Niraula Madan (ニラウラ マダン)

NIRAULA Madan

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学科 電気電子分野
工学専攻 電気電子プログラム

職名

教授

連絡先

連絡先

ホームページ

http://smd-lab.web.nitech.ac.jp/

外部リンク

学位

  • 工学博士 ( 静岡大学 )

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

  • ナノテク・材料 / 応用物性

出身学校

  • バングラデシュ工科大学   工学部   電気電子工学科, 電気電子工学部   卒業

    - 1993年03月

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    国名:バングラデシュ人民共和国

  • トゥリブアン大学、トゥリチャントラカレッジ   理学部   Biology Major   卒業

    - 1987年03月

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    国名:ネパール連邦民主共和国

出身大学院

  • 静岡大学   電子科学研究科   電子応用工学専攻   博士課程   修了

    - 2000年03月

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    国名:日本国

  • 静岡大学   工学研究科   電子工学専攻   修士課程   修了

    - 1997年03月

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    国名:日本国

学外略歴

  • 日本学術振興会外国人特別研究員(受入機関:静岡大学電子工学研究所)   日本学術振興会特別研究員

    2000年04月 - 2002年03月

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    国名:日本国

  • ブルックヘブン国立研究所 (米国)   研究員

    2010年08月 - 2010年09月

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    国名:アメリカ合衆国

 

研究経歴

  • ハロゲン化金属ペロブスカイト半導体結晶作製とX線検出器への応用

    先端技術開発研究  

    研究期間: 2021年10月 - 現在

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    (選択しない)  

    研究期間: 2003年04月 - 現在

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    (選択しない)  

    研究期間: 2002年04月 - 現在

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    (選択しない)  

    研究期間: 2002年04月 - 現在

論文

  • Correlation of reverse dark current-voltage characteristics and gamma detection properties of a p-CdTe/n-CdTe/n+-Si vertical diode-type radiation detector 査読あり

    M. Niraula, I. Torimoto, R. Okumura

    Materials Science in Semiconductor Processing   186   109039-1 - 109039-6   2025年02月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109039

  • Strategies for dislocation density reduction in CdTe epilayers grown directly on (211) Si substrates using MOVPE 査読あり

    M. Niraula, B. S. Chaudhari, R. Okumura, Y. Takagi

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics   35   31(1) - 31(6)   2024年01月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10854-023-11842-4

  • Dislocation reduction in an MOVPE-grown CdTe/Si epilayer by ex-situ annealing and its effect on the performances of gamma ray detectors fabricated 査読あり

    B. S. Chaudhari, M. Niraula, R. Okumura, and T. Maruyama

    Physica Scripta   99   015931(1) - 015931(7)   2024年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad14d4

  • Dislocation Density Reduction in MOVPE-Grown (211)CdTe/Si by Post-Growth Pattering and Annealing 査読あり

    B. S. Chaudhari, M. Niraula, Y. Takagi, R. Okumura, K. P. Sharma, T. Maruyama

    J. Electronic Materials   52   3431 - 3435   2023年03月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-023-10318-9

  • Growth and Characterization of Single-Crystal Lead Halide Perovskites for X-ray Detector Application 査読あり

    M. Niraula, MM. Islam; Y. Nakashima; T. Matsubara; S. Hirano; Y. Takagi

    IEEE Trans. Nucl. Sci   70 ( 2 )   173 - 176   2023年02月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TNS.2022.3230401

  • Low-Temperature Annealing of CdTe Detectors With Evaporated Gold Contacts and Its Effect on Detector Performance 査読あり

    M. Niraula, K. Yasuda, Y. Takagi, and S. Fuji

    IEEE Trans. Nucl. Sci.   69 ( 8 )   1960 - 964   2022年08月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TNS.2022.3180009

  • Analysis of dislocations and their correlation with dark currents in CdTe/Si heterojunction diode-type x-ray detectors 査読あり 国際誌

