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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学科 電気電子分野
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教授 |
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外部リンク |
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加藤 正史 (カトウ マサシ)
KATO Masashi
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研究分野
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体材料工学
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 半導体デバイス工学
出身大学院
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名古屋工業大学 工学研究科 電気情報工学専攻 博士課程 修了
- 2003年03月
国名：日本国
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名古屋工業大学 工学研究科 電気情報工学専攻 修士課程 修了
- 2000年03月
国名：日本国
学外略歴
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ヴィリニュス大学 研究員
2009年08月 - 2009年10月
国名：リトアニア共和国
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ヴィリニュス大学 研究員
2008年08月 - 2008年10月
国名：リトアニア共和国
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ヴィリニュス大学 研究員
2010年08月 - 2010年09月
国名：リトアニア共和国
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名古屋大学 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター 客員准教授
2016年07月 - 2021年03月
国名：日本国
所属学協会
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第 18 回結晶成長国際会議（ICCGE-18）実行委員会（現地実行委員）
2014年09月 - 2016年08月
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文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員
2014年02月 - 2020年03月
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自動車技術会
2013年01月 - 現在
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GV（グリーンビークル）マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」
2010年09月 - 2011年01月
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IEEE
2005年01月 - 2010年12月
研究経歴
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単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
（選択しない）
研究期間： 2010年04月 - 現在
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アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
（選択しない）
研究期間： 2003年03月 - 2017年03月
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電気化学法による半導体の加工
（選択しない）
研究期間： 2000年03月 - 現在
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ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
（選択しない）
研究期間： 1997年04月 - 現在
論文
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: Impact of CoOx cocatalyst loading 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 136 205303-1 - 205303-5 2024年11月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation 査読あり 国際誌
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
Applied Physics Express 17 086503-1 - 086503-4 2024年08月
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Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 査読あり 国際共著 国際誌
Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato
Journal of Physics D: Applied Physics 57 305104-1 - 305104-7 2024年05月
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Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV 査読あり 国際共著 国際誌
Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Koji Nakayama, Ulrike Grossner
Materials Science in Semiconductor Processing 179 108461-1 - 108461-8 2024年05月
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Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts 査読あり 国際誌
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 4 ) 04SP71-1 - 04SP71-6 2024年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Materials Science in Semiconductor Processing 175 108264-1 - 108264-5 2024年02月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Mitigation of carrier trapping effects on carrier lifetime measurements with continuous-wave laser illumination for Pb-based metal halide perovskite materials 査読あり 国際共著 国際誌
Ntumba Lobo, Gebhard J. Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J. Brabec, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 074905-1 - 074905-7 2024年02月
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Effect of dislocations on carrier recombination and photoelectrochemical activity in polished and unpolished TiO2 and SrTiO3 crystals 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Mingxin Zhang, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 045102-1 - 045102-9 2024年01月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Japanese Journal of Applied Physics 63 020804-1 - 020804-6 2024年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier recombination in highly Al doped 4H-SiC: dependence on the injection conditions 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 63 011002-1 - 011002-5 2024年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
書籍等出版物
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パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術
加藤 正史（ 担当： 共著 , 範囲： 第2章、第3節 SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化）
（株）R&D支援センター 2024年11月
総ページ数：267 記述言語：日本語 著書種別：学術書
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監修者 岩室 憲幸（ 担当： 分担執筆 , 範囲： 第１編 第１章 第３節）
(株)エヌ・ティー・エス 2022年02月
総ページ数：414 担当ページ：31-38 記述言語：日本語 著書種別：一般書・啓蒙書
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薄膜の評価技術ハンドブック
加藤 正史（ 担当： 共編者(共編著者) , 範囲： 第2章第4節第4項 DLTS法）
株式会社テクノシステム 2013年01月
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向 －普及に向けたデバイスプロセスと実装技術－
加藤正史（ 担当： 単著 , 範囲： 第３章第４節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善）
S&T出版 2012年10月 （ ISBN:978-4-907002-06-0 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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ＳｉＣパワーデバイス最新技術 ＝次世代パワーエレクトロニクス＝
加藤 正史（ 担当： 単著 , 範囲： 第１２章．ＳｉＣへの金属電極の形成方法）
サイエンス＆テクノロジー株式会社 2010年05月 （ ISBN:9784903413846 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
MISC
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パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化
加藤 正史
セラミックス 55 ( 9 ) 699 - 699 2020年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：書評論文，書評，文献紹介等
その他リンク： http://www.ceramic.or.jp/ihensyub/topics/topics2020.9.pdf
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高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性：人工光合成 招待あり
加藤 正史
セラミックス 第54巻 1月号（2019年） 54 ( 1 ) 36 - 39 2019年01月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌） 出版者・発行元：日本セラミックス協会
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人はなぜ研究者を続けることができるか
加藤 正史
応用物理 86 ( 6 ) 505 - 506 2017年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語
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SiC光陰極による人工光合成
