|
所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
|
|
職名 |
教授 |
|
連絡先 |
|
|
ホームページ |
|
|
外部リンク |
|
三好 実人 (ミヨシ マコト)
MIYOSHI Makoto
|
|
|
研究分野
-
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
-
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
-
ナノテク・材料 / 応用物性
-
ナノテク・材料 / 結晶工学
学外略歴
-
信越半導体株式会社 半導体磯部研究所 主任研究員
2011年03月 - 2012年01月
国名：日本国
-
日本ガイシ株式会社 研究開発本部 主任研究員
1992年04月 - 2011年02月
国名：日本国
-
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 客員教授
2020年04月 - 2021年03月
国名：日本国
論文
-
Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers 査読あり 国際誌
Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 41 052206 2023年09月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
DOI： 10.1116/6.0002577
-
Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり 国際誌
Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 38 095005-1 - 095005-6 2023年08月
出版者・発行元：IOP
その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2
-
Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Vaccum 213 112159-1 - 112159-6 2023年05月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： 10.1016/j.vacuum.2023.112159
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub
-
DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa
Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 2023年02月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202200733
-
Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template 査読あり 国際誌
Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 2023年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssb.202200492
-
High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 40 ( 6 ) 062210-1 - 062210-7 2022年11月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AVS
-
Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 査読あり 国際誌
L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu
Journal of Applied Physics 132 ( 16 ) 163102-1 - 163102-10 2022年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP
DOI： 10.1063/5.0106540
-
Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects 査読あり 国際共著 国際誌
Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini
Sensors and Actuators: A. Physical 347 113935-1 - 113935-8 2022年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113935
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0924424722005702
-
The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors 査読あり 国際誌
Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Optical Materials 127 112284-1 - 112284-9 2022年05月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
DOI： 10.1016/j.optmat.2022.112284
その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346722003184?dgcid=coauthor
-
Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base 査読あり 国際誌
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 219 ( 4 ) 2100397-1 - 2100397-5 2022年02月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：WILEY-VCH
その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202100397
MISC
-
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
-
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
-
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
-
光無線給電の極限効率を目指すGaN系光電変換デバイス
三好 実人
月刊OPTRONICS 42 ( 10 ) 81 - 84 2023年10月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）
その他リンク： https://www.optronics.co.jp/magazine/opt.php?year=2023&month=10
-
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会技術研究報告 123 20 - 23 2023年05月
記述言語：日本語
-
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 53 - 56 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
-
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
電子情報通信学会技術研究報告 122 81 - 84 2022年11月
担当区分：責任著者 記述言語：日本語
-
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 122 57 - 60 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
-
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 261 ) 45 - 50 2021年11月
記述言語：日本語
-
AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会技術研究報告 121 ( 259 ) 79 - 82 2021年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：日本語
講演・口頭発表等
-
GaN、AlGaN系半導体デバイスの進展 ～ワイドバンドギャップから超ワイドバンドギャップへ～ 招待あり
次世代パワー半導体（ＧａＮ・酸化ガリウム・ダイヤモンド半導体）の基礎と最新技術およびデバイス開発への応用 2023年12月
開催年月日： 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：オンライン 国名：日本国
-
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023年11月
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクトシティ浜松 国名：日本国
-
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023年11月
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクトシティ浜松 国名：日本国
-
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2023年11月
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクトシティ浜松 国名：日本国
-
Improved performance of GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells on free-standing GaN substrates with a TMAH treatment 国際会議
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Mase Akira, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
-
In composition dependence of the sub-bandgap optical absorption processes in Al1-xInxN thin films grown on a c-plane GaN/Sapphire template 国際会議
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
-
InGaN MQW photonic power converter under 394 nm laser irradiation 国際会議
Ryusei Takahashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
-
High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system 国際会議
Takahiro Fujisawa, Hu Nan, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
-
