講演・口頭発表等 - Ｎｉｒａｕｌａ Ｍａｄａｎ
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Ko Misato, Masaya Ichimura and Madan Niraula
The International Conference on Materials, Energy, and Environments (ICMEE '24) 2024年09月 Discovery Conference, USA (Virtual conference)
開催年月日： 2024年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Virtual Confernce , USA time zone 国名：アメリカ合衆国
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Madan Niraula, Bal Singh Chaudhari, Ryo Okumura, Ikuei Torimoto
The International Conference on Materials, Energy, and Environments (ICMEE '24) 2024年09月 Discovery Conference, USA (Virtual conference)
開催年月日： 2024年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Virtual Confernce , USA time zone 国名：アメリカ合衆国
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低温液相プロセスによるSnO₂薄膜の作製と特性評価
三里康 ,ニラウラ マダン, 市村正也
2024年第85回応用物理学会 秋季学術講演会 2024年09月 応用物理学会
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ新潟 &オンライン 国名：日本国
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アニール処理によるヒ素ドープ CdTe 成長層の高正孔密度化の検討
奥村瞭、 三里康、鳥本倭久瑛、 ニラウラ・マダン
2024年 第71回応用物理学会 春季学術講演会 2024年03月 応用物理学会
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京都大学世田谷キャンパス＆ オンライン 国名：日本国
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空間制御されたハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶の育成と特性評価
丸山 泰世, 奥村 瞭, 近藤 稜真,ニラウラ マダン
2024年 第71回応用物理学会 春季学術講演会 2024年03月 応用物理学会
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京都大学世田谷キャンパス＆ オンライン 国名：日本国
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Developments in CdTe semiconductor detector materials for large-area X-ray gamma ray imaging 招待あり 国際会議
Madan Niraula, Ryo Okumura, Yutaka Takagi
The 12th International Symposium on Materials Science and Surface Technology 2023 (MSST 2023) 2023年10月 Materials and Surface Engineering Research Institute, Kanto Gaguin University
開催年月日： 2023年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地： Kannai Campus, Yokohama 国名：日本国
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Study of dislocations distribution in (211) CdTe/ Si epitaxial layer and their reduction methods 国際会議
Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula
International Conference on Thin Films and Nanotechnology-Knowledge, Leadership and Commercialization 2023年07月 Indian Institute of Technology Madras, India
開催年月日： 2023年07月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：IIT Madras, Chennai 国名：インド
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放射線検出器用大面積ハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶の育成
高木 優貴, 奥村 瞭，ニラウラ マダン
2022年 第83回応用物理学会 秋季学術講演会 2022年09月 応用物理学会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学・オンライン 国名：日本国
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Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique
Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula
2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
国名：日本国
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Growth and Characterization of Large Single-Crystal Lead Halide Perovskites for X-ray Detector Development 国際会議
M. Niraula, Y. Nakashima, Y. Takagi, R. Okumura, and K. Yasuda
European MRS Spring Meeting 2022, France Virtual Conference 2022年06月 European Material Research Society
開催年月日： 2022年05月 - 2022年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：online 国名：フランス共和国
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Growth and characterization of single-crystal lead halide perovskite for X-ray detector application 国際会議
MM. Islam, M. Niraula, Y. Nakashima, T. Matsubara, S. Hirano, Y. Takagi, and K. Yasuda
IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2021年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Virtual Conference (Yokohama, Japan) (New York USA timezone)
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Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, Y. Takagi, and S. Fuji
IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2021年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Virtual Conference (Yokohama, Japan) (New York USA timezone)
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Perovskite Single Crystal Growth for for X-ray Detector Application
MM. Islam, Y. Nakashima, T. Matsubara, S. Hirano, Y. Takagi, M. Niraula, K. Yasuda
2021年 第82回応用物理学会 秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン開催
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MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討
松原敏樹, 小林竜大, 後藤颯汰, 藤井成弥, 中島幸寛, 平野颯涼, ニラウラ マダン, 安田和人
2021年 第68回応用物理学会 春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン開催
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Evaluation of dislocation densities and their distribution in epitaxial (211)CdTe/Si
Bal Singh Chaudhari, Hayata Goto, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda
2021年 第68回応用物理学会 春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン開催
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Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, B. S. Chaudhari, H. Goto, T. Kobayashi, S. Fujii
IEEE-2020 The 27th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2020年10月 - 2020年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Virtual Conference (Boston, USA timezone)
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MOVPE法による(211)Si基板上のCdTe層の成長室内熱処理検討
藤井 成弥、田村 怜也、鳥居 稜、東良 悠喜、小林 竜大、後藤 颯汰、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人
第67回応用物理学会 春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学四谷キャンパス
