加藤 正史 (カトウ マサシ)

KATO Masashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
工学教育総合センター

職名

教授

ホームページ

http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/

外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 名古屋工業大学 )

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学  / 半導体材料工学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器  / 半導体デバイス工学

出身学校

  • 名古屋工業大学   工学部   電気情報工学科   卒業

    - 1998年03月

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    国名:日本国

出身大学院

  • 名古屋工業大学   工学研究科   電気情報工学専攻   博士課程   修了

    - 2003年03月

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    国名:日本国

  • 名古屋工業大学   工学研究科   電気情報工学専攻   修士課程   修了

    - 2000年03月

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    国名:日本国

学外略歴

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2009年08月 - 2009年10月

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    国名:リトアニア共和国

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2008年08月 - 2008年10月

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    国名:リトアニア共和国

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2010年08月 - 2010年09月

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    国名:リトアニア共和国

  • 名古屋大学   未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター   客員准教授

    2016年07月 - 2021年03月

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    国名:日本国

所属学協会

  • 第 18 回結晶成長国際会議(ICCGE-18)実行委員会(現地実行委員)

    2014年09月 - 2016年08月

  • 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

    2014年02月 - 2020年03月

  • 自動車技術会

    2013年01月 - 現在

  • GV(グリーンビークル)マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」

    2010年09月 - 2011年01月

  • IEEE

    2005年01月 - 2010年12月

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研究経歴

  • 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

    (選択しない)  

    研究期間: 2010年04月 - 現在

  • アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

    (選択しない)  

    研究期間: 2003年03月 - 2017年03月

  • 電気化学法による半導体の加工

    (選択しない)  

    研究期間: 2000年03月 - 現在

  • ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

    (選択しない)  

    研究期間: 1997年04月 - 現在

論文

  • Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 査読あり 国際共著 国際誌

    Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato

    Journal of Physics D: Applied Physics   57   305104-1 - 305104-7   2024年05月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/ad42ac

    DOI: 10.1088/1361-6463/ad42ac

  • Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV 査読あり 国際共著 国際誌

    Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Koji Nakayama, Ulrike Grossner

    Materials Science in Semiconductor Processing   179   108461-1 - 108461-8   2024年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108461

    DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108461

  • Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts 査読あり 国際誌

    Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 4 )   04SP71-1 - 04SP71-6   2024年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad32e0

  • Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane

    Materials Science in Semiconductor Processing   175   108264-1 - 108264-5   2024年02月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108264

    DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108264

  • Mitigation of carrier trapping effects on carrier lifetime measurements with continuous-wave laser illumination for Pb-based metal halide perovskite materials 査読あり 国際共著 国際誌

    Ntumba Lobo, Gebhard J. Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J. Brabec, Masashi Kato

    Journal of Applied Physics   135   074905-1 - 074905-7   2024年02月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0181654

    DOI: 10.1063/5.0181654

  • Effect of dislocations on carrier recombination and photoelectrochemical activity in polished and unpolished TiO2 and SrTiO3 crystals 査読あり 国際誌

    Endong Zhang, Mingxin Zhang, Masashi Kato

    Journal of Applied Physics   135   045102-1 - 045102-9   2024年01月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/5.0181625

    DOI: https://doi.org/10.1063/5.0181625

  • Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane

    Japanese Journal of Applied Physics   63   020804-1 - 020804-6   2024年01月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Carrier recombination in highly Al doped 4H-SiC: dependence on the injection conditions 査読あり 国際誌

    Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   63   011002-1 - 011002-5   2024年01月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad160c

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad160c

  • Unravelling material properties of halide perovskites by combined microwave photoconductivity and time-resolved photoluminescence spectroscopy 査読あり 国際共著 国際誌

    Christian Kupfer, Vincent M. Le Corre, Chaohui Li, Larry Luer, Karen Forberich, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec

    Journal of Materials Chemistry C   2023年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d3tc03867j

  • Surface recombination velocities for 4H–SiC: Dependence of excited carrier concentration and surface passivation 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han, Tomohisa Kato

    Materials Science in Semiconductor Processing   170   107980-1 - 107980-5   2023年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107980

    DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107980

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書籍等出版物

  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

    監修者 岩室 憲幸( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 第1編 第1章 第3節)

    (株)エヌ・ティー・エス  2022年02月 

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    総ページ数:414   担当ページ:31-38   記述言語:日本語   著書種別:一般書・啓蒙書

  • 薄膜の評価技術ハンドブック

    加藤 正史( 担当: 共編者(共編著者) ,  範囲: 第2章第4節第4項 DLTS法)

    株式会社テクノシステム  2013年01月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-

    加藤正史( 担当: 単著 ,  範囲: 第3章第4節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善)

    S&T出版  2012年10月  ( ISBN:978-4-907002-06-0

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=

    加藤 正史( 担当: 単著 ,  範囲: 第12章.SiCへの金属電極の形成方法)

