MISC - 三好 実人
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ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡 啓太、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 118 ( 330 ) 45 - 48 2018年11月
記述言語：日本語
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XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al₂O₃膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 117 ( 331 ) 73 - 76 2017年11月
記述言語：日本語
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サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨、太田 美希、原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 117 ( 333 ) 39 - 44 2017年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 116 ( 358 ) 55 - 59 2016年12月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑 智基、堤 達哉、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 115 ( 329 ) 95 - 99 2015年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 114 ( 336 ) 97 - 102 2014年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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InAlN/GaN HEMT structures on 4-in silicon grown by MOCVD 招待あり
Makoto Miyoshi, Shigeaki Sumiya, Mikiya Ichimura, Tomohiko Sugiyama, Sota Maehara, Mitsuhiro Tanaka, Takashi Egawa
IEICE Technical Report 110 ( 109 ) 241 - 244 2010年06月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語
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4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価
市村 幹也、三好 実人、田中 光浩、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 109 ( 288 ) 99 - 103 2009年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
電子情報通信学会技術研究報告 104 ( 550 ) 31 - 35 2005年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語
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100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
電子情報通信学会技術研究報告 103 ( 561 ) 41 - 45 2004年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語
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MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlXGa1-XN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸
電子情報通信学会技術研究報告 103 ( 346 ) 15 - 19 2003年09月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語
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100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ
三好 実人、アルルクマラン サブラマニアム、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志
IEICE Technical Report 103 ( 160 ) 13 - 16 2003年07月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語
