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Affiliation Department |
電気・機械工学科 電気電子分野
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MIYOSHI Makoto
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Research Areas
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials
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Nanotechnology/Materials / Applied physical properties
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Nanotechnology/Materials / Crystal engineering
From School
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Osaka University Faculty of Engineering Science Graduated
1986.04 - 1990.03
Country：Japan
From Graduate School
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Osaka University Graduate School, Division of Engineering Science Master's Course Completed
1990.04 - 1992.03
Country：Japan
External Career
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Isobe R&D Center Chief Researcher
2011.03 - 2012.01
Country：Japan
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NGK Insulators, Ltd. Corporate R&D Chief Researcher
1992.04 - 2011.02
Country：Japan
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Hokkaido University Research Center For Integrated Quantum Electronics Guest Professor
2020.04 - 2021.03
Country：Japan
Qualification Acquired
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防火管理者（甲種）
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Person in Charge of High-pressure Gas Production Security (chemical machinery and frozen machine)
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Hazardous Material Handler (second kind)
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X-ray Work Chief Person
Papers
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AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition Reviewed International journal
Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Japanese Journal of Applied Physics 65 ( 11 ) 111003-1 - 111003-5 2024.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.35848/1347-4065/ad85ed
Other Link： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad85ed/meta
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Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment Reviewed International journal
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Solar Energy Materials and Solar Cells 275 ( 15 ) 113025-1 - 113025-7 2024.07
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：Elsevier
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Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD Reviewed International journal
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima
Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 261 2400029-1 - 2400029-7 2024.05
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：WILEY-VCH
Other Link： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202400029
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Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate Reviewed International journal
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Applied Physics Letters 124 ( 18 ) 18210-1 - 18210-4 2024.05
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：AIP
DOI： 10.1063/5.0187043
Other Link： https://pubs.aip.org/aip/apl/article/124/18/182102/3286954/Current-collapse-suppression-in-AlGaInN-GaN-HEMTs
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Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system Reviewed International journal
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Semiconductor Science and Technology 39 ( 4 ) 045010-1 - 045010-6 2024.02
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：IOP
Other Link： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad2d62
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Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns Reviewed International journal
Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Journal of Materials Science 59 ( 7 ) 2974 - 2987 2024.02
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：Springer
DOI： https://doi.org/10.1007/s10853-024-09392-z
Other Link： https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-024-09392-z#citeas
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Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template Reviewed International journal
Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi
Journal of Applied Physics 135 ( 3 ) 035703-1 - 035703-8 2024.01
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：AIP
DOI： 10.1063/5.0181231
Other Link： https://pubs.aip.org/aip/jap/article/135/3/035703/3000640/Sub-bandgap-optical-absorption-processes-in-300-nm
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Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers Reviewed International journal
Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 41 ( 5 ) 052206-1 - 052206-6 2023.09
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：AVS
DOI： 10.1116/6.0002577
Other Link： https://pubs.aip.org/avs/jvb/article/41/5/052206/2909805/Simulation-analyses-of-carrier-dynamics-in-npn
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Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer Reviewed International journal
Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 38 ( 9 ) 095005-1 - 095005-6 2023.08
Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：IOP
Other Link： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aceaa2
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Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film Reviewed International journal
Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Vaccum 213 112159-1 - 112159-6 2023.05
Authorship：Last author, Corresponding author Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：Elsevier
DOI： 10.1016/j.vacuum.2023.112159
Other Link： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X23003561?via%3Dihub
Books and Other Publications
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三好 実人（ Role： Sole author）
月刊OPTRONICS 10月号（Vol.42 No.502） 2023.10
Total pages：4 Responsible for pages：81 Language：jpn Book type：Textbook, survey, introduction
Misc
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
2024.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤 孝博、Hu Nan、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
川出 智之、米谷 宜展、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
2023.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
123 20 - 23 2023.05
Language：Japanese
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
122 53 - 56 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
122 81 - 84 2022.11
Authorship：Corresponding author Language：Japanese
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
122 57 - 60 2022.11
Authorship：Last author, Corresponding author Language：Japanese
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
121 ( 261 ) 45 - 50 2021.11
Language：Japanese
Other Link： https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/
Presentations
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 Invited
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京都市大学 世田谷キャンパス Country：Japan
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多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
今泉 輝、間瀬 晃、 江川 孝志、 三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET
鈴木 仁、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討
石田 颯汰朗、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン Country：Japan
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Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems International conference
Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region International conference
Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate International conference
Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Chubu University, Japan Country：Japan
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学 Country：Japan