Device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs with a thin 150-nm-thick UID-GaN channel fabricated on single-crystal AlN substrate 国際会議
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
-
Fabrication and device characteristics of GaN-based npn-type HBTs using a Quaternary AlGaInN Emitter and a GaInN Base 国際会議
Masaya Takimoto, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Fukuoka, Japan 国名：日本国
産業財産権
-
半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2021-026922 出願日：2021年02月
公開番号：2022-128613 公開日：2022年09月
出願国：国内 取得国：国内
-
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
三好 実人
出願人：国立大学法人名古屋工業大学
出願番号：2019-213233 出願日：2019年11月
公開番号：2021-086878 公開日：2021年06月
出願国：国内 取得国：国内
-
紫外線発光素子
三好 実人、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2017-141421 出願日：2017年07月
公開番号：2019-021852 公開日：2019年02月
出願国：国内 取得国：国内
-
グラフェンデバイスおよびその製造方法
三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
出願人：国立大学法人 名古屋工業大学
出願番号：2015-212450 出願日：2015年10月
公開番号：2017-084981 公開日：2017年05月
出願国：国内 取得国：国内
-
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-192231 出願日：2014年09月
公開番号：2015-043437 公開日：2015年03月
特許番号/登録番号：6170893 登録日：2017年07月 発行日：2017年07月
出願国：国内 取得国：国内
-
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩
出願番号：2014-152754 出願日：2014年07月
公開番号：2014-199953 公開日：2014年10月
出願国：国内 取得国：国内
-
半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩
出願番号：2014-038629 出願日：2014年02月
公開番号：2014-123767 公開日：2014年07月
特許番号/登録番号：5671168 登録日：2015年02月 発行日：2015年02月
出願国：国内 取得国：国内
-
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩
出願番号：2013-258021 出願日：2013年12月
公開番号：2014-099623 公開日：2014年05月
特許番号/登録番号：5671127 登録日：2014年12月 発行日：2014年12月
出願国：国内 取得国：国内
-
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩
出願番号：2013-251963 出願日：2013年12月
公開番号：2014-103400 公開日：2014年06月
出願国：国内 取得国：国内
-
ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
三好 実人
出願番号：2013-245916 出願日：2013年11月
公開番号：2015-102538 公開日：2015年06月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
-
IOP Outstanding Reviewer Awards 2022
2023年03月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
-
The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞
-
名古屋工業大学教員評価優秀賞
2022年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
-
IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
2022年04月 IOP publishing
Makoto Miyoshi
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰 受賞国：日本国
-
The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022 Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
-
電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
-
名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018年06月 名古屋工業大学
三好 実人
受賞国：日本国
科研費（文科省・学振）獲得実績
-
窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
研究課題/領域番号：23H01437 2023年04月 - 2026年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
-
超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
研究課題/領域番号：21H01389 2021年04月 - 2024年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
-
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
研究課題/領域番号：20H02175 2020年04月 - 2023年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
-
極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
研究課題/領域番号：19K04531 2019年04月 - 2022年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
久保 俊晴
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
-
超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
研究課題/領域番号：16K06298 2016年04月 - 2019年03月
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
その他競争的資金獲得実績
-
次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発
2023年05月 - 2024年03月
総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
-
移動体への光無線給電システムの研究開発
2022年 - 2024年
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム（エネ環）
上山 智（名城大学）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
-
次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発
2020年12月 - 2023年03月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型）
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
-
ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究
2019年09月 - 2020年08月
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ
三好 実人
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
-
GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発
2019年 - 2021年
公益財団法人 科学技術交流財団 知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト
清水 三聡（産業技術総合研究所）
担当区分：研究分担者 資金種別：競争的資金
教育活動に関する受賞
-
The Best Poster Presentation
2022年10月 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022
受賞者：Sakura Tanaka
AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
-
The Best Short Presentation Awards
2022年03月 The ISPlasma Prize 2022
受賞者：Akira Mase
Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
-
論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者：細見 大樹
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
社会貢献活動
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2023年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2022年08月
対象： 高校生, 社会人・一般
-
イノベーション・ジャパン2021 ～大学見本市～
役割：情報提供
2021年08月
対象： 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2021年08月
対象： 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2019年08月
対象： 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2018年08月
対象： 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2017年08月
対象： 社会人・一般
-
イノベーション・ジャパン2017 ～大学見本市～
役割：情報提供
2017年08月
対象： 社会人・一般
-
半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
役割：講師
2016年08月
対象： 社会人・一般
-
イノベーション・ジャパン2016 ～大学見本市～
役割：情報提供
2016年08月
対象： 社会人・一般