Industrial Property Rights - KATO Masashi
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半導体装置および半導体装置の製造方法
坂根 仁、加藤 正史、原田 俊太
Applicant：住重アテックス株式会社
Application no：特願2024-103863 Date applied：2024.06
Publication no：特開2024-114877 Date published：2024.08
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前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史
Application no：特願2018-104637 Date applied：2018.05
Patent/Registration no：19230941 Date registered：2021.07 Date issued：2021.07
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤正史、市川尚澄
Application no：特願2016-033015 Date applied：2016.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄
Application no：特願2015-076647 Date applied：2015.04
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：特願2015-014184 Date applied：2015.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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高変換効率ＳｉＣ光電極
加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄
Application no：2014-227634 Date applied：2014.11
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置
加藤 正史, 長谷川 貴大
Application no：2014-015515 Date applied：2014.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体キャリアライフタイム測定方法
加藤 正史,森 祐人
Application no：2013-165683 Date applied：2013.08
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美
Application no：特願2013-051477 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀
Application no：特願2013-051488 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀
Application no：特願2013-051469 Date applied：2013.03
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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アクティブノイズコントロールシステムおよびそれらに用いられる電子回路
加藤正史、山中星良
Application no：特願2013-014367 Date applied：2013.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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アクティブノイズコントロールシステムおよびそれに用いられるアナログ電子回路
加藤 正史、兵藤 樹
Application no：特願2013-010334 Date applied：2013.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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光触媒用シリコンカーバイドおよびこれを用いた光触媒反応方法
加藤正史、安田智成
Application no：2012-177231 Date applied：2012.08
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路
加藤正史、谷口淳紀
Application no：2012-010991 Date applied：2012.01
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ショットキーダイオードおよびその製造方法
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Application no：2010-20444 Date applied：2010.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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アクティブノイズコントロールシステム用アナログ集積回路
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Application no：2006-251828 Date applied：2006.09
Patent/Registration no：5200239 Date registered：2013.02 Date issued：2013.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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アクティブノイズキャンセリングシステム用アナログ電子回路
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Application no：2006-031840 Date applied：2006.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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サンプルホールド回路
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Application no：2005-32503 Date applied：2005.02
Patent/Registration no：4779113 Date registered：2011.07 Date issued：2011.07
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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炭化ケイ素への電極形成方法、電極形成装置、電極を用いた半導体素子およびその製造方法
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Application no：PNE04-0006 Date applied：2004.06
Patent/Registration no：4810651 Date registered：2011.09 Date issued：2011.09
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法
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Application no：P110487NAQ Date applied：2001.10
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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