三好 実人 (ミヨシ マコト)

MIYOSHI Makoto

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

連絡先

連絡先

ホームページ

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 2006年03月   名古屋工業大学 )

研究キーワード

  • 窒化物半導体

  • 受光デバイス

  • 電子デバイス

  • 結晶工学

  • 半導体工学

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

出身学校

  • 大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科   卒業

    1986年04月 - 1990年03月

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    国名:日本国

出身大学院

  • 大阪大学   基礎工学研究科   物理系物性学分野   修士課程   修了

    1990年04月 - 1992年03月

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    国名:日本国

学外略歴

  • 信越半導体株式会社   半導体磯部研究所   主任研究員

    2011年03月 - 2012年01月

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    国名:日本国

  • 日本ガイシ株式会社   研究開発本部   主任研究員

    1992年04月 - 2011年02月

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    国名:日本国

  • 北海道大学   量子集積エレクトロニクス研究センター   客員教授

    2020年04月 - 2021年03月

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    国名:日本国

所属学協会

  • 応用物理学会

    1998年01月 - 現在

取得資格

  • 防火管理者(甲種)

  • 高圧ガス製造保安責任者(化学機械・冷凍機械)

  • 危険物取扱者(乙種)

  • エックス線作業主任者

 

論文

  • Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD 査読あり 国際誌

    K. Noda, Y. Murakami, H. Toyoda, K. Shibata, Y. Tsukada, D. Imai, T. Takeuchi, M. Miyoshi, T. Miyajima

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   2400029-1 - 2400029-7   2024年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:WILEY-VCH  

    DOI: 10.1002/pssb.202400029

    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202400029

  • Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Applied Physics Letters   124 ( 18 )   18210-1 - 18210-4   2024年05月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP  

    DOI: 10.1063/5.0187043

    その他リンク: https://pubs.aip.org/aip/apl/article/124/18/182102/3286954/Current-collapse-suppression-in-AlGaInN-GaN-HEMTs

  • Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌

    Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Semiconductor Science and Technology   39 ( 4 )   045010-1 - 045010-6   2024年02月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP  

    DOI: 10.1088/1361-6641/ad2d62

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad2d62

  • Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns 査読あり 国際誌

    Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Journal of Materials Science   59 ( 7 )   2974 - 2987   2024年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer  

    DOI: https://doi.org/10.1007/s10853-024-09392-z

    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-024-09392-z#citeas

  • Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template 査読あり 国際誌

    Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi

    Journal of Applied Physics   135 ( 3 )   035703-1 - 035703-8   2024年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP  

    DOI: 10.1063/5.0181231

    その他リンク: https://pubs.aip.org/aip/jap/article/135/3/035703/3000640/Sub-bandgap-optical-absorption-processes-in-300-nm

  • Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   41 ( 5 )   052206-1 - 052206-6   2023年09月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AVS  

    DOI: 10.1116/6.0002577

    その他リンク: https://pubs.aip.org/avs/jvb/article/41/5/052206/2909805/Simulation-analyses-of-carrier-dynamics-in-npn

  • Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり 国際誌

    Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   38 ( 9 )   095005-1 - 095005-6   2023年08月

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    出版者・発行元:IOP  

    DOI: 10.1088/1361-6641/aceaa2

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2

  • Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Vaccum   213   112159-1 - 112159-6   2023年05月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112159

    その他リンク: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub

  • DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   220   2200733-1 - 2200733-5   2023年01月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:WILEY-VCH  

    DOI: 10.1002/pssa.202200733

    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202200733

  • Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template 査読あり 国際誌

    Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

    Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics   260   2200492-1 - 2200492-8   2023年01月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:WILEY-VCH  

    DOI: 10.1002/pssb.202200492

    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssb.202200492

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MISC

  • 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

    滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語  

  • 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

    藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語  

  • 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   2023年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語  

  • 光無線給電の極限効率を目指すGaN系光電変換デバイス

    三好 実人

    月刊OPTRONICS   42 ( 10 )   81 - 84   2023年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)  

    その他リンク: https://www.optronics.co.jp/magazine/opt.php?year=2023&month=10

  • 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価

    加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    電子情報通信学会技術研究報告   123   20 - 23   2023年05月

