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Affiliation Department |
Department of Electrical and Mechanical Engineering
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Title |
Professor |
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KATO Masashi
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Research Areas
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials / 半導体材料工学
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment / 半導体デバイス工学
From School
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Nagoya Institute of Technology Faculty of Engineering Electrical and Computer Engineering Graduated
- 1998.03
Country：Japan
From Graduate School
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Nagoya Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering Electrical and Computer Engineering Doctor's Course Completed
- 2003.03
Country：Japan
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Nagoya Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering Electrical and Computer Engineering Master's Course Completed
- 2000.03
Country：Japan
External Career
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Vilnius University Researcher
2009.08 - 2009.10
Country：Lithuania
-
Vilnius University Researcher
2008.08 - 2008.10
Country：Lithuania
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ヴィリニュス大学 研究員
2010.08 - 2010.09
Country：Lithuania
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Nagoya University
2016.07 - 2021.03
Country：Japan
Professional Memberships
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第 18 回結晶成長国際会議（ICCGE-18）実行委員会（現地実行委員）
2014.09 - 2016.08
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文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員
2014.02 - 2020.03
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自動車技術会
2013.01
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GV（グリーンビークル）マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」
2010.09 - 2011.01
-
IEEE
2005.01 - 2010.12
Research Career
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単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
(not selected)
Project Year： 2010.04
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アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
(not selected)
Project Year： 2003.03 - 2017.03
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電気化学法による半導体の加工
(not selected)
Project Year： 2000.03
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ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
(not selected)
Project Year： 1997.04
Papers
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Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts Reviewed International journal
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 4 ) 04SP71-1 - 04SP71-6 2024.04
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate Reviewed International journal
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Materials Science in Semiconductor Processing 175 108264-1 - 108264-5 2024.02
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Mitigation of carrier trapping effects on carrier lifetime measurements with continuous-wave laser illumination for Pb-based metal halide perovskite materials Reviewed International coauthorship International journal
Ntumba Lobo, Gebhard J. Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J. Brabec, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 074905-1 - 074905-7 2024.02
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
DOI： 10.1063/5.0181654
DOI： 10.1063/5.0181654
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Effect of dislocations on carrier recombination and photoelectrochemical activity in polished and unpolished TiO2 and SrTiO3 crystals Reviewed International journal
Endong Zhang, Mingxin Zhang, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 045102-1 - 045102-9 2024.01
Authorship：Last author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective Reviewed International journal
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Japanese Journal of Applied Physics 63 020804-1 - 020804-6 2024.01
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Carrier recombination in highly Al doped 4H-SiC: dependence on the injection conditions Reviewed International journal
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 63 011002-1 - 011002-5 2024.01
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Unravelling material properties of halide perovskites by combined microwave photoconductivity and time-resolved photoluminescence spectroscopy Reviewed International coauthorship International journal
Journal of Materials Chemistry C 2023.12
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
DOI： 10.1039/d3tc03867j
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Surface recombination velocities for 4H–SiC: Dependence of excited carrier concentration and surface passivation Reviewed International journal
Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han, Tomohisa Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 170 107980-1 - 107980-5 2023.11
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Analysis of carrier recombination coefficients of 3C-and 6H-SiC: Insights into recombination mechanisms in stacking faults of 4H-SiC Reviewed International journal
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
AIP Advances 13 085220 2023.08
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
DOI： 10.1063/5.0157696
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Development of an angle detection system for channeling implantation to the c-axis of SiC using birefringence phenomenon Reviewed International journal
Masashi Kato, Takumi Maruhashi, Hisaya Sato, Yoshiyuki Yonezawa
62 068003-1 - 068003-3 2023.06
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
Books and Other Publications
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監修者 岩室 憲幸（ Role： Contributor , 第１編 第１章 第３節）
(株)エヌ・ティー・エス 2022.02
Total pages：414 Responsible for pages：31-38 Language：jpn Book type：General book, introductory book for general audience
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薄膜の評価技術ハンドブック
加藤 正史（ Role： Joint editor , 第2章第4節第4項 DLTS法）
株式会社テクノシステム 2013.01
Language：jpn Book type：Scholarly book
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ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向 －普及に向けたデバイスプロセスと実装技術－
加藤正史（ Role： Sole author , 第３章第４節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善）
S&T出版 2012.10 （ ISBN:978-4-907002-06-0 ）
Language：jpn Book type：Scholarly book
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ＳｉＣパワーデバイス最新技術 ＝次世代パワーエレクトロニクス＝
加藤 正史（ Role： Sole author , 第１２章．ＳｉＣへの金属電極の形成方法）
サイエンス＆テクノロジー株式会社 2010.05 （ ISBN:9784903413846 ）
Language：jpn Book type：Scholarly book
Misc
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パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化
加藤 正史
55 ( 9 ) 699 - 699 2020.09
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Book review, literature introduction, etc.
