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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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三好 実人 (ミヨシ マコト)
MIYOSHI Makoto
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研究分野
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
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ナノテク・材料 / 応用物性
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ナノテク・材料 / 結晶工学
学外略歴
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信越半導体株式会社 半導体磯部研究所 主任研究員
2011年03月 - 2012年01月
国名：日本国
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日本ガイシ株式会社 研究開発本部 主任研究員
1992年04月 - 2011年02月
国名：日本国
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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 客員教授
2020年04月 - 2021年03月
国名：日本国
論文
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DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa
Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 2023年02月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202200733
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Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 2023年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssb.202200492
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High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 40 ( 6 ) 062210-1 - 062210-7 2022年11月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
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Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 査読あり 国際誌
L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu
Journal of Applied Physics 132 ( 16 ) 163102-1 - 163102-10 2022年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/5.0106540
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Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects 査読あり 国際共著 国際誌
Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini
Sensors and Actuators: A. Physical 347 113935-1 - 113935-8 2022年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113935
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0924424722005702
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The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Optical Materials 127 112284-1 - 112284-9 2022年05月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： 10.1016/j.optmat.2022.112284
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346722003184?dgcid=coauthor
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Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base 査読あり 国際誌
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 219 ( 4 ) 2100397-1 - 2100397-5 2022年02月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202100397
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High drain-current-density and high breakdown-field Al0.36Ga0.64N-channel heterojunction filed-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer 査読あり 国際誌
Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SC ) SC1039-1 - SC1039-6 2022年02月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.35848/1347-4065/ac4b09
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4b09
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Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate 査読あり 国際誌
Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SA ) SA1017-1 - SA1017-5 2022年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.35848/1347-4065/ac148a
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac148a
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Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films 査読あり 国際誌
Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Applied Physics Express 14 ( 11 ) 116503-1 - 116503-3 2021年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.35848/1882-0786/ac30ed
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac30ed
MISC
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
電子情報通信学会技術研究報告 122 2022年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 261 ) 45 - 50 2021年11月
記述言語：日本語
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 259 ) 79 - 82 2021年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 261 ) 59 - 62 2021年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 251 ) 91 - 94 2021年11月
記述言語：日本語
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選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 120 ( 254 ) 25 - 28 2020年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也
電子情報通信学会技術研究報告 120 ( 256 ) 13 - 16 2020年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
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光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 120 ( 256 ) 17 - 20 2020年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
講演・口頭発表等
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GaInN photoelectric transducers for optical wireless power transmission system 招待あり 国際会議
Makoto Miyoshi
9th Annual World Congress of Advanced Materials 2023 (WCAM 2023)
開催年月日： 2023年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Shinagawa Prince Hotel, Tokyo, JAPAN
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価
野田 幸樹、村上 裕人、豊田 隼大、 柴田 夏奈、野村 麻友、市川 颯人、今井 大地、宮嶋 孝夫、三好 実人、竹内 哲也
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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GaInN系受光素子の自立GaN基板上への成長
藤澤 孝博、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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単結晶AlN基板上への高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製
川出 智之、田中 さくら、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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UWBG窒化物AlN系パワートランジスタの進展 招待あり
三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（指名）
開催地：芝浦工業大学 大宮キャンパス＋オンライン
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Device characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs on single-srystal AlN substrate 国際会議
T. Kawaide, S. Tanaka, A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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Transfer-free graphene synthesis on sapphire substrates utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern with fine structure 国際会議
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gifu University 国名：日本国
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Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy 国際会議
K. Noda, Y. Murakami, H. Toyoda, K. Kubo, K. Masaki, D. Imai, M. Miyoshi, T. Takeuchi and T. Miyajima
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University 国名：日本国
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名古屋工業大学における次世代半導体デバイスへの取り組み 招待あり
三好 実人
第14回 Nagoyaオープンイノベーション研究会 2023年02月 名古屋産業振興公社
開催年月日： 2023年02月
記述言語：日本語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：名古屋工業大学
産業財産権
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半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2021-026922 出願日：2021年02月
公開番号：2022-128613 公開日：2022年09月
出願国：国内 取得国：国内
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
三好 実人
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2019-213233 出願日：2019年11月
公開番号：2021-086878 公開日：2021年06月
出願国：国内 取得国：国内
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紫外線発光素子
三好 実人、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2017-141421 出願日：2017年07月
公開番号：2019-021852 公開日：2019年02月
出願国：国内 取得国：国内
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2015-212450 出願日：2015年10月
公開番号：2017-084981 公開日：2017年05月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-192231 出願日：2014年09月
公開番号：2015-043437 公開日：2015年03月
特許番号/登録番号：6170893 登録日：2017年07月 発行日：2017年07月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩
出願番号：2014-152754 出願日：2014年07月
公開番号：2014-199953 公開日：2014年10月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-038629 出願日：2014年02月
公開番号：2014-123767 公開日：2014年07月
特許番号/登録番号：5671168 登録日：2015年02月 発行日：2015年02月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩
出願番号：2013-258021 出願日：2013年12月
公開番号：2014-099623 公開日：2014年05月
特許番号/登録番号：5671127 登録日：2014年12月 発行日：2014年12月
出願国：国内 取得国：国内
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩
出願番号：2013-251963 出願日：2013年12月
公開番号：2014-103400 公開日：2014年06月
出願国：国内 取得国：国内
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ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
三好 実人
出願番号：2013-245916 出願日：2013年11月
公開番号：2015-102538 公開日：2015年06月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2022
2023年03月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
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The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2022年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
2022年04月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
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The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022 Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
科研費（文科省・学振）獲得実績
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超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
2021年04月 - 2024年03月
科学研究費補助金 基盤研究(B)
三好 実人
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強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
2020年04月 - 2023年03月
科学研究費補助金 基盤研究(B)
佐藤 威友（北海道大学）
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
2019年04月 - 2022年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
久保 俊晴
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超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
2016年04月 - 2019年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
三好 実人
その他競争的資金獲得実績
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移動体への光無線給電システムの研究開発
2022年 - 2024年
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム（エネ環）
上山 智（名城大学）
資金種別：競争的資金
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次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発
2020年12月 - 2023年03月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型）
三好 実人
資金種別：競争的資金
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ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究
2019年09月 - 2020年08月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ
三好 実人
資金種別：競争的資金
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GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発
2019年 - 2021年
公益財団法人 科学技術交流財団 知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト
清水 三聡（産業技術総合研究所）
資金種別：競争的資金
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レーザーデバイス・システム領域
2017年 - 2020年
文部科学省 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
竹内 哲也（名城大学）
資金種別：競争的資金
教育活動に関する受賞
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The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
受賞者：Sakura Tanaka
AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
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The Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022
受賞者：Akira Mase
Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
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論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者：細見 大樹
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
社会貢献活動
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2022年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2021
役割：情報提供
2021年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2021年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2019年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2018年08月
対象： 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2017
役割：情報提供
2017年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2017年08月
対象： 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2016
役割：情報提供
2016年08月
対象： 社会人・一般
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2016年08月
対象： 社会人・一般
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イノベーション・ジャパン2015
役割：情報提供
2015年08月
対象： 社会人・一般