Industrial Property Rights - KATO Masashi

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  • 炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法

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    Application no：P110487NAQ  Date applied：2001.10

    Country of applicant：Domestic   Country of acquisition：Domestic

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