Misc - MIYOSHI Makoto
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
123 20 - 23 2023.05
Language：Japanese
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
122 53 - 56 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
122 81 - 84 2022.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
122 57 - 60 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
121 ( 261 ) 45 - 50 2021.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
121 ( 259 ) 79 - 82 2021.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126LCgR/
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
121 ( 261 ) 59 - 62 2021.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211125JCgu/
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
121 ( 251 ) 91 - 94 2021.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126DCgr/
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人
120 ( 254 ) 25 - 28 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126oCBc/
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エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也
120 ( 256 ) 13 - 16 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/202011263CB0/
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
120 ( 256 ) 17 - 20 2020.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126ICB0/
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MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
119 ( 304 ) 49 - 52 2019.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359020036864
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c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
119 ( 304 ) 53 - 56 2019.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/20191121P1SI/
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c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
118 ( 330 ) 5 - 8 2018.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883261141888
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歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
118 ( 330 ) 41 - 44 2018.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
Other Link： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407438389760
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