abe, N. Takemoto

    Nucl. Inst. Meth. Phys. Res   B242   pp. 237 - 239   2006年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Optical Emission Characteristics of Ablation Plasma Plumes during the Laser-Etching Process of CdTe 査読あり

    K. Abe, O. Eryu, S. Nakashima, M. Terai, M. Kubo, M. Niraula, and K. Yasuda

    J. Electro. Mat.   34   pp.1428 - 1431   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • n-Type Doping Characteristics of O-Implanted AlGaN 査読あり

    Yoshitaka Nakano, Osamu Fujishima, Tetsu Kachi, Koji Abe, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima, and Takashi Jimbo

    J. Electrochem. Soc.   151   pp.G801 - G804   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Correlation between O/Er Content Ratio and Photoluminescence Intensity of (Er,O)-Doped Hydrogenated Amorphous Si Thin Films Prepared by a Catalytic Chemical Vapor Deposition/Laser Ablatin Hybrid Process 査読あり

    Joe Sakai, Atsushi Masuda, Haruo Akiyama, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima, and Hideki Matsumura

    Jpn. J. Appl. Phys   43   pp.4198 - 4201   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Nd-Fe-B Thin Films with Perperndicular Magnetic Anisotropy and High Coercivity Prepared by Pulsed Laser Annealing 査読あり

    T. Okuda, A. Sugimura, O. Eryu, L. K. E. B. Serrona, N. Adachi, I. Sakamoto and A. Nakanishi

    Jpn. J. Appl. Phys   42   pp. 6859 - 6864   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electrical properties of high-dose nitrogen-implanted and rapid thermal annealed 6H-SiC 査読あり

    K. Abe, O. Eryu, O. Kogi, and K. Nakashima

    Nucl. Inst. Meth. Phys. Res   B206   pp. 960 - 964   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Kinetics of solid phase regrowth of self-ion-implanted amorphous SiC during low temperature furnace annealing 査読あり

    O. Eryu, K. Abe, K. Nakashima, and H. Harima

    Nucl. Inst. Meth. Phys. Res.   B206   pp. 969 - 973   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • T. Ohshima, A. Uedono, O. Eryu, K.K. Lee, K. Abe, H. Itoh, and K. Nakashima 査読あり

    T. Ohshima, A. Uedono, O. Eryu, K.K. Lee, K. Abe, H. Itoh, and K. Nakashima

    Mat. Sci. Forum   433-436   pp. 633 - 636   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • In-Situ Cleaning of 4H-SiC (0001) Surfaces by Using Pulsed Laser Irradiation 査読あり

    K Abe, O. Eryu, M. Sumitomo, Y. Kariya, M. Kato and K. Nakashima

    Jpn. J. Appl. Phys   42   pp.4241 - 4244   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • A New Type of SiC Gas Sensor with a pn - Junction Structure 査読あり

    K. Nakashima, Y. Okuyama, S. Ando, O. Eryu, K. Abe, H. Yokoi, and T. Oshima

    Mat. Sci. Forrum   389-393   pp. 1427 - 1430   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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