講演・口頭発表等 - Ｎｉｒａｕｌａ　Ｍａｄａｎ

MOVPE Growth and Characterization of Iodine-Doped n-CdTe Layers on (211)Si Substrates Grown at High Substrate Temperatures 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, B. S. Chaudhari, R. Tamura, Y. Higashira, R. Torii, and Y. Agata

IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Sydney, Australia  

Advances in the Crystal Growth and Device Fabrication Techniques of Thick CdTe/Si Epitaxial Layers based Nuclear Radiation Detectors 招待あり 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, and Y. Agata

IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Sydney, Australia  

MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討

田村怜也、森拓郎、鳥居稜、東良悠喜、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

2018　第79回応用物理学会学秋季学術講演会  公益社団法人　応用物理学会

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開催年月日： 2018年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋国際会議場  

Development of X-ray Imaging Sensors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on Si Substrates 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, and Y. Agata

2018年第79回応用物理学会学秋季学術講演会  公益社団法人　応用物理学会

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開催年月日： 2018年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋国際会議場  

電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革

ニラウラ　マダン、平田　晃正、王　建青、 山田　学、 牛島　達、早川 伸哉

平成３０年度工学教育研究講演会、第66回年次大会   公益社団法人日本工学教育協会/東海工学教育協会

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開催年月日： 2018年08月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学  

MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のアニール処理の検討

森拓郎、小澤潤也、坪田眞太郎、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2018年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学、西早稲田キャンパス  

Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers 招待あり 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata

IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Atlanta, USA  

Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa , T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, and Y. Agata

IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Atlanta, USA  

MOVPE 法による(211)Si 上の CdTe 成長層の方位関係の検討

坪田眞太郎、小島將弘、北川翔三、小澤潤也、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地： パシフィコ横浜  

MOVPE 法による(211)Si 基板上の CdTe 層を用いた大面積放射線検出器アレイの作製

小澤潤也、 北川翔三、小島將弘、坪田眞太郎、山口大貴、安田和人、ニラウラ・マダン、安形保則

2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会   応用物理学会

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜  

ECR プラズマによる CdTe 結晶表面処理の検討

山口大貴、小島將弘、 北川翔三、小澤潤也、坪田眞太郎、 安形保則、ニラウラ　マダン、 安田和人

2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜  

Surface Processing of CdTe Crystals in H2/Ar Electron Cyclotron Resonance Plasma 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, 他

IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2016年10月 - 2016年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Strasbourg, France  

Recent Progress in CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma Detectors 招待あり 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, 他

IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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開催年月日： 2016年10月 - 2016年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Strasbourg, France  

Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas 国際会議

K. Yasuda, M. Niraula,他

The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials  The American Physical Society

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Baltimore, USA  

Characterization of (211) and (100) CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

K. Yasuda, M. Niraula,他

The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials  The American Physical Society

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Baltimore, USA  

MOVPE法による(211) Si基板上のCdTe層のフォトルミネッセンス特性

小島 將弘, 安田 和人, ニラウラ マダン, 他

2016年　秋季　第77回応用物理学会学秋季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2016年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：朱鷺メッセ（新潟コンベンションセンター）  

MOVPE法による(211)および(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性

北川 翔三、神野 悟、伊藤 祐葵、杉本 宗一郎、山崎 大輔、小島 將弘、坪田 眞太郎、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人

2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2016年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地： 東工大　大岡山キャンパス  

MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のエッチピット評価

坪田 眞太郎、杉本 宗一郎、伊藤 祐葵、山崎 大輔、神野 悟史、小島 將弘、北川 翔三、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則

2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2016年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地： 東工大　大岡山キャンパス  

MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性

小島 將弘、伊藤 祐葵、神野 悟史、杉本 宗一郎、山崎 大輔、北川 翔三、坪田 眞太郎、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則

2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2016年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東工大　大岡山キャンパス  

Study of CdTe Surface Processed with Hydrogen Bromide Based Etching Solution 国際会議

M. Niraula, K. Yasuda, Y. Ito, D. Yamazaki, S. Sugimoto, S. Kouno, S. Kitagawa, M. Kojima, and Y. Agata

IEEE 2015- 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors (RTSD)   IEEE

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：San Diego, USA