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Affiliation Department |
Department of Electrical and Mechanical Engineering
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Professor |
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KATO Masashi
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Research Areas
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials / 半導体材料工学
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment / 半導体デバイス工学
From School
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Nagoya Institute of Technology Faculty of Engineering Electrical and Computer Engineering Graduated
- 1998.03
Country：Japan
From Graduate School
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Nagoya Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering Electrical and Computer Engineering Doctor's Course Completed
- 2003.03
Country：Japan
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Nagoya Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering Electrical and Computer Engineering Master's Course Completed
- 2000.03
Country：Japan
External Career
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Vilnius University Researcher
2009.08 - 2009.10
Country：Lithuania
-
Vilnius University Researcher
2008.08 - 2008.10
Country：Lithuania
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ヴィリニュス大学 研究員
2010.08 - 2010.09
Country：Lithuania
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Nagoya University
2016.07 - 2021.03
Country：Japan
Professional Memberships
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第 18 回結晶成長国際会議（ICCGE-18）実行委員会（現地実行委員）
2014.09 - 2016.08
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文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員
2014.02 - 2020.03
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自動車技術会
2013.01
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GV（グリーンビークル）マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」
2010.09 - 2011.01
-
IEEE
2005.01 - 2010.12
Research Career
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単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
(not selected)
Project Year： 2010.04
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アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
(not selected)
Project Year： 2003.03 - 2017.03
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電気化学法による半導体の加工
(not selected)
Project Year： 2000.03
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ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
(not selected)
Project Year： 1997.04
Papers
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Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation Reviewed International journal
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Toshiki Mii, Masashi Kato
Applied Physics Express 16 021001-1 - 021001-4 2023.02
Authorship：Last author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Effects of ion implantation process on defect distribution in SiC SJ-MOSFET Reviewed International journal
Takuya Fukui, Tatsuya Ishii, Takeshi Tawara, Kensuke Takenaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 62 016508-1 - 016508-6 2023.01
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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4H-SiC Auger recombination coefficient under the high injection condition Reviewed International journal
Japanese Journal of Applied Physics 62 SC1017-1 - SC1017-4 2023.01
Authorship：Last author, Corresponding author Publisher：IOP Publishing
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Vascular endothelium as a target tissue for short-term exposure to low-frequency noise that increases cutaneous blood flow Reviewed International journal
Yuqi Deng, Nobutaka Ohgami, Takumi Kagawa, Fitri Kurniasari, Dijie Chen, Masashi Kato, Akira Tazaki, Masayo Aoki, Hiroki Katsuta, Keming Tong, Yishuo Gu, Masashi Kato
Science of The Total Environment 851 ( 1 ) 158828 2022.12
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Surface recombination velocities for the (100) and (001) crystal faces of bismuth vanadate single crystals Reviewed International journal
Endong Zhang, Masashi Kato
Journal of Physics D: Applied Physics 56 025103-1 - 025103-5 2022.12
Authorship：Last author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Mechanochemical Synthesis of Cesium Titanium Halide Perovskites Cs2TiBr6-xIx (x = 0, 2, 4, 6) Reviewed International coauthorship International journal
Christian Kupfer, Jack Elia, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec
Crystal Research Technology 2200150-1 - 2200150-6 2022.11
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation Reviewed International journal
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada
Scientific Reports 12 18790 2022.11
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
DOI： 10.1038/s41598-022-23691-y
DOI： 10.1038/s41598-022-23691-y
Other Link： https://www.nature.com/articles/s41598-022-23691-y
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Trapping effects and surface/interface recombination of carrier recombination in single- or poly-crystalline metal halide perovskites Reviewed International coauthorship International journal
Ntumba Lobo, Takuya Kawane, Gebhard Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Christoph Brabec, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Masashi Kato
2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation Reviewed International journal
Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 153 107126-1 - 107126-5 2022.09
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
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Metal Organic Frameworks as Synthetic Precursors for SILAR: A Tale of Two Oxides Reviewed International coauthorship International journal
Noseung Myung, Kongshik Rho, Eun Bee Shon, Tae Wan Park, Soo Yeon Kim, Masashi Kato, Krishnan Rajeshwar
ECS Journal of Solid State Science and Technology 11 093007 2022.09
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal)
Books and Other Publications
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監修者 岩室 憲幸（ Role： Contributor , 第１編 第１章 第３節）
(株)エヌ・ティー・エス 2022.02
Total pages：414 Responsible for pages：31-38 Language：jpn Book type：General book, introductory book for general audience
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薄膜の評価技術ハンドブック
加藤 正史（ Role： Joint editor , 第2章第4節第4項 DLTS法）
株式会社テクノシステム 2013.01
Language：jpn Book type：Scholarly book
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ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向 －普及に向けたデバイスプロセスと実装技術－
加藤正史（ Role： Sole author , 第３章第４節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善）
S&T出版 2012.10 （ ISBN:978-4-907002-06-0 ）
Language：jpn Book type：Scholarly book
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ＳｉＣパワーデバイス最新技術 ＝次世代パワーエレクトロニクス＝
加藤 正史（ Role： Sole author , 第１２章．ＳｉＣへの金属電極の形成方法）
サイエンス＆テクノロジー株式会社 2010.05 （ ISBN:9784903413846 ）
Language：jpn Book type：Scholarly book
Misc
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パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化
加藤 正史
55 ( 9 ) 699 - 699 2020.09
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Book review, literature introduction, etc.
