講演・口頭発表等 - 江龍 修
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SiC表面原子ステップが及ぼす電気特性評価 国際会議
田中 弥生、神田 隆生、永利 一幸、吉村 雅満、江龍 修
第20回 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 応用物理学会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウィンクあいち
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ペプチド自己組織化膜を用いたSiC(000-1)表面のナノ微細加工
川口 優作、永利 一幸、江龍 修
第20回 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 応用物理学会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウィンクあいち
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SiC True Nano構造形成技術開発
江龍 修
第12回4セラミックス研究機関（東工大-名工大-JFCC-NIMS）合同講演会 JFCC
開催年月日： 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：（財）ファインセラミックスセンター（名古屋市熱田区）・研修室
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The Atomic Step Induced by Off Angle Influences the Electrical Properties of the SiC Surface 国際会議
Yayoi Tanaka, Takao Kanda, Kazuyuki Nagatoshi, Masamichi Yoshimura, and Osamu Eryu
半導体国際会議 ICSCRM
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Cleveland Ohio・USA
SiC単結晶表面の原子ステップと電気特性
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表面原子ステップが及ぼす電気特性評価
田中弥生、神田隆生、永利一幸、吉村雅満、江龍修
第72回応用物理学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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省エネルギー、省電力のための半導体デバイスの先端加工技術 半導体デバイス加工総論
江龍 修
日本機械学会１１－８４講演会 日本機械学会
開催年月日： 2011年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：日本機械学会会議室（東京）
新規半導体のデバイス化における加工
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ＳｉＣ加工表面の非接触評価
江龍 修
応用物理学会結晶工学分科会第135回研究会 日本応用物理学会
開催年月日： 2011年06月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：京都テルサ
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電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響
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第70回応用物理学術講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響
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SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響
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SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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低速イオン注入がSiC表面に与える影響
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SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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化合物半導体基板のCMP技術の現状
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第39回結晶成長国内会議
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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表面粗さの異なる4H-SiC基板上に作製したMOSFETの電気特性分布 国際会議
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第56回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SiC基板両面同時メカノケミカルポリシング技術の開発
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第56回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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ラッピング工程が及ぼすSBDリーク特性評価
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第56回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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ウエットエッチングが及ぼすAl2O3(11-20)基板表面への影響
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第70回応用物理学術講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
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単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工
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第70回応用物理学術講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語