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Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B. S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii, and Y. Agata
The 2019 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials American Physical Society
開催年月日： 2019年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chicago, USA
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MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [II]
東良 悠喜、森 拓郎、田村 怜也、鳥居 稜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人
2019年 第66回応用物理学会 春季学術講演会 公益財団法人 応用物理学会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [Ⅰ]
鳥居 稜、森 拓郎、田村 怜也、東良 悠喜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人
2019年 第66回応用物理学会 春季学術講演会 公益財団法人 応用物理学会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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MOVPE Growth and Characterization of Iodine-Doped n-CdTe Layers on (211)Si Substrates Grown at High Substrate Temperatures 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, B. S. Chaudhari, R. Tamura, Y. Higashira, R. Torii, and Y. Agata
IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sydney, Australia
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Advances in the Crystal Growth and Device Fabrication Techniques of Thick CdTe/Si Epitaxial Layers based Nuclear Radiation Detectors 招待あり 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, and Y. Agata
IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Sydney, Australia
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MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討
田村怜也、森拓郎、鳥居稜、東良悠喜、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人
2018 第79回応用物理学会学秋季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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Development of X-ray Imaging Sensors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on Si Substrates 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, and Y. Agata
2018年第79回応用物理学会学秋季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革
ニラウラ マダン、平田 晃正、王 建青、 山田 学、 牛島 達、早川 伸哉
平成３０年度工学教育研究講演会、第66回年次大会 公益社団法人日本工学教育協会/東海工学教育協会
開催年月日： 2018年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のアニール処理の検討
森拓郎、小澤潤也、坪田眞太郎、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人
2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学、西早稲田キャンパス
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Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers 招待あり 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata
IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Atlanta, USA
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Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa , T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, and Y. Agata
IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Atlanta, USA
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MOVPE 法による(211)Si 上の CdTe 成長層の方位関係の検討
坪田眞太郎、小島將弘、北川翔三、小澤潤也、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人
2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地： パシフィコ横浜
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MOVPE 法による(211)Si 基板上の CdTe 層を用いた大面積放射線検出器アレイの作製
小澤潤也、 北川翔三、小島將弘、坪田眞太郎、山口大貴、安田和人、ニラウラ・マダン、安形保則
2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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ECR プラズマによる CdTe 結晶表面処理の検討
山口大貴、小島將弘、 北川翔三、小澤潤也、坪田眞太郎、 安形保則、ニラウラ マダン、 安田和人
2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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Surface Processing of CdTe Crystals in H2/Ar Electron Cyclotron Resonance Plasma 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, 他
IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2016年10月 - 2016年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Strasbourg, France
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Recent Progress in CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma Detectors 招待あり 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, 他
IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) IEEE Nuclear and Plasma Science Society
開催年月日： 2016年10月 - 2016年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Strasbourg, France
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Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula,他
The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials The American Physical Society
開催年月日： 2016年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Baltimore, USA
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Characterization of (211) and (100) CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula,他
The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials The American Physical Society
開催年月日： 2016年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Baltimore, USA
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MOVPE法による(211) Si基板上のCdTe層のフォトルミネッセンス特性
小島 將弘, 安田 和人, ニラウラ マダン, 他
2016年 秋季 第77回応用物理学会学秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ（新潟コンベンションセンター）
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MOVPE法による(211)および(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性
北川 翔三、神野 悟、伊藤 祐葵、杉本 宗一郎、山崎 大輔、小島 將弘、坪田 眞太郎、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地： 東工大 大岡山キャンパス
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MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のエッチピット評価
坪田 眞太郎、杉本 宗一郎、伊藤 祐葵、山崎 大輔、神野 悟史、小島 將弘、北川 翔三、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地： 東工大 大岡山キャンパス