Other Link： http://www.ceramic.or.jp/ihensyub/topics/topics2020.9.pdf
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高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性：人工光合成 Invited
加藤 正史
54 ( 1 ) 36 - 39 2019.01
Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (scientific journal) Publisher：日本セラミックス協会
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人はなぜ研究者を続けることができるか
加藤 正史
86 ( 6 ) 505 - 506 2017.06
Authorship：Lead author Language：Japanese
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SiC光陰極による人工光合成
加藤 正史
62 ( 1 ) 19 - 23 2017.01
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：化学工業社
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半導体を用いた水素生成技術
加藤 正史
85 ( 2 ) 100 - 104 2016.02
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (international conference proceedings) Publisher：公益社団法人 応用物理学会
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ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去
加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ
65 - 71 2014.10
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：日経BP社
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世界初！「SiCと水から水素を製造！」
加藤正史
( 2月 ) 64 - 66 2014.02
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：技術情報協会
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シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成
加藤 正史
58 ( 10 ) 7 - 11 2013.10
Authorship：Lead author Language：Japanese Publishing type：Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media) Publisher：化学工業社
Presentations
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Effects of polishing on carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals Invited International conference
Masashi Kato
E-MRS 2023 Spring Meeting 2023.05
Event date： 2023.05 - 2023.06
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
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[15a-A301-5] 集光した偏光レーザーを用いたSiC内部の転位の3次元観測
佐藤 寿弥、加藤 智久、原田 俊太、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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[17p-A301-2] HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違
石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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[16p-A301-10] 偏光を用いたチャネリングイオン注入の角度検出
丸橋 拓実、佐藤 寿弥、米澤 喜幸、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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[16p-PA04-1] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価
今林 弘毅、澤崎 仁施、吉村 遥翔、伊藤 夏輝、加藤 正史、塩島 謙次
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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[17a-A408-4] TiO2およびSrTiO3単結晶のキャリア再結合に表面研磨処理が及ぼす影響
張 銘鑫、張 恩棟、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.03
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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SiCパワーデバイスへの水素イオン注入と転位運動抑制
加藤 正史
日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 11回研究会「パワー関連半導体の将来展望」 2023.03 日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会
Event date： 2023.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：ZoomによるWEB研究会(ハイブリッド開催), 東京大学生産技術研究所An棟401,402会議室
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SiC epi / sub 界面付近へのプロトン注入による信頼性向上技術 Invited
加藤正史
SiCアライアンス技術・普及WG第6回会議 2023.02
Event date： 2023.02
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
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Excitation dependence of surface recombination velocities for oxidized 4H-SiC
2022.12
Event date： 2022.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Angular detection for channeling ion implantation by optical techniques
2022.12
Event date： 2022.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Industrial Property Rights
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前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史
Application no：特願2018-104637 Date applied：2018.05
Patent/Registration no：19230941 Date registered：2021.07 Date issued：2021.07
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤正史、市川尚澄
Application no：特願2016-033015 Date applied：2016.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄
Application no：特願2015-076647 Date applied：2015.04
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：特願2015-014184 Date applied：2015.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：2014-227634 Date applied：2014.11
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置
加藤 正史, 長谷川 貴大
Application no：2014-015515 Date applied：2014.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体キャリアライフタイム測定方法
加藤 正史,森 祐人
Application no：2013-165683 Date applied：2013.08
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美
Application no：特願2013-051477 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀
Application no：特願2013-051469 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀
Application no：特願2013-051488 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
Awards
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永井技術賞
2021.03 永井科学技術財団 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
加藤正史
Award type：Award from publisher, newspaper, foundation, etc. Country：Japan
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Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
2021 IOP Publishing
Masashi Kato
Award type：Honored in official journal of a scientific society, scientific journal Country：Japan
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the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
2014.10 MRS-J
Masashi Kato
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc. Country：Japan
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文部科学大臣表彰科学技術賞（理解増進部門）
2014.04 文部科学省
平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修
Country：Japan
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安藤博記念学術奨励賞
2010.06 財団法人安藤研究所
加藤正史
Award type：Award from publisher, newspaper, foundation, etc. Country：Japan
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電子情報通信学会学生研究奨励賞
2003.06 -
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Country：Japan
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Best Paper Award
2003.02 The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter
Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc. Country：India
Committee Memberships
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応用物理学会 応用物理学会 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員
2022.08 - 2023.09
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会第9回講演会プログラム委員長
2022.01 - 2022.12
Committee type：Academic society
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応用物理学会 ISPlasma2019/IC-PLANTS2019プログラム委員
2018.04 - 2019.03
Committee type：Academic society
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応用物理学会 学術講演会プログラム委員
2017.04
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会第４回講演会実行委員長
2016.12 - 2017.11
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会幹事
2016.04 - 2020.03
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会庶務幹事
2014.01 - 2014.12
Committee type：Academic society
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応用物理学会 先進パワー半導体分科会第１回講演会実行委員
2013.12 - 2014.11
Committee type：Academic society
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応用物理学会 ICSCRM2013プログラム委員
2012.11 - 2013.10
Committee type：Academic society
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応用物理学会 国際固体素子・材料コンファレンス論文委員
2011.12 - 2014.12
Committee type：Academic society