加藤 正史
ケミカルエンジニヤリング 62 ( 1 ) 19 - 23 2017年01月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア） 出版者・発行元：化学工業社
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半導体を用いた水素生成技術
加藤 正史
応用物理 85 ( 2 ) 100 - 104 2016年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ） 出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会
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ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去
加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ
日経エレクトロニクス 65 - 71 2014年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア） 出版者・発行元：日経BP社
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世界初！「SiCと水から水素を製造！」
加藤正史
マテリアルステージ ( 2月 ) 64 - 66 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア） 出版者・発行元：技術情報協会
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シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成
加藤 正史
ケミカルエンジニヤリング 58 ( 10 ) 7 - 11 2013年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア） 出版者・発行元：化学工業社
講演・口頭発表等
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HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の深い準位の評価
古橋 優, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ドメイン制御エピタキシャル成長による 3C-SiC 光陰極性能向上
加藤 正史, Rho Kongshik, 藤田 隼
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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1 CoOx 助触媒担持による TiO2および SrTiO3単結晶におけるキャリア再結合に及ぼす影響
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスを用いた再結合過程の評価
牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ヘリウムイオン注入による SiC 積層欠陥拡張抑制
Li Tong, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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溝形成した 4H-SiC 基板上の 3C-SiC/4H-SiC 積層エピ層に対するラマン分光法を用いたポリタ イプ比率分析
長谷川 拓裕, 長澤 弘幸, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: impact of CoOx cocatalyst loading 国際会議
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
the 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) 2024年11月
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Numazu 国名：日本国
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) M 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024年10月
開催年月日： 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
国名：大韓民国
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers 国際会議
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer 国際会議
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
産業財産権
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半導体装置および半導体装置の製造方法
坂根 仁、加藤 正史、原田 俊太
出願人：住重アテックス株式会社
出願番号：特願2024-103863 出願日：2024年06月
公表番号：特開2024-114877 公表日：2024年08月
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前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史
出願番号：特願2018-104637 出願日：2018年05月
特許番号/登録番号：19230941 登録日：2021年07月 発行日：2021年07月
出願国：国内 取得国：国内
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤正史、市川尚澄
出願番号：特願2016-033015 出願日：2016年02月
出願国：国内 取得国：国内
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄
出願番号：特願2015-076647 出願日：2015年04月
出願国：国内 取得国：国内
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
出願番号：特願2015-014184 出願日：2015年01月
出願国：国内 取得国：国内
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高変換効率ＳｉＣ光電極
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
出願番号：2014-227634 出願日：2014年11月
出願国：国内 取得国：国内
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界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置
加藤 正史, 長谷川 貴大
出願番号：2014-015515 出願日：2014年01月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体キャリアライフタイム測定方法
加藤 正史,森 祐人
出願番号：2013-165683 出願日：2013年08月
出願国：国内 取得国：国内
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美
出願番号：特願2013-051477 出願日：2013年03月
出願国：国内 取得国：国内
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀
出願番号：特願2013-051488 出願日：2013年03月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
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永井技術賞
2021年03月 永井科学技術財団 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
加藤正史
受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞 受賞国：日本国
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Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
2021年 IOP Publishing
Masashi Kato
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
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the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
2014年10月 MRS-J
Masashi Kato
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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文部科学大臣表彰科学技術賞（理解増進部門）
2014年04月 文部科学省
平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修
受賞国：日本国
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安藤博記念学術奨励賞
2010年06月 財団法人安藤研究所
加藤正史
受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞 受賞国：日本国
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電子情報通信学会学生研究奨励賞
2003年06月 -
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受賞国：日本国
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Best Paper Award
2003年02月 The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter
Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：インド
委員歴
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ICSCRM2025 Technical Program Committee
2025年01月 - 2025年12月
団体区分：学協会
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SSDM2025 Technical Program Committee: Area4 Vice-chair
2025年01月 - 2025年12月
団体区分：学協会
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ICSCRM2026組織委員会 ICSCRM2026組織委員会 委員
2024年08月 - 2029年09月
団体区分：学協会
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ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 programming committee Vice chair
2024年06月 - 2025年05月
団体区分：学協会
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中部エレクトロニクス振興会 顧問
2024年04月 - 現在
団体区分：その他
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公益社団法人応用物理学会 代議員
2024年03月 - 2025年02月
団体区分：学協会
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ICSCRM2024 Technical Program Committee
2024年01月 - 2024年12月
団体区分：学協会
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SSDM2024 Technical Program Committee: Area4 Vice-chair
2024年01月 - 2024年12月
団体区分：学協会
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24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 Technical Program Committee Member
2023年10月 - 2024年09月
団体区分：学協会
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APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 programming committee
2023年06月 - 2024年05月
団体区分：学協会