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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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職名 |
教授 |
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外部リンク |
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江川 孝志 (エガワ タカシ)
EGAWA Takashi
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所属学協会
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名古屋大学未来材料・システム研究所
2015年10月 - 2018年03月
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文部科学省科学技術政策研究所
2008年04月 - 2012年03月
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レーザー学会
1994年07月 - 現在
研究経歴
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シリコン基板上へテロエピタシキャシャル成長及びデバイスへの応用
（選択しない）
研究期間： 1991年04月 - 現在
（１）大口径Si基板上へのGaN系半導体結晶成長に関する研究
（２）GaN系LED及び紫外線（火災）センサーに関する研究
（３）大口径Si基板上AlGaN/GaN HEMTに関する研究
（４）新規半導体材料（GaN系以外）に関する研究 -
窒化物半導体を用いた光電子素子
（選択しない）
研究期間： 1991年04月 - 現在
（１）大口径Si基板上へのGaN系半導体結晶成長に関する研究
（２）GaN系LED、レーザー及び紫外線（火災）センサーに関する研究
（３）大口径Si基板上AlGaN/GaN HEMTに関する研究
（４）Si基板上太陽電池に関する研究
（５）新規半導体材料（グラフェン）に関する研究
論文
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GaN/InGaN gate for E-mode GaN HEMTs on Si 査読あり 国際誌
D. Biswas, T. Tsuboi and T. Egawa
IEEE EDL 2020年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Mass production-ready characteristics of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistor structures grown on 200-mm-diameter silicon substrates using metal-organic chemical vapor deposition 国際誌
K. Ikejiri, Y. Hiroyama, K. Kasahara, C. Hirooka, T. Osada, M. Tanaka, T. Takada and T. Egawa
Semicond. Sci. Technol. 2020年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures 査読あり 国際誌
P. Dalapati, S. Urata, T. Egawa
Superlattices and Microstructures 147 106709-1 - 106709-10 2020年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, T. Nakabayashi, M. Yamanaka, T. Egawa and T. Takeuchi
J. Vac. Sci. Technol. B 38 ( 5 ) 052205-1 - 052205-5 2020年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, KosukeYamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Optical Materials 109 110352-1 - 110352-6 2020年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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MOCVD growth of over 150-nm-thick quaternary AlGaInN epitaxial films near alloy compositions lattice-matching to GaN on sapphire and their structural and optical characterization 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, H. Harada, T. Egawa and T. Takeuchi
Physica Status Solidi A 1900597-1 - 1900597-6 2019年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator 査読あり 国際誌
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi
J. Vac. Sci. Technol. B 37 ( 4 ) 041205-1 - 041205-4 2019年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition 査読あり 国際誌
Toshiharu Kubo and Takashi Egawa
Physica B: Condensed Matter 571 210 - 212 2019年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effect of In composition on electrical performance of AlInGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs) on Si 査読あり 国際誌
Debaleen Biswas, Hirotaka Fujita, Naoki Torii and Takashi Egawa
J. Appl. Phys. 125 ( 22 ) 225707-1 - 225707-6 2019年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate 査読あり
M. Miyoshi, M. Yamanaka, T. Egawa and T. Takeuchi
Jpn. J. Appl. Phys. 58 SC1006-1 - SC1006-4 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
書籍等出版物
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パワーエレクトロニクスの新展開（普及版）
大橋弘道、江川孝志 他（ 担当： 分担執筆）
（株）シーエムシ―出版 2015年08月 （ ISBN:978-4-7813-1029-9 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開
佐藤克己、江川孝志 他（ 担当： 分担執筆）
（株）シーエムシ―出版 2015年06月 （ ISBN:978-4-7813-1076-3 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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2015パワーデバイス技術大全
江川孝志 他（ 担当： 共著）
株式会社電子ジャーナル 2014年07月
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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GaNパワー半導体を活用した研究開発テーマの発掘
江川孝志（ 担当： 共著）
技術情報協会 2013年07月
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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GaNパワーデバイスの技術展開
江川孝志他（ 担当： 共著）
サイエンス＆テクノロジー㈱ 2012年04月 （ ISBN:978-4-86428-044-0 ）
記述言語：日本語 著書種別：学術書
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電子デバイス
-（ 担当： 共著）
オーム社 1997年10月
記述言語：日本語 著書種別：教科書・概説・概論
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Electronic Devices
-（ 担当： 単著）
Ohmsha Ltd. 1997年04月
記述言語：日本語
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Ultrafast and Ultra-parallel Optoelectronics
-（ 担当： 共著）
Ohmsha Ltd. 1995年04月
記述言語：日本語
MISC
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MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス 招待あり 査読あり
