Presentations -

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  • フェニルボロン酸を用いた糖センサの作製

    田中 弥生、神田 隆生、江龍 修

    第20回 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会  応用物理学会

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    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • SiC表面原子ステップが及ぼす電気特性評価 International conference

    田中 弥生、神田 隆生、永利 一幸、吉村 雅満、江龍 修

    第20回 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会  応用物理学会

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    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:ウィンクあいち  

  • SiC True Nano構造形成技術開発

    江龍 修

    第12回4セラミックス研究機関(東工大-名工大-JFCC-NIMS)合同講演会  JFCC

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    Event date: 2011.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:(財)ファインセラミックスセンター(名古屋市熱田区)・研修室  

  • The Atomic Step Induced by Off Angle Influences the Electrical Properties of the SiC Surface International conference

    Yayoi Tanaka, Takao Kanda, Kazuyuki Nagatoshi, Masamichi Yoshimura, and Osamu Eryu

    半導体国際会議  ICSCRM

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    Event date: 2011.09

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Cleveland Ohio・USA  

    SiC単結晶表面の原子ステップと電気特性

  • 表面原子ステップが及ぼす電気特性評価

    田中弥生、神田隆生、永利一幸、吉村雅満、江龍修

    第72回応用物理学術講演会  応用物理学会

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    Event date: 2011.08 - 2011.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:山形大学  

  • 省エネルギー、省電力のための半導体デバイスの先端加工技術 半導体デバイス加工総論

    江龍 修

    日本機械学会11-84講演会  日本機械学会

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    Event date: 2011.08

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:日本機械学会会議室(東京)  

    新規半導体のデバイス化における加工

  • SiC加工表面の非接触評価

    江龍 修

    応用物理学会結晶工学分科会第135回研究会  日本応用物理学会

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    Event date: 2011.06

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:京都テルサ  

  • 電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響

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    第70回応用物理学術講演会 

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    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響

    -

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会 

     More details

    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • 表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響

    -

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会 

     More details

    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • 低速イオン注入がSiC表面に与える影響

    -

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会 

     More details

    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • 化合物半導体基板のCMP技術の現状

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    第39回結晶成長国内会議 

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    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • 表面粗さの異なる4H-SiC基板上に作製したMOSFETの電気特性分布 International conference

    -

    第56回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2009.04

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • SiC基板両面同時メカノケミカルポリシング技術の開発

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    第56回応用物理学関係連合講演会 

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    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • ラッピング工程が及ぼすSBDリーク特性評価

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    第56回応用物理学関係連合講演会 

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    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • ウエットエッチングが及ぼすAl2O3(11-20)基板表面への影響

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    第70回応用物理学術講演会 

     More details

    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

  • 単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工

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    第70回応用物理学術講演会 

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    Event date: 2009.04

    Language:Japanese  

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