Other Link： http://www.ceramic.or.jp/ihensyub/topics/topics2020.9.pdf
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高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性：人工光合成 Invited
加藤 正史
54 ( 1 ) 36 - 39 2019.01
Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (scientific journal) Publisher：日本セラミックス協会
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人はなぜ研究者を続けることができるか
加藤 正史
86 ( 6 ) 505 - 506 2017.06
Authorship：Lead author Language：Japanese
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SiC光陰極による人工光合成
加藤 正史
62 ( 1 ) 19 - 23 2017.01
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：化学工業社
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半導体を用いた水素生成技術
加藤 正史
85 ( 2 ) 100 - 104 2016.02
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (international conference proceedings) Publisher：公益社団法人 応用物理学会
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ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去
加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ
65 - 71 2014.10
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：日経BP社
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世界初！「SiCと水から水素を製造！」
加藤正史
( 2月 ) 64 - 66 2014.02
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：技術情報協会
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シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成
加藤 正史
58 ( 10 ) 7 - 11 2013.10
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：化学工業社
Presentations
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高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合
加藤 正史、田中 和裕
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果
加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 International coauthorship
Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価
古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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人工光合成 －太陽光から燃料を作る夢の技術－ Invited
加藤 正史
なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ～技術者と共に人類と地球の未来～ 2023.12 名古屋市
Event date： 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：オンライン
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Evaluation of omnidirectional photoluminescence and carrier lifetime of 4H-SiC freestanding epilayers
2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Effects of H+ implantation into SiC substrates before epi growth on PiN diodes
2023.12
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Optical and electrical characterization on GaN epilayers on HVPE and OVPE substrates
2023.12
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Industrial Property Rights
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前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史
Application no：特願2018-104637 Date applied：2018.05
Patent/Registration no：19230941 Date registered：2021.07 Date issued：2021.07
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤正史、市川尚澄
Application no：特願2016-033015 Date applied：2016.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄
Application no：特願2015-076647 Date applied：2015.04
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：特願2015-014184 Date applied：2015.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：2014-227634 Date applied：2014.11
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置
加藤 正史, 長谷川 貴大
Application no：2014-015515 Date applied：2014.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体キャリアライフタイム測定方法
加藤 正史,森 祐人
Application no：2013-165683 Date applied：2013.08
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美
Application no：特願2013-051477 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀
Application no：特願2013-051488 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀
Application no：特願2013-051469 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
Awards
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永井技術賞
2021.03 永井科学技術財団 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
加藤正史
Award type：Award from publisher, newspaper, foundation, etc. Country：Japan
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Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
2021 IOP Publishing
Masashi Kato
Award type：Honored in official journal of a scientific society, scientific journal Country：Japan
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the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
2014.10 MRS-J
Masashi Kato
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc. Country：Japan
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文部科学大臣表彰科学技術賞（理解増進部門）
2014.04 文部科学省
平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修
Country：Japan
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安藤博記念学術奨励賞
2010.06 財団法人安藤研究所
加藤正史
Award type：Award from publisher, newspaper, foundation, etc. Country：Japan
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電子情報通信学会学生研究奨励賞
2003.06 -
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Country：Japan
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Best Paper Award
2003.02 The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter
Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc. Country：India
Committee Memberships
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公益社団法人応用物理学会 代議員
2024.03 - 2025.02
Committee type：Academic society
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ICSCRM2024 Technical Program Committee
2024.01 - 2024.12
Committee type：Academic society
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SSDM2024 Technical Program Committee: Area4 Vice-chair
2024.01 - 2024.12
Committee type：Academic society
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24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 Technical Program Committee Member
2023.10 - 2024.09
Committee type：Academic society
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APSPT-13/ISPlasma 2024/IC-PLANTS2024 programming committee
2023.06 - 2024.05
Committee type：Academic society
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応用物理学会 応用物理学会 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員
2022.08 - 2023.09
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会第9回講演会プログラム委員長
2022.01 - 2022.12
Committee type：Academic society
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戦略的基盤技術高度化支援事業にかかる「研究開発推進委員会」 アドバイザー
2019.09 - 2023.03
Committee type：Municipal
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応用物理学会 ISPlasma2019/IC-PLANTS2019プログラム委員
2018.04 - 2019.03
Committee type：Academic society
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応用物理学会 学術講演会プログラム委員
2017.04
Committee type：Academic society