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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学科 電気電子分野
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職名 |
准教授 |
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外部リンク |
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久保 俊晴 (クボ トシハル)
KUBO Toshiharu
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研究分野
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 電子デバイス
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ナノテク・材料 / 応用物性
学外略歴
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東京大学 大学院工学系研究科 大学等非常勤研究員
2005年10月 - 2008年12月
国名：日本国
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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 大学等非常勤研究員
2008年12月 - 2010年03月
国名：日本国
所属学協会
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電子情報通信学会電子デバイス研究会
2018年04月 - 現在
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応用物理学会応用電子物性分科会
2014年04月 - 現在
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日本応用物理学会
2009年12月 - 現在
研究経歴
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絶縁膜/GaN界面の電子準位
その他の研究制度
研究期間： 2010年04月 - 現在
絶縁膜/GaN界面の電子状態を調べている。
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高Al組成AlGaNの表面特性
その他の研究制度
研究期間： 2008年12月 - 2010年03月
高いAl組成を有するAlGaN層の表面状態を調べた。
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中性子照射による炭素化合物の特性改良
その他の研究制度
研究期間： 2005年10月 - 2008年12月
中性子照射によりフラーレン超伝導体の物理特性の改善を行った。
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グラファイトの電気伝導に関する研究
その他の研究制度
研究期間： 1998年04月 - 2005年10月
論文
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Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer 査読あり
A. Mase, P. Dalapati, R. Hayafuji, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
Semiconductor Science and Technology 38 095005-1 - 095005-6 2023年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films 査読あり
Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Applied Physics Express 14 116503 2021年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOPscience
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Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer 査読あり
PradipDalapati, KosukeYamamoto, ToshiharuKubo, TakashiEgawa, MakotoMiyoshi
Optik 245 167691 2021年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Elsevier
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High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator 査読あり 国際誌
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 37 041205-1 - 041205-4 2019年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition 査読あり 国際誌
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
Physica B 571 210 - 212 2019年07月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures 査読あり 国際誌
Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo and Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 34 055014-1 - 055014-6 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces 査読あり 国際誌
Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa and Mitsuaki Shimizu
Semiconductor science and Technology 34 025009-1 - 025009-7 2019年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties 査読あり
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
Jpn. J. Appl. Phys. 57 01AD04-1 - 01AD04-5 2017年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing 査読あり 国際誌
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 32 125016-1 - 125016-5 2017年11月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor 査読あり 国際誌
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
Microelectronic Engineering 178 182 - 185 2017年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
講演・口頭発表等
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較
三木隆太郎、久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2024年11月 電気情報通信学会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
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電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性
久保俊晴、三木隆太郎、江川孝志
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月 JSAP
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟 国名：日本国
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AlGaN/GaN CAVETs on Si substrates with strained layer superlattice as current blocking layer and δ-doped conductive buffer layer 国際会議
Toshiharu Kubo, Ryutaro Miki, Takashi Egawa
TWHM2024 2024年08月 TWHM2024
開催年月日： 2024年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai Sunplaza Hotel 国名：日本国
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス
久保俊晴、小池貴也、神谷俊輝、江川孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京都市大学 国名：日本国
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Fabrication of Transfer-Free Graphene FETs on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Thick Ni Pattern with Ultra-Fine Structure 国際会議
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
ISPlasma2024 2024年03月 JSAP
開催年月日： 2024年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
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ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対する ゲートリセスエッチング後表面処理の効果
久保俊晴、江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 2023年11月 電子情報通信学会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：アクト浜松
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Effects of surface treatments after gate recess etching on AlGaN/GaN MIS-HFETs with an ALD-SiO2/Al2O3 double insulator 国際会議
T. Kubo, T. Egawa
2023年11月 JSAP
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka Sea Hawk 国名：日本国
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極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月 日本応用物理学会
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：熊本城ホール
産業財産権
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ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜
座間秀昭, 小林忠正, 久保俊晴, 江川孝志
出願番号：2017－20109 出願日：2017年02月
出願国：国内 取得国：国内
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
出願番号：2015-212450 出願日：2015年10月
出願国：国内 取得国：国内
受賞
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ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 Best Presentation Award
2022年03月 ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 Committee Effect of a Thin AlN layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Akira Mase, Paradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
受賞国：日本国
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ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award
2017年03月 ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 受賞国：日本国
科研費（文科省・学振）獲得実績
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Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
研究課題/領域番号：23H01464 2023年04月 - 2026年03月
日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(B)
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
2019年04月 - 2022年03月
科学研究費補助金 基盤研究(C)
その他競争的資金獲得実績
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触媒金属凝集を利用した転写フリーグラフェンFETの作製
2024年03月
永井科学技術財団 奨励賞
久保俊晴
担当区分：研究代表者
配分額：500000円
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
2022年04月 - 2023年03月
名古屋工業大学 学内研究推進経費
担当区分：研究代表者
配分額：2000000円 （ 直接経費：2000000円 ）
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Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発
2020年06月 - 2021年03月
民間財団等 内藤科学技術振興財団 助成金
資金種別：競争的資金
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極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製
2019年04月 - 2020年03月
民間財団等 村田財学術振興財団第35回学術助成金
資金種別：競争的資金
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新しいグラフェン合成プロセスの開発とエネルギー利用効率化への展開
2016年04月 - 2017年03月
民間財団等 東燃ゼネラル石油研究奨励・奨学財団研究助成
資金種別：競争的資金
エネルギーの効率的な利用に向け、計算機で消費される電力の削減のため、２次元物質であるグラフェンデバイスの普及に向けたデバイス開発を
行う。
受託研究受入実績
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低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発
2017年04月 - 2020年03月
政府機関 一般受託研究
江川孝志
担当区分：研究分担者
共同研究実施実績
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GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究
2016年04月 - 2017年03月
株式会社アルバック 国内共同研究
GaN-HEMTパワーデバイスの実現へ向け、良好な特性を有するゲート絶縁膜の開発をアルバックと共同して行う。
委員歴
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日本応用物理学会 ICNS14(福岡)実行委員会
2020年07月 - 2023年11月
団体区分：学協会
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電子情報通信学会電子デバイス研究会 委員
2018年04月 - 現在
団体区分：学協会
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日本応用物理学会 IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
2016年10月 - 2018年11月
団体区分：学協会
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日本応用物理学会 IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
2016年10月 - 2017年11月
団体区分：学協会
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応用物理学会応用電子物性分科会 幹事
2014年04月 - 現在
団体区分：その他
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ISPlasma2011実行委員会 実行委員
2010年11月 - 2011年03月
団体区分：その他