    B. S. Chaudhari, H. Goto, M. Niraula, and K. Yasuda

    J. Appl. Phys.   130   055302 -(1 ) - 055302 -(5)   2021年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0058504

  • Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE 査読あり 国際誌

    M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B. S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials   49 ( 11 )   6996 - 6999   2020年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer  

    DOI: 10.1007/s11664-020-08420-3

  • Synchrotron characterization of high-Z, current-mode x-ray detectors 査読あり 国際誌

    Quinn Looker, Michael G. Wood, Antonino Miceli, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, and John L. Porter

    Review of Scientific Instruments   91 ( 2 )   023509-1 - 023509-8   2020年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/1.5139403

  • Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Thick and Uniform Single Crystal CdTe Epitaxial Layers on (211) Si Substrates for X-ray Imaging Detector Development 査読あり 国際誌

    M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials   48 ( 12 )   7680 - 7685   2019年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-019-07601-z

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MISC

  • 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発

    安田 和人, Niraula Madan

    光アライアンス   23 ( 6 )   33 - 36   2012年06月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:日本工業出版(株)  

講演・口頭発表等

  • Growth studies of conductive SnO2 films for their application in SnO2/CdTe diode-type gamma ray detectors 国際会議

    Ko Misato, Masaya Ichimura and Madan Niraula

    The International Conference on Materials, Energy, and Environments (ICMEE '24)  2024年09月  Discovery Conference, USA (Virtual conference)

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    開催年月日: 2024年09月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual Confernce , USA time zone   国名:アメリカ合衆国  

  • Dislocation density reduction in epitaxial CdTe/Si through annealing and its effect on the performance of gamma ray detectors fabricated 招待あり 国際会議

    Madan Niraula, Bal Singh Chaudhari, Ryo Okumura, Ikuei Torimoto

    The International Conference on Materials, Energy, and Environments (ICMEE '24)  2024年09月  Discovery Conference, USA (Virtual conference)

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    開催年月日: 2024年09月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Virtual Confernce , USA time zone   国名:アメリカ合衆国  

  • 低温液相プロセスによるSnO₂薄膜の作製と特性評価

    三里康 ,ニラウラ マダン, 市村正也

    2024年第85回応用物理学会 秋季学術講演会  2024年09月  応用物理学会

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    開催年月日: 2024年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ新潟 &オンライン   国名:日本国  

  • アニール処理によるヒ素ドープ CdTe 成長層の高正孔密度化の検討

    奥村瞭、 三里康、鳥本倭久瑛、 ニラウラ・マダン

    2024年 第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都大学世田谷キャンパス& オンライン   国名:日本国  

  • 空間制御されたハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶の育成と特性評価

    丸山 泰世, 奥村 瞭, 近藤 稜真,ニラウラ マダン

    2024年 第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都大学世田谷キャンパス& オンライン   国名:日本国  

  • Developments in CdTe semiconductor detector materials for large-area X-ray gamma ray imaging 招待あり 国際会議

    Madan Niraula, Ryo Okumura, Yutaka Takagi

    The 12th International Symposium on Materials Science and Surface Technology 2023 (MSST 2023)   2023年10月  Materials and Surface Engineering Research Institute, Kanto Gaguin University

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地: Kannai Campus, Yokohama   国名:日本国  

  • Study of dislocations distribution in (211) CdTe/ Si epitaxial layer and their reduction methods 国際会議

    Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula

    International Conference on Thin Films and Nanotechnology-Knowledge, Leadership and Commercialization  2023年07月  Indian Institute of Technology Madras, India

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    開催年月日: 2023年07月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:IIT Madras, Chennai   国名:インド  

  • 放射線検出器用大面積ハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶の育成

    高木 優貴, 奥村 瞭,ニラウラ マダン

    2022年 第83回応用物理学会 秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学・オンライン   国名:日本国  

  • Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique

    Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula

    2022年09月 

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth and Characterization of Large Single-Crystal Lead Halide Perovskites for X-ray Detector Development 国際会議