    サイエンス&テクノロジー株式会社  2010年05月  ( ISBN:9784903413846

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

MISC

  • パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化

    加藤 正史

    セラミックス   55 ( 9 )   699 - 699   2020年09月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:書評論文,書評,文献紹介等  

    その他リンク: http://www.ceramic.or.jp/ihensyub/topics/topics2020.9.pdf

  • 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性:人工光合成 招待あり

    加藤 正史

    セラミックス 第54巻 1月号(2019年)   54 ( 1 )   36 - 39   2019年01月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

  • 人はなぜ研究者を続けることができるか

    加藤 正史

    応用物理   86 ( 6 )   505 - 506   2017年06月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  • SiC光陰極による人工光合成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング   62 ( 1 )   19 - 23   2017年01月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:化学工業社  

  • 半導体を用いた水素生成技術

    加藤 正史

    応用物理   85 ( 2 )   100 - 104   2016年02月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(国際会議プロシーディングズ)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

  • ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

    加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ

    日経エレクトロニクス   65 - 71   2014年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:日経BP社  

  • 世界初!「SiCと水から水素を製造!」

    加藤正史

    マテリアルステージ   ( 2月 )   64 - 66   2014年02月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:技術情報協会  

  • シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング   58 ( 10 )   7 - 11   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:化学工業社  

講演・口頭発表等

  • 高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合

    加藤 正史、田中 和裕

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果

    加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入

    リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 国際共著

    Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価

    古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価

    牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 人工光合成 -太陽光から燃料を作る夢の技術- 招待あり

    加藤 正史

    なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ~技術者と共に人類と地球の未来~  2023年12月  名古屋市

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  • エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果

    渡邉 王雅, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会 第10回講演会  2023年12月  公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ANAクラウンプラザホテル金沢  

  • HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の光学・電気特性評価

    古橋 優, 石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会 第10回講演会  2023年12月  公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ANAクラウンプラザホテル金沢  

  • 4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスおよびキャリア寿命評価

    牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会 第10回講演会  2023年11月  公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ANAクラウンプラザホテル金沢  

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産業財産権

  • 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置

    加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史

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    出願番号:特願2018-104637  出願日:2018年05月

    特許番号/登録番号:19230941  登録日:2021年07月  発行日:2021年07月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤正史、市川尚澄

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    出願番号:特願2016-033015  出願日:2016年02月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄

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    出願番号:特願2015-076647  出願日:2015年04月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

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    出願番号:特願2015-014184  出願日:2015年01月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

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    出願番号:2014-227634  出願日:2014年11月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 界面抵抗を低減したSiC光電極およびその製造方法、ならびにSiC光電極を用いた水素製造装置

    加藤 正史, 長谷川 貴大

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    出願番号:2014-015515  出願日:2014年01月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体キャリアライフタイム測定方法

    加藤 正史,森 祐人

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    出願番号:2013-165683  出願日:2013年08月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美

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    出願番号:特願2013-051477  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤 正史,久保 真奈美,谷口 淳紀

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    出願番号:特願2013-051488  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

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    出願番号:特願2013-051469  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

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受賞

  • 永井技術賞

    2021年03月   永井科学技術財団   SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発

    加藤正史

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  • Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards

    2021年   IOP Publishing  

    Masashi Kato

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  • the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月   MRS-J  

    Masashi Kato

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)

    2014年04月   文部科学省  

    平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

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    受賞国:日本国

  • 安藤博記念学術奨励賞

    2010年06月   財団法人安藤研究所  

    加藤正史

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  • 電子情報通信学会学生研究奨励賞

    2003年06月   -  

    -

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    受賞国:日本国

  • Best Paper Award

    2003年02月   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

    Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:インド

 

委員歴

  • 中部エレクトロニクス振興会   顧問  

    2024年04月 - 現在   

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    団体区分:その他

  • 公益社団法人応用物理学会   代議員  

    2024年03月 - 2025年02月   

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    団体区分:学協会

  • ICSCRM2024   Technical Program Committee  

    2024年01月 - 2024年12月   

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    団体区分:学協会

  • SSDM2024   Technical Program Committee: Area4 Vice-chair  

    2024年01月 - 2024年12月   

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    団体区分:学協会

  • 24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024   Technical Program Committee Member  

    2023年10月 - 2024年09月   

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    団体区分:学協会

  • APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 programming committee  

    2023年06月 - 2024年05月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   応用物理学会 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員  

    2022年08月 - 2023年09月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会第9回講演会プログラム委員長  

    2022年01月 - 2022年12月   

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    団体区分:学協会

  • 戦略的基盤技術高度化支援事業にかかる「研究開発推進委員会」   アドバイザー  

    2019年09月 - 2023年03月   

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    団体区分:自治体

  • 応用物理学会   ISPlasma2019/IC-PLANTS2019プログラム委員  

    2018年04月 - 2019年03月   

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    団体区分:学協会

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