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GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング Country：Japan
Industrial Property Rights
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半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介
Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
Application no：2021-026922 Date applied：2021.02
Announcement no：2022-128613 Date announced：2022.09
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
三好 実人
Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
Application no：2019-213233 Date applied：2019.11
Announcement no：2021-086878 Date announced：2021.06
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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紫外線発光素子
三好 実人、江川 孝志
Applicant：国立大学法人 名古屋工業大学
Application no：2017-141421 Date applied：2017.07
Announcement no：2019-021852 Date announced：2019.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
Applicant：国立大学法人 名古屋工業大学
Application no：2015-212450 Date applied：2015.10
Announcement no：2017-084981 Date announced：2017.05
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩
Application no：2014-192231 Date applied：2014.09
Announcement no：2015-043437 Date announced：2015.03
Patent/Registration no：6170893 Date registered：2017.07 Date issued：2017.07
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩
Application no：2014-152754 Date applied：2014.07
Announcement no：2014-199953 Date announced：2014.10
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩
Application no：2014-038629 Date applied：2014.02
Announcement no：2014-123767 Date announced：2014.07
Patent/Registration no：5671168 Date registered：2015.02 Date issued：2015.02
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩
Application no：2013-258021 Date applied：2013.12
Announcement no：2014-099623 Date announced：2014.05
Patent/Registration no：5671127 Date registered：2014.12 Date issued：2014.12
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩
Application no：2013-251963 Date applied：2013.12
Announcement no：2014-103400 Date announced：2014.06
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
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ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
三好 実人
Application no：2013-245916 Date applied：2013.11
Announcement no：2015-102538 Date announced：2015.06
Country of applicant：Domestic Country of acquisition：Domestic
Awards
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2024.01 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
Award type：Award from Japanese society, conference, symposium, etc. Country：Japan
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Outstanding Poster Award
2023.11 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14 High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc.
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2022
2023.03 IOP publishing
Makoto Miyoshi
Award type：Honored in official journal of a scientific society, scientific journal Country：Japan
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The Best Poster Presentation
2022.10 International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc.
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2022.06 名古屋工業大学
三好 実人
Country：Japan
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IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
2022.04 IOP publishing
Makoto Miyoshi
Award type：Honored in official journal of a scientific society, scientific journal Country：Japan
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The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards
2022.03 The ISPlasma Prize 2022 Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Award type：Award from international society, conference, symposium, etc. Country：Japan
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Editor's Pick Article
2021.09 AIP Advances Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations
Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa
Award type：Honored in official journal of a scientific society, scientific journal
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019.01 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
Award type：Award from Japanese society, conference, symposium, etc. Country：Japan
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名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018.06 名古屋工業大学
三好 実人
Country：Japan
Scientific Research Funds Acquisition Results
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窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
Grant number：23H01437 2023.04 - 2026.03
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
Authorship：Coinvestigator(s) Grant type：Competitive
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超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
Grant number：21H01389 2021.04 - 2024.03
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
三好 実人
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
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強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
Grant number：20H02175 2020.04 - 2023.03
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（B）
佐藤 威友（北海道大学）
Authorship：Coinvestigator(s) Grant type：Competitive
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
Grant number：19K04531 2019.04 - 2022.03
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
久保 俊晴
Authorship：Coinvestigator(s) Grant type：Competitive
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超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
Grant number：16K06298 2016.04 - 2019.03
日本学術振興会（JSPS） 科学研究費補助金 基盤研究（C）
三好 実人
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
Other External Funds
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次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発
2023.05 - 2026.03
総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）
三好 実人
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
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移動体への光無線給電システムの研究開発
2022 - 2024
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム（エネ環）
上山 智（名城大学）
Authorship：Coinvestigator(s) Grant type：Competitive
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次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発
2020.12 - 2023.03
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型）
三好 実人
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
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ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究
2019.09 - 2020.08
国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ
三好 実人
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
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GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発
2019 - 2021
公益財団法人 科学技術交流財団 知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト
清水 三聡（産業技術総合研究所）
Authorship：Coinvestigator(s) Grant type：Competitive
Social Activities
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2024.08
Audience： High school students, General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2023.08
Audience： High school students, General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2022.08
Audience： High school students, General
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イノベーション・ジャパン2021 ～大学見本市～
Role(s)： Informant
2021.08
Audience： General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2021.08
Audience： General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2019.08
Audience： General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2018.08
Audience： General
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イノベーション・ジャパン2017 ～大学見本市～
Role(s)： Informant
2017.08
Audience： General
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
Role(s)： Lecturer
2017.08
Audience： General
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イノベーション・ジャパン2016 ～大学見本市～
Role(s)： Informant
2016.08
Audience： General