産業財産権 - 加藤　正史

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  • 半導体装置および半導体装置の製造方法

    坂根 仁、加藤 正史、原田 俊太

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    出願人：住重アテックス株式会社

    出願番号：特願2024-103863  出願日：2024年06月

    公表番号：特開2024-114877  公表日：2024年08月

  • 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置

    加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史

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    出願番号：特願2018-104637  出願日：2018年05月

    特許番号/登録番号：19230941  登録日：2021年07月  発行日：2021年07月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤正史、市川尚澄

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    出願番号：特願2016-033015  出願日：2016年02月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤　正史,長谷川　貴大,市川　尚澄

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    出願番号：特願2015-076647  出願日：2015年04月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

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    出願番号：特願2015-014184  出願日：2015年01月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 高変換効率ＳｉＣ光電極

    加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

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    出願番号：2014-227634  出願日：2014年11月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置

    加藤　正史, 長谷川　貴大

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    出願番号：2014-015515  出願日：2014年01月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 半導体キャリアライフタイム測定方法

    加藤　正史,森　祐人

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    出願番号：2013-165683  出願日：2013年08月

    出願国：国内   取得国：国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美

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    出願番号：特願2013-051477  出願日：2013年03月

    出願国：国内   取得国：国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀

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    出願番号：特願2013-051488  出願日：2013年03月

    出願国：国内   取得国：国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

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    出願番号：特願2013-051469  出願日：2013年03月

    出願国：国内   取得国：国内

  • アクティブノイズコントロールシステムおよびそれらに用いられる電子回路

    加藤正史、山中星良

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    出願番号：特願2013-014367  出願日：2013年01月

    出願国：国内   取得国：国内

  • アクティブノイズコントロールシステムおよびそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤　正史、兵藤　樹

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    出願番号：特願2013-010334  出願日：2013年01月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 光触媒用シリコンカーバイドおよびこれを用いた光触媒反応方法

    加藤正史、安田智成

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    出願番号：2012-177231  出願日：2012年08月

    出願国：国内   取得国：国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、谷口淳紀

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    出願番号：2012-010991  出願日：2012年01月

    出願国：国内   取得国：国内

  • ショットキーダイオードおよびその製造方法

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    出願番号：2010-20444  出願日：2010年02月

    出願国：国内   取得国：国内

  • アクティブノイズコントロールシステム用アナログ集積回路

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    出願番号：2006-251828  出願日：2006年09月

    特許番号/登録番号：5200239  登録日：2013年02月  発行日：2013年02月

    出願国：国内   取得国：国内

  • アクティブノイズキャンセリングシステム用アナログ電子回路

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    出願番号：2006-031840  出願日：2006年02月

    出願国：国内   取得国：国内

  • サンプルホールド回路

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    出願番号：2005-32503  出願日：2005年02月

    特許番号/登録番号：4779113  登録日：2011年07月  発行日：2011年07月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 炭化ケイ素への電極形成方法、電極形成装置、電極を用いた半導体素子およびその製造方法

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    出願番号：PNE04-0006  出願日：2004年06月

    特許番号/登録番号：4810651  登録日：2011年09月  発行日：2011年09月

    出願国：国内   取得国：国内

  • 炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法

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    出願番号：P110487NAQ  出願日：2001年10月

    出願国：国内   取得国：国内

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