江川孝志
Magnetics Jpn. 11 ( 5 ) 260 - 263 2016年11月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
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Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス 招待あり 査読あり
江川孝志
セラミックス 51 ( 2 ) 98 - 100 2016年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
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ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用 招待あり 査読あり
江川孝志
エネルギーデバイス 2 ( 6 ) 62 - 64 2015年08月
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）
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GaN半導体の研究開発の動向と今後の展開
江川孝志
電気評論 34 - 38 2013年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌） 出版者・発行元：㈱電気評論社
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Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用
江川孝志
応用物理学会誌 81 ( 6 ) 485 - 488 2012年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ） 出版者・発行元：応用物理学会
講演・口頭発表等
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜,原田紘希, 山中瑞樹, 江川孝志, 三好実人
電子情報通信学会11月研究会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介, Pradip Dalapati, 江川孝志, 三好実人
電子情報通信学会11月研究会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也
電子情報通信学会11月研究会
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス
李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英
第81回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2020年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第81回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2020年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス
李リヤン、嶋紘平、山中瑞樹、小島一信、江川孝志、竹内哲也、三好実人、秩父重英
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減
浦田峻佑, キムヒョンス, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
三好実人, ChenHeng, 斉藤早紀, 井上暁喜, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
産業財産権
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半導体装置およびその製造方法
大竹伸幸、星新一、小山和博、江川孝志
出願人：株式会社デンソー、国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：特願2015-034230 出願日：2015年02月
特許番号/登録番号：特許第6447231号 登録日：2018年12月 発行日：2018年12月
出願国：国内 取得国：国内
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オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ
分島彰男、江川孝志
出願番号：特願2014-256754 出願日：2014年12月
特許番号/登録番号：特許第6548065号 登録日：2019年07月 発行日：2019年07月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子
江川孝志
出願人：江川孝志
出願番号：特願2017-202448 出願日：2013年07月
特許番号/登録番号：特許第6512669号 登録日：2019年04月 発行日：2019年04月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子
江川孝志
出願番号：特願2013－156638 出願日：2013年07月
特許番号/登録番号：特許第６２６５３２８号 登録日：2018年01月 発行日：2018年01月
出願国：国内 取得国：国内
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紫外線受光素子
分島彰男、江川孝志
出願番号：特願2011－243007 出願日：2011年11月
特許番号/登録番号：特許第6048718号 登録日：2016年12月 発行日：2016年12月
出願国：国内 取得国：国内
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III族窒化物積層基板
江川孝志、坂本 陵、伊藤統夫
出願番号：特願2009-252982 出願日：2009年11月
特許番号/登録番号：特許第5334057号 登録日：2013年08月 発行日：2013年08月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体装置およびその製造方法
山本信幸、杉本重幸、江川孝志
出願番号：2008-178786 出願日：2008年07月
特許番号/登録番号：特許第5581471号 登録日：2014年07月 発行日：2014年07月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子
江川孝志、三好実人、倉岡義孝
出願番号：特願2006－227898 出願日：2006年08月
特許番号/登録番号：特許第5415668号 登録日：2013年11月 発行日：2013年11月
出願国：国内 取得国：国内
その他研究活動
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超高周波用窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの開発研究
2001年04月 - 現在
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ＩｎＡｌＧａＮ/ＧａＮ ヘテロ構造の研究
2001年04月 - 現在
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ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究
2001年04月 - 現在
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大口径Si基板上の超高周波ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴの研究開発
2001年04月 - 現在
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有機金属気相成長法を用いた短波長フォトディテクターの研究開発
2001年04月 - 現在
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電子デバイス用GaN系化合物半導体材料の研究開発
2001年04月 - 現在
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有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の高輝度窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発
2001年04月 - 現在
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窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発
2001年04月 - 現在
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高周波・電力用ＧａＮ系ＨＥＭＴのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究開発
2001年04月 - 現在
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有機金属気相成長法を用いた通信放送衛星用ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴの研究開発
2001年04月
受賞
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第25回エレクトロニクスソサイエティ賞
2022年09月 電子情報通信学会 シリコン基板上窒化物パワー半導体の先駆的研究
江川孝志