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MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性
小島 將弘、伊藤 祐葵、神野 悟史、杉本 宗一郎、山崎 大輔、北川 翔三、坪田 眞太郎、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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Study of CdTe Surface Processed with Hydrogen Bromide Based Etching Solution 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, Y. Ito, D. Yamazaki, S. Sugimoto, S. Kouno, S. Kitagawa, M. Kojima, and Y. Agata
IEEE 2015- 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors (RTSD) IEEE
開催年月日： 2015年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：San Diego, USA
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Characterization of Large-Area Spectroscopic Imaging Array Fabricated Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layer on Si Substrate 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, S. Kouno, S. Sugimoto, Y. Ito, D. Yamazaki, M. Kojima, S. Kitagawa, and Y. Agata
IEEE 2015- 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors (RTSD) IEEE
開催年月日： 2015年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Diego, USA
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HBr系エッチング液によるCdTe検出器の表面処理の検討
神野悟史、鈴木悠太、高井紀明、塚本雄大、松本雅彦、伊藤祐葵、杉本宗一郎、山崎大輔、北川翔三、小島將弘、安形保則、 マダン ニラウラ、安田和人
第６２回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究 ～ p-CdTe/n-CdTe/n+-Si ダイオードにおける輸送特性の検討 ～
松本雅彦、鈴木悠太、高井紀明、塚本雄大、伊藤祐葵、杉本宗一郎、神野悟史、山崎大輔、 安形保則、 マダン ニラウラ、安田和人
2014年 秋季 第75回応用物理学会学秋季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 札幌キャンパス
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MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つ X線・γ線画像検出器の開発 (III) 〜p+-Si 基板上のCdTe層を用いた検出器の特性〜
高井紀明、山下隼、和嶋悠人、 鈴木悠太、塚本雄大、塚本祐生、 松本雅彦、伊藤祐葵、神野悟史、杉本宗一郎、山崎大輔、 安形保則、 ニラウラ マダン、安田和人
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学相模原キャンパス
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Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, H. Yamashita, Y. Wajima, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, and Y. Agata
IEEE 国際会議 IEEE
開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Seoul. Korea
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Development of nuclear radiation detectors using thick single crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula, Y. Wajima, H. Yamashita, N. Takai, Y. Suzuki, M. Matsumoto, Y. Tsukamoto, Y. Tsukamoto , and Y. Agata
The 2013 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
開催年月日： 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chicago, USA
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Vapor-Phase Epitaxial Growth of Thick Single Crystal CdTe on Si Substrate for X-Ray, Gamma-Ray Spectroscopic Detector Development 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, H. Yamashita, Y. Wajima, Y. Tsukamoto, M. Matsumoto, Y. Suzuki, N. Takai, Y. Tsukamoto, and Y. Agata
16th International Conference on II-VI Compounds
開催年月日： 2013年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Ngahama, Japan
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Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates
M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, H. Yamashita, Y. Wajima, Y. Agata
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会 公益財団法人 応用物理学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XIII) 〜CdTe/Si成長層高品質大面積化の検討〜
山下隼， 近藤嵩輝，難波秀平, 村松慎也, 和嶋悠人, 鈴木悠太, 高井紀明, 塚本祐生, 塚本雄大, 松本雅彦, 安形保則， ニラウラ マダン，安田和人
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会 公益財団法人 応用物理学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XIII) 〜CdTe/Si成長層のアニール処理の検討
和嶋悠人, 近藤嵩輝，難波秀平, 村松慎也, 山下隼，鈴木悠太, 高井紀明, 塚本祐生, 塚本雄大, 松本雅彦, 安形保則， ニラウラ マダン，安田和人
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会 公益財団法人 応用物理学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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Post-Growth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrtaes by MOVPE 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, H. Yamashita, Y. Wajima, and Y. Agata
The 2012 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
開催年月日： 2012年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Seattle, USA
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MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrate for Nuclear Radiation Detector Development 国際会議
M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba, S. Muramatsu, T. Knodo, Y. Wajima, H. Yamashita, and Y. Agata
IEEE 2012- 19th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,
開催年月日： 2012年10月 - 2012年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Anaheim, California, USA
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MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜CdZnTe層成長と特性評価〜
難波秀平, 近藤嵩輝，村松慎也, 山下 隼，和嶋悠人，安形保則，Madan Niraula，安田和人
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 （社団）応用物理学会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学
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MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(II) 〜検出器アレイの放射線検出特性の検討〜
藤村直也、犬塚博章、舘 忠裕、藤村直也、近藤嵩輝、難波秀平、山下 隼、和嶋悠人、安形保則、マダン ニラウラ、安田和
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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“MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(I) 検出器アレイの作製
近藤嵩輝，犬塚博章，舘 忠裕，藤村直也，難波秀平，村松慎也，山下 隼，和嶋悠人，安形保則，マダン ニラウラ，安田和人
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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“MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜検出器アレイの暗電流特性(II)〜”