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    記述言語:日本語  

  • 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   122   53 - 56   2022年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:日本語  

  • 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

    藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行

    電子情報通信学会技術研究報告   122   81 - 84   2022年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語  

  • GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討

    飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   122   57 - 60   2022年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:日本語  

  • c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 261 )   45 - 50   2021年11月

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    記述言語:日本語  

    その他リンク: https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/

  • AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET

    井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会技術研究報告   121 ( 259 )   79 - 82   2021年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:日本語  

    その他リンク: https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126LCgR/

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講演・口頭発表等

  • Near-UV photoelectric transducers for OWPT systems based on GaInN multiple quantum-well structures 招待あり 国際会議

    Makoto Miyoshi

    The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024)  2024年04月 

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    開催年月日: 2024年04月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN   国名:日本国  

  • Wavelength dependence of temperature characteristics of InGaN photodetectors for optical wireless power supply 国際会議

    Junichi Suzuki, Shunki Hayashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Ryusei Takahashi, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida

    The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024)  2024年04月 

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    開催年月日: 2024年04月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN   国名:日本国  

  • 厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製

    加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    第71回応用物理学会春季学術講演会   2024年04月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス+オンライン   国名:日本国  

  • 四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価 招待あり

    滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、井上 諒星、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会総合大会  2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • Fabrication of high AlN-mole-fraction Al0.7Ga0.3N channel HFETs using a single-crystal AlN substrate 国際会議

    Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024)   2024年03月 

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    開催年月日: 2024年03月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya University, Japan   国名:日本国  

  • InGaN photovoltaic cells for applications in laser power beaming 国際会議

    Masahiro Koga, Shunsuke Shibui, Ryusei Takahashi, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida

    SPIE Photonics West 2024  2024年01月 

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    開催年月日: 2024年01月 - 2024年02月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Moscone Center, San Francisco, CA, US   国名:アメリカ合衆国  

    DOI: https://doi.org/10.1117/12.3001576

  • GaN、AlGaN系半導体デバイスの進展 ~ワイドバンドギャップから超ワイドバンドギャップへ~ 招待あり

    次世代パワー半導体(GaN・酸化ガリウム・ダイヤモンド半導体)の基礎と最新技術およびデバイス開発への応用  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松   国名:日本国  

  • 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

    藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松   国名:日本国  

  • 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

    滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松   国名:日本国  

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産業財産権

  • 半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板

    三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介

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    出願人:国立大学法人名古屋工業大学

    出願番号:2021-026922  出願日:2021年02月

    公開番号:2022-128613  公開日:2022年09月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

    三好 実人

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    出願人:国立大学法人名古屋工業大学

    出願番号:2019-213233  出願日:2019年11月

    公開番号:2021-086878  公開日:2021年06月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 紫外線発光素子

    三好 実人、江川 孝志

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    出願人:国立大学法人 名古屋工業大学

    出願番号:2017-141421  出願日:2017年07月

    公開番号:2019-021852   公開日:2019年02月

    出願国:国内   取得国:国内

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志

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    出願人:国立大学法人 名古屋工業大学

    出願番号:2015-212450  出願日:2015年10月

    公開番号:2017-084981  公開日:2017年05月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩

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    出願番号:2014-192231  出願日:2014年09月

    公開番号:2015-043437  公開日:2015年03月

    特許番号/登録番号:6170893   登録日:2017年07月  発行日:2017年07月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩

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    出願番号:2014-152754  出願日:2014年07月

    公開番号:2014-199953   公開日:2014年10月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩

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    出願番号:2014-038629   出願日:2014年02月

    公開番号:2014-123767   公開日:2014年07月

    特許番号/登録番号:5671168  登録日:2015年02月  発行日:2015年02月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩

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    出願番号:2013-258021  出願日:2013年12月

    公開番号:2014-099623   公開日:2014年05月

    特許番号/登録番号:5671127  登録日:2014年12月  発行日:2014年12月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩

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    出願番号:2013-251963   出願日:2013年12月

    公開番号:2014-103400   公開日:2014年06月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    三好 実人

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    出願番号:2013-245916  出願日:2013年11月

    公開番号:2015-102538   公開日:2015年06月

    出願国:国内   取得国:国内

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受賞

  • 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞

    2024年01月   電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会   四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

    滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  • Outstanding Poster Award

    2023年11月   14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14   High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system

    Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  • IOP Outstanding Reviewer Awards 2022

    2023年03月   IOP publishing  

    Makoto Miyoshi

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  • The Best Poster Presentation

    2022年10月   International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022   AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate

    Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2022年06月   名古屋工業大学  

    三好 実人

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    受賞国:日本国

  • IOP Outstanding Reviewer Awards 2021

    2022年04月   IOP publishing  

    Makoto Miyoshi

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  • The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards

    2022年03月   The ISPlasma Prize 2022   Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes

    Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  • Editor's Pick Article

    2021年09月   AIP Advances   Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations

    Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰 

  • 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞

    2019年01月   電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会   歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

    細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人

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    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2018年06月   名古屋工業大学  

    三好 実人

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    受賞国:日本国

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科研費(文科省・学振)獲得実績

  • 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発

    研究課題/領域番号:23H01437  2023年04月 - 2026年03月

    日本学術振興会(JSPS)  科学研究費補助金  基盤研究(B)

    佐藤 威友(北海道大学)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  • 超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発

    研究課題/領域番号:21H01389  2021年04月 - 2024年03月

    日本学術振興会(JSPS)  科学研究費補助金  基盤研究(B)

    三好 実人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  • 強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

    研究課題/領域番号:20H02175  2020年04月 - 2023年03月

    日本学術振興会(JSPS)  科学研究費補助金  基盤研究(B)

    佐藤 威友(北海道大学)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  • 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

    研究課題/領域番号:19K04531  2019年04月 - 2022年03月

    日本学術振興会(JSPS)  科学研究費補助金  基盤研究(C)

    久保 俊晴

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    研究課題/領域番号:16K06298  2016年04月 - 2019年03月

    日本学術振興会(JSPS)  科学研究費補助金  基盤研究(C)

    三好 実人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

その他競争的資金獲得実績

  • 次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発

    2023年05月 - 2024年03月

    総務省  戦略的情報通信研究開発推進事業(SCOPE) 

    三好 実人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  • 移動体への光無線給電システムの研究開発

    2022年 - 2024年

    国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)  先導研究プログラム/エネルギー・環境新技術先導研究プログラム(エネ環) 

    上山 智(名城大学)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

  • 次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発

    2020年12月 - 2023年03月

    国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)  研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/産学共同(育成型) 

    三好 実人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  • ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究

    2019年09月 - 2020年08月

    国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)  研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/機能検証フェーズ試験研究タイプ 

    三好 実人

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

  • GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発

    2019年 - 2021年

    公益財団法人 科学技術交流財団  知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期/近未来自動車技術開発プロジェクト 

    清水 三聡(産業技術総合研究所)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:競争的資金

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教育活動に関する受賞

  • 論文発表奨励賞

    2024年01月   電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会

    受賞者:滝本 将也

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    四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

  • Outstanding Poster Award

    2023年11月   The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)

    受賞者:藤澤 孝博

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    High-efficincy GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission sysmtem

  • The Best Poster Presentation

    2022年10月   International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022

    受賞者:田中 さくら

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    AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate

  • The Best Short Presentation Awards

    2022年03月   The ISPlasma Prize 2022

    受賞者:間瀬 晃

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    Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes

  • 論文発表奨励賞

    2019年01月   電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会

    受賞者:細見 大樹

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    歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

 

社会貢献活動

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2023年08月

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    対象: 高校生, 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2022年08月

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    対象: 高校生, 社会人・一般

  • イノベーション・ジャパン2021 ~大学見本市~

    役割:情報提供

    2021年08月

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    対象: 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2021年08月

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    対象: 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2019年08月

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    対象: 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2018年08月

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    対象: 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2017年08月

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    対象: 社会人・一般

  • イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市~

    役割:情報提供

    2017年08月

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    対象: 社会人・一般

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    役割:講師

    2016年08月

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    対象: 社会人・一般

  • イノベーション・ジャパン2016 ~大学見本市~

    役割:情報提供

    2016年08月

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    対象: 社会人・一般

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メディア報道

  • シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向

    2015年06月