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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学科 電気電子分野
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三好 実人 (ミヨシ マコト)
MIYOSHI Makoto
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研究分野
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
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ナノテク・材料 / 応用物性
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ナノテク・材料 / 結晶工学
学外略歴
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信越半導体株式会社 半導体磯部研究所 主任研究員
2011年03月 - 2012年01月
国名：日本国
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日本ガイシ株式会社 研究開発本部 主任研究員
1992年04月 - 2011年02月
国名：日本国
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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 客員教授
2020年04月 - 2021年03月
国名：日本国
論文
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AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition 査読あり 国際誌
Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Japanese Journal of Applied Physics 65 ( 11 ) 111003-1 - 111003-5 2024年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.35848/1347-4065/ad85ed
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad85ed/meta
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Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment 査読あり 国際誌
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Solar Energy Materials and Solar Cells 275 ( 15 ) 113025-1 - 113025-7 2024年07月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
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Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD 査読あり 国際誌
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima
Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 261 2400029-1 - 2400029-7 2024年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202400029
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Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Applied Physics Letters 124 ( 18 ) 18210-1 - 18210-4 2024年05月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/5.0187043
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Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system 査読あり 国際誌
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Semiconductor Science and Technology 39 ( 4 ) 045010-1 - 045010-6 2024年02月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad2d62
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Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns 査読あり 国際誌
Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Journal of Materials Science 59 ( 7 ) 2974 - 2987 2024年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Springer
DOI： https://doi.org/10.1007/s10853-024-09392-z
その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-024-09392-z#citeas
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Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template 査読あり 国際誌
Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi
Journal of Applied Physics 135 ( 3 ) 035703-1 - 035703-8 2024年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/5.0181231
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Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌
Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 41 ( 5 ) 052206-1 - 052206-6 2023年09月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
DOI： 10.1116/6.0002577
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Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり 国際誌
Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 38 ( 9 ) 095005-1 - 095005-6 2023年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2
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Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Vaccum 213 112159-1 - 112159-6 2023年05月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： 10.1016/j.vacuum.2023.112159
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub
書籍等出版物
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三好 実人（ 担当： 単著）
月刊OPTRONICS 10月号（Vol.42 No.502） 2023年10月
総ページ数：4 担当ページ：81 記述言語：日本語 著書種別：教科書・概説・概論
MISC
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2024年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会技術研究報告 2024年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 123 20 - 23 2023年05月
記述言語：日本語
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 53 - 56 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
電子情報通信学会技術研究報告 122 81 - 84 2022年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 57 - 60 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 261 ) 45 - 50 2021年11月
記述言語：日本語
講演・口頭発表等
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 招待あり
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京都市大学 世田谷キャンパス 国名：日本国
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多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
今泉 輝、間瀬 晃、 江川 孝志、 三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン 国名：日本国
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単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET
鈴木 仁、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン 国名：日本国
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討
石田 颯汰朗、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン 国名：日本国
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Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems 国際会議
Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chubu University, Japan 国名：日本国
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Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region 国際会議
Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chubu University, Japan 国名：日本国
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N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate 国際会議
Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Chubu University, Japan 国名：日本国
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング 国名：日本国
産業財産権
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半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2021-026922 出願日：2021年02月
公開番号：2022-128613 公開日：2022年09月
出願国：国内 取得国：国内
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
三好 実人
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2019-213233 出願日：2019年11月
公開番号：2021-086878 公開日：2021年06月
出願国：国内 取得国：国内
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紫外線発光素子
三好 実人、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2017-141421 出願日：2017年07月
公開番号：2019-021852 公開日：2019年02月
出願国：国内 取得国：国内
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2015-212450 出願日：2015年10月
公開番号：2017-084981 公開日：2017年05月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-192231 出願日：2014年09月
公開番号：2015-043437 公開日：2015年03月
特許番号/登録番号：6170893 登録日：2017年07月 発行日：2017年07月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩
出願番号：2014-152754 出願日：2014年07月
公開番号：2014-199953 公開日：2014年10月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-038629 出願日：2014年02月
公開番号：2014-123767 公開日：2014年07月
特許番号/登録番号：5671168 登録日：2015年02月 発行日：2015年02月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩
出願番号：2013-258021 出願日：2013年12月
公開番号：2014-099623 公開日：2014年05月
特許番号/登録番号：5671127 登録日：2014年12月 発行日：2014年12月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩
出願番号：2013-251963 出願日：2013年12月
公開番号：2014-103400 公開日：2014年06月
出願国：国内 取得国：国内
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ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
三好 実人
出願番号：2013-245916 出願日：2013年11月
公開番号：2015-102538 公開日：2015年06月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2024年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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Outstanding Poster Award
2023年11月 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14 High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2022
2023年03月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
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The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2022年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
2022年04月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
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The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022 Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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Editor's Pick Article
2021年09月 AIP Advances Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations
Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
科研費（文科省・学振）獲得実績
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窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
研究課題/領域番号：23H01437 2023年04月 - 2026年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
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超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
研究課題/領域番号：21H01389 2021年04月 - 2024年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
研究課題/領域番号：20H02175 2020年04月 - 2023年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
研究課題/領域番号：19K04531 2019年04月 - 2022年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
久保 俊晴
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
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超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
研究課題/領域番号：16K06298 2016年04月 - 2019年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
その他競争的資金獲得実績
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次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発
2023年05月 - 2026年03月
総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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移動体への光無線給電システムの研究開発
2022年 - 2024年
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム（エネ環）
上山 智（名城大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
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次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発
2020年12月 - 2023年03月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究
2019年09月 - 2020年08月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発
2019年 - 2021年
公益財団法人 科学技術交流財団 知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト
清水 三聡（産業技術総合研究所）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
教育活動に関する受賞
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論文発表奨励賞
2024年01月 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者：滝本 将也
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
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Outstanding Poster Award
2023年11月 The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
受賞者：藤澤 孝博
High-efficincy GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission sysmtem
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The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
受賞者：田中 さくら
AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
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The Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022
受賞者：間瀬 晃
Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
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論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者：細見 大樹
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
社会貢献活動
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2024年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2023年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2022年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2021 ～大学見本市～
役割：情報提供
2021年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2021年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2019年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2018年08月
対象： 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2017 ～大学見本市～
役割：情報提供
2017年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2017年08月
対象： 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2016 ～大学見本市～
役割：情報提供
2016年08月
対象： 社会人・一般