舘 忠裕，難波秀平，犬塚博章，藤村直也，近藤高輝，村松慎也，和嶋悠人，山下 隼，安形保則，マダン ニラウラ，安田和人
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜検出器アレイの暗電流特性(I)〜
難波秀平，舘 忠祐，犬塚博章，藤村直也，近藤嵩輝，村松慎也，山下 隼，和嶋悠人，安形保則，Madan Niraula，安田和人
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates 国際会議
1. M. Niraula, K. Yasuda, N. Fujimura, T. Tachi, H. Inuzuka, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, and Y. Agata
IEEE2011-第18回常温動作ｘ線γ線半導体検出器に関する国際ワークショップ IEEE Nuclear Plasma Science Society
開催年月日： 2011年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Valencia, Spain
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Dark Current Characteristics of Radiation Detector Array Developed Using MOVPE Grown Thick CdTe Layers on Si Substrate 国際会議
2. K. Yasuda, M. Niraula, N. Fujimura, T. Tachi, H. Inuzuka, S. Namba, S. Muramatsu, T. Kondo, and Y. Agata
2011年II-VI族半導体の物理及び化学に関する米国ワークショップ The American Physical Society
開催年月日： 2011年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chicago, USA
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Fabrication of Radiation Imaging Detector Arrays Using MOVPE Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate 国際会議
3. K. Yasuda, M. Niraula, T. Tachi, N. Fujimura, H. Inuzuka, T. Kondo, S. Namba, S. Muramatsu, and Y. Agata
第15回ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体に関する国際会議
開催年月日： 2011年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Mayan Riviera, Mexico
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MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発
舘 忠裕，犬塚 博章, 藤村 直也，近藤 嵩輝，難波 秀平，村松 慎也，安形 保則，ニラウラ マダン，安田 和人
電気情報通信学会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学
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2. MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(ＩＩ)～
藤村直也、ニラウラ マダン 他
２０１１年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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1. MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(I)～
舘忠裕, ニラウラ マダン他
２０１１年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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Development of Radiation Imaging Devices with Energy Discrimination Capability using Thick CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula, and Y. Agata
7th International Conference on Thin Film Physics and Applications
開催年月日： 2010年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Shanghai, China
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Hetero-epitaxial Growth and Doping Properties of CdTe Layers by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議
K. Yasuda, M. Niraula, and Y. Agata
The 2010 International Symposium on Optoelectronic Materials and Devices
開催年月日： 2010年07月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Chicago, USA
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Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
3. K. Yasuda, M. Niraula, H. Oka, T. Yoneyama, H. Nakashima, T. Nakanishi, K. Matsumoto, D. Katou, and Y. Agata,
The 2009 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
開催年月日： 2009年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chicago, USA
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MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究（VII）
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２００９年春季第５６回応用物理学関係連合講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性
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２００９年第７０回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
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The 2009 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
開催年月日： 2009年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films 国際会議
4. M. Niraula, K. Yasuda, H. Ichihashi, Y. Kai, A. Watanabe, W. Yamada, H. Oka, T. Yoneyama, K. Matsumoto, T. Nakanishi, D. Katoh, H. Nakashima, and Y. Agata,
Material Research Society Spring Meeting
開催年月日： 2009年04月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE 国際会議
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IEEE 2008- 16th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,
開催年月日： 2008年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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2. MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出きに関する研究（ＶＩ）、p-CdTe 層ＰＬ特性とエネルギー分解能の関係（ＩＩ）
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２００８年第６９回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2008年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出きに関する研究（ＶＩ）、p-CdTe 層ＰＬ特性とエネルギー分解能の関係（Ｉ）
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２００８年第６９回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2008年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication 国際会議
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Symposium on Radiation Measurements and Applications (SORMA WEST 2008)
開催年月日： 2008年04月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors 国際会議
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The 2007 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials
開催年月日： 2007年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Characterization of CdTe/n+-Si heterojunction diodes for nuclear radiation imaging detectors 国際会議
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IEEE 2006- 15th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors
開催年月日： 2006年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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