    M. Niraula, Y. Nakashima, Y. Takagi, R. Okumura, and K. Yasuda

    European MRS Spring Meeting 2022, France Virtual Conference  2022年06月  European Material Research Society

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    開催年月日: 2022年05月 - 2022年06月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:online   国名:フランス共和国  

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産業財産権

  • 半導体放射線検出器

    安田和人,ニラウラマダン

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    出願番号:特願2017-107264  出願日:2017年05月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 放射線検出器の製造方法

    安田和人,ニラウラマダン

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    出願番号:2011-109374  出願日:2011年05月

    出願国:国内   取得国:国内

  • Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same

    Kazuhito Yasuda, Madan Niraula

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    出願番号:10/580,833  出願日:2004年11月

    特許番号/登録番号:US 7,355,185  登録日:2008年04月  発行日:2008年04月

    出願国:外国   取得国:外国

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    YASUDA, Kazuhito; NIRAULA, Madan

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    出願番号:04819480.7  出願日:2004年11月

    特許番号/登録番号:1691422  登録日:2011年07月  発行日:2011年07月

    出願国:外国   取得国:外国

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    YASUDA, Kazuhito ; NIRAULA, Madan

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    出願番号:04819480.7  出願日:2004年11月

    特許番号/登録番号:1691422  登録日:2011年07月  発行日:2011年07月

    出願国:外国   取得国:外国

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    安田和人,ニラウラマダン

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    出願番号:04819480.7  出願日:2004年11月

    特許番号/登録番号:1691422  登録日:2011年07月  発行日:2011年07月

    出願国:外国   取得国:外国

  • 半導体放射線検出器の製造方法

    安田 和人、ニラウラ マダン

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    出願番号:2007-276652  出願日:2003年11月

    公開番号:第4107616号  公開日:2008年04月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体放射線検出器

    安田 和人、ニラウラ マダン

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    出願番号:2003-397978  出願日:2003年11月

    公開番号:第4131498号  公開日:2008年06月

    出願国:国内   取得国:国内

受賞

  • 第60回 電気科学技術奨励賞

    2012年11月   公益財団法人 電気科学技術奨励会  

    ニラウラ マダン, 安田 和人

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  • 2004 年東海学術奨励会賞

    2004年04月   財団法人東海学術奨励会   CdTe 厚膜を用いた医療用高性能大面積放射線画像検出器の開発

    ニラウラ マダン

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    受賞国:日本国

  • 第12回 応用物理学会講演奨励賞

    2002年04月   公益社団法人 応用物理学会   低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製

    中村篤志、ニラウラ マダン、青木徹、畑中義式

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

科研費(文科省・学振)獲得実績

  • Development of highly efficient and stable photon-counting type X-ray detectors using single crystal

    2024年04月 - 2027年03月

    Niraula Madan

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  • Si基板上のCdTe成長層を用いたX線画像検出器の性能と信頼性向上に関する研究

    2020年04月 - 2023年03月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

    ニラウラ マダン

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    2008年04月 - 2011年03月

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    ニラウラ マダン

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    2003年04月 - 2006年03月

    科学研究費補助金  若手研究(B)

    ニラウラ マダン

その他競争的資金獲得実績

  • CdTe成長層を用いた医療用高感度大面積X線画像検出器アレイの開発

    2017年04月 - 2018年03月

    民間財団等  財)中谷医工計測技術振興財団 平成28年度開発研究助成 

    ニラウラ マダン

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    資金種別:競争的資金

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    2003年10月 - 2006年09月

    経済産業省  産業技術研究助成(NEDO) 

    ニラウラ マダン

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    資金種別:競争的資金

 

委員歴

  • 応用物理学会 放射線分科会   放射線分科会 幹事  

    2023年04月 - 2025年03月   

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    団体区分:学協会

  • IEEE   国際会議実行委員  

    2016年12月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   応用物理学会代議員  

    2016年02月 - 2018年01月   

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    団体区分:学協会

  • SPIE   国際会議実行委員  

    2015年09月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   審査員  

    2008年04月 - 現在   

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    団体区分:学協会