MISC - 三好　実人

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  • GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価

    井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2024年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討

    小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2024年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

    滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

    藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価

    加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   123   20 - 23   2023年05月

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    記述言語：日本語  

  • 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   122   53 - 56   2022年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

  • 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

    藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行

    電子情報通信学会技術研究報告   122   81 - 84   2022年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

  • GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討

    飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   122   57 - 60   2022年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

  • c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 261 )   45 - 50   2021年11月

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    記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/

  • AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET

    井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 259 )   79 - 82   2021年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126LCgR/

  • 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価

    中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 261 )   59 - 62   2021年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211125JCgu/

  • 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製

    伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 251 )   91 - 94   2021年11月

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    記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126DCgr/

  • 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

    井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   120 ( 254 )   25 - 28   2020年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126oCBc/

  • エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

    中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也

    電子情報通信学会技術研究報告   120 ( 256 )   13 - 16   2020年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/202011263CB0/

  • 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

    山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   120 ( 256 )   17 - 20   2020年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126ICB0/

  • MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長

    山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也

    電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 304 )   49 - 52   2019年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359020036864

  • c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価

    原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也

    電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 304 )   53 - 56   2019年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20191121P1SI/

  • c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係

    山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也

    電子情報通信学会技術研究報告   118 ( 330 )   5 - 8   2018年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883261141888

  • 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

    細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   118 ( 330 )   41 - 44   2018年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407438389760

  • ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

    古岡 啓太、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   118 ( 330 )   45 - 48   2018年11月

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    記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20181130q1hk/

  • XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al₂O₃膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価

    久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   117 ( 331 )   73 - 76   2017年11月

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    記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20171201mbzl/

  • サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較

    森 拓磨、太田 美希、原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   117 ( 333 )   39 - 44   2017年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20171201bbyM/

  • MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用

    森 拓磨、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   116 ( 358 )   55 - 59   2016年12月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/201612131bOC/

  • 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善

    加畑 智基、堤 達哉、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   115 ( 329 )   95 - 99   2015年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/201511270b30/

  • 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価

    藤田 周、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   114 ( 336 )   97 - 102   2014年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407229292288

  • InAlN/GaN HEMT structures on 4-in silicon grown by MOCVD 招待あり

    Makoto Miyoshi, Shigeaki Sumiya, Mikiya Ichimura, Tomohiko Sugiyama, Sota Maehara, Mitsuhiro Tanaka, Takashi Egawa

    IEICE Technical Report   110 ( 109 )   241 - 244   2010年06月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/20100702DayF/eng/

  • 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価

    市村 幹也、三好 実人、田中 光浩、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   109 ( 288 )   99 - 103   2009年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/200911201aRO/

  • 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT

    三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修

    電子情報通信学会技術研究報告   104 ( 550 )   31 - 35   2005年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://ken.ieice.org/ken/paper/200501183A2g/

  • 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価

    三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸

    電子情報通信学会技術研究報告   103 ( 561 )   41 - 45   2004年01月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883252091648

  • MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlXGa1-XN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価

    三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸

    電子情報通信学会技術研究報告   103 ( 346 )   15 - 19   2003年09月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884327170176

  • 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ

    三好 実人、アルルクマラン サブラマニアム、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志

    IEICE Technical Report   103 ( 160 )   13 - 16   2003年07月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語  

    その他リンク： https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407377928832

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