Misc - MIYOSHI Makoto
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
123 20 - 23 2023.05
Language：Japanese
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
122 53 - 56 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
122 81 - 84 2022.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
122 57 - 60 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
121 ( 261 ) 45 - 50 2021.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
121 ( 259 ) 79 - 82 2021.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126LCgR/
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
121 ( 261 ) 59 - 62 2021.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211125JCgu/
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
121 ( 251 ) 91 - 94 2021.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126DCgr/
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人
120 ( 254 ) 25 - 28 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126oCBc/
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エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也
120 ( 256 ) 13 - 16 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/202011263CB0/
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
120 ( 256 ) 17 - 20 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126ICB0/
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MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
119 ( 304 ) 49 - 52 2019.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359020036864
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c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
119 ( 304 ) 53 - 56 2019.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20191121P1SI/
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c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
118 ( 330 ) 5 - 8 2018.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883261141888
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歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
118 ( 330 ) 41 - 44 2018.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407438389760
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ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡 啓太、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
118 ( 330 ) 45 - 48 2018.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20181130q1hk/
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XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al₂O₃膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
117 ( 331 ) 73 - 76 2017.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20171201mbzl/
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サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨、太田 美希、原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
117 ( 333 ) 39 - 44 2017.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20171201bbyM/
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MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
116 ( 358 ) 55 - 59 2016.12
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/201612131bOC/
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表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑 智基、堤 達哉、三好 実人
115 ( 329 ) 95 - 99 2015.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/201511270b30/
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
114 ( 336 ) 97 - 102 2014.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407229292288
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InAlN/GaN HEMT structures on 4-in silicon grown by MOCVD Invited
Makoto Miyoshi, Shigeaki Sumiya, Mikiya Ichimura, Tomohiko Sugiyama, Sota Maehara, Mitsuhiro Tanaka, Takashi Egawa
110 ( 109 ) 241 - 244 2010.06
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20100702DayF/eng/
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4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価
市村 幹也、三好 実人、田中 光浩、江川 孝志
109 ( 288 ) 99 - 103 2009.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/200911201aRO/
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100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
104 ( 550 ) 31 - 35 2005.01
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/200501183A2g/
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100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
103 ( 561 ) 41 - 45 2004.01
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883252091648
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MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlXGa1-XN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
103 ( 346 ) 15 - 19 2003.09
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884327170176
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100-mm-diameter AlGaN/GaN Epitaxial Wafers for HEMTs Grown on Sapphire Substrates
M. Miyoshi, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo
Makoto Miyoshi, Subramaniam Arulkumaran, Hiroyasu Ishikawa, Takashi Egawa, Takashi Jimbo 103 ( 160 ) 13 - 16 2003.07
Authorship：Lead author, Corresponding author Language：English
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407377928832
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