産業財産権 - 加藤　正史

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  • 炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法

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    出願番号：P110487NAQ  出願日：2001年10月

    出願国：国内   取得国：国内

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