講演・口頭発表等 - 宮川 鈴衣奈

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  • The formation of periodic nanostructures and singular microstructures induced by femtosecond laser irradiation 国際会議

    Reina Miyagawa,Osamu Eryu

    The 11th European conference on SiC and related materials 

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    開催年月日: 2016年09月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • SiC基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成

    宮川 鈴衣奈、江龍 修

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年09月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • フェムト秒レーザー照射によるSiC基板表面改質 招待あり

    宮川 鈴衣奈

    第9回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期セミナー 

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    開催年月日: 2016年08月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Selective GaN growth on 6H-SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures 国際会議

    Reina Miyagawa, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa and Osamu Eryu

    The 35th Electronic Materials Symposium 

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    開催年月日: 2016年07月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • SiC 基板上直接GaN 成長における基板レーザー成長の影響

    宮川 鈴衣奈、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修

    第8回窒化物半導体結晶成長講演会 

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    開催年月日: 2016年05月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaN growth on SiC substrate with femtosecond–laser–induced periodic nanostructure 国際会議

    Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa and Osamu Eryu

    2016 MRS Spring Meeting & Exhibit 

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    開催年月日: 2016年03月 - 2016年04月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • フェムト秒レーザーを用いた劈開による基板切り出し手法の検討

    宮川鈴衣奈・岡本淳祐・江龍 修

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2016年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • SiC基板へのレーザー誘起ナノ周期構造の形成とマスクレスGaN選択成長

    宮川 鈴衣奈

    新化学技術推進協会 学産交流ポスターセッション 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • 6H-SiC基板へのフェムト秒レーザー照射によるナノ周期構造の形成

    岡本淳祐・宮川鈴衣奈・岡部悠・江龍 修

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • フェムト秒レーザー誘起ナノ周期構造SiC基板上へのGaN成長

    宮川鈴衣奈・岡部悠・宮地祐太・三好実人・江川孝志・江龍 修

    応用物理学会 先進パワー半導体分科会第2回講演会 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • 窒素中でのフェムト秒レーザー照射による窒化ナノ構造形成

    宮川鈴衣奈・岡本淳祐・岡部悠・江龍 修

    第45回結晶成長国内会議 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • SiC基板のレーザーアブレーション形状の観察

    岡本淳祐・宮川鈴衣奈・岡部悠・江龍 修

    第76回 応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年09月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • フェムト秒レーザーで表面改質からGaN成長まで連続処理

    宮川 鈴衣奈

    イノベーションジャパン 

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    開催年月日: 2015年08月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • Femtosecond laser irradiation onto the 6H-SiC in different ambient 国際会議

    R. Miyagawa and O. Eryu

    第34回電子材料シンポジウム 

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    開催年月日: 2015年07月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成

    鈴木悠矢,広瀬雄治,玉置祥平,宮川鈴衣奈,木下隆利,江龍修

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

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    開催年月日: 2015年05月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 液体窒素中でのSiC基板へのレーザー照射

    宮川鈴衣奈,中川崇寛,江龍修

    第62回応用物理学会春季学術講演会 

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    開催年月日: 2015年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • フェムト秒レーザーを照射したSiC基板の表面評価

    宮川鈴衣奈,江龍修

    日本材料学会 第9回学術講演会 

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    開催年月日: 2015年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果

    岡田俊祐, 三宅秀人,平松和政,宮川鈴衣奈,江龍修,橋詰保

    電子情報通信学会 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • SiC基板へのフェムト秒レーザー照射における環境ガスの効果

    宮川鈴衣奈,中川崇寛,江龍修

    第3回 結晶工学未来塾 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • SiC基板へのフェムト秒レーザー照射

    宮川鈴衣奈

    新化学技術推進協会 学産交流セッション 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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