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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2021年日本結晶成長学会第16回業績賞および赤﨑 勇賞
2021年10月 日本結晶成長学会 シリコン基板上窒化物パワー半導体の開拓及び実用化
江川孝志
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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Best Presentation Award at ISPlasma2017/IC-PLANT2017
2017年03月 ISPlasma2017/IC-PLANT2017 Organizing Committee Impacts of Oxidants for ALD Process on Al2O3/GaN Interface Properties
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa and M. Shimizu
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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第13回産学官連携功労者表彰科学技術政策担当大臣賞
2015年08月 内閣府
江川孝志
受賞区分：国内外の国際的学術賞 受賞国：日本国
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第38回（平成25年）井上春成賞受賞
2013年07月 井上春成賞委員会
江川孝志
受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞 受賞国：日本国
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日本結晶成長学会賞第１７回技術賞
2010年08月 日本結晶成長学会
江川孝志、梅野正義
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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平成２２年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（科学技術振興部門）
2010年04月 文部科学省
江川孝志
受賞国：日本国
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第20回レーザー研究業績賞「論文賞（解説部門）」
1996年05月 社団法人レーザー学会
江川孝志、長谷川義晃、梅野正義、神保孝志
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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第3回小平記念賞
1991年06月 財団法人小平記念会
江川孝志、梅野正義、神保孝志
受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞 受賞国：日本国
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第47回電気学会電気学術振興賞（進歩賞）
1991年05月 電気学会
江川孝志、梅野正義、神保孝志
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
教育活動に関する受賞
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電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 学生発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会
受賞者：古岡啓太, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
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電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 学生発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会
受賞者：細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 斉藤早紀, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
委員歴
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応用物理学会 ISPlasma 2020/IC-PLANTS2020組織委員会委員
2019年04月 - 2020年03月
団体区分：学協会
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応用物理学会 ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019組織委員会委員
2018年04月 - 2019年03月
団体区分：学協会
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応用物理学会 ISPlasma 2018/IC-PLANTS2018組織委員会委員
2017年04月 - 2018年03月
団体区分：学協会
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応用物理学会 ISPlasma 2017/IC-PLANTS2017組織委員会委員
2016年04月 - 2017年03月
団体区分：学協会
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名古屋大学未来材料・システム研究所 共同利用・共同研究委員会委員
2015年10月 - 2018年03月
団体区分：その他
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応用物理学会 ISPlasma 2015/IC-PLANTS2015編集委員会委員
2014年07月 - 2016年03月
団体区分：学協会
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文部科学省科学技術政策研究所 専門調査委員
2008年04月 - 現在
団体区分：その他
社会貢献活動
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：情報提供, 企画, 運営参加・支援
2019年08月
対象： 教育関係者, 保護者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関, メディア
種別：講演会
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：情報提供, 企画, 運営参加・支援
2018年08月
対象： 教育関係者, 保護者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関, メディア
種別：講演会
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名工大テクノフェア2017
役割：情報提供
2017年11月
対象： 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 企業, 行政機関, メディア
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イノベーション・ジャパン2017
役割：助言・指導, 情報提供, 運営参加・支援
2017年08月 - 2017年09月
対象： 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 行政機関, メディア
種別：講演会
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愛知地域スーパークラスター成果報告会
役割：講師
2016年11月
対象： 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 行政機関
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名工大テクノフェア2016
役割：助言・指導, 情報提供
2016年11月
対象： 大学院生, 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 行政機関
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：出演, 講師, 企画
2016年08月
対象： 社会人・一般
種別：講演会
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イノベーション・ジャパン2016
役割：助言・指導, 情報提供
2016年08月
対象： 教育関係者, 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業, 行政機関, メディア
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国際ワークショップ「The 7th International Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices」の開催
役割：講師, 助言・指導, 企画, 運営参加・支援
2016年04月
対象： 大学院生, 研究者, 企業
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GaN/Si結晶成長及びパワーデバイスへの応用
役割：講師
2015年11月
対象： 研究者, 社会人・一般, 学術団体, 企業
種別：セミナー・ワークショップ