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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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職名 |
准教授 |
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外部リンク |
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研究経歴
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Si基板上のGaN系HEMTの高周波特性
（選択しない）
研究期間： 2014年04月 - 2017年03月
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レーザ光を用いたGaNの活性化
（選択しない）
研究期間： 2013年04月 - 2014年03月
論文
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Transient thermal analysis of GaN HEMT under TDD-LTE signal operation 査読あり
Shunsuke Ito, Yoichi Tsuchiya, Atsushi Tanaka, Tadatomo Suga, Nora T. Martinez, Akio Wakejima
2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023年11月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Low Thermal Resistance of GaN Devices with Bi-layer Highly Thermal-Conductive Graphite Carbon 査読あり
2023年09月
担当区分：最終著者, 責任著者
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RF characteristics of 150-nm AlGaN/GaN high electron mobility transistors fabricated using i-line stepper lithography
Ando, Y., Takahashi, H., Makisako, R., Wakejima, A. and Suda, J.
Electron. Lett. 59 e12798 2023年05月
DOI： 10.1049/ell2.12798
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AlGaN/GaN HEMT on 3C-SiC/Low-Resistivity Si Substrate for Microwave Applications 招待あり 査読あり 国際誌
Akio WAKEJIMA, Arijit BOSE, Debaleen BISWAS, Shigeomi HISHIKI, Sumito OUCHI, Koichi KITAHARA, and Keisuke KAWAMURA
IEICE Trans. Electronics E105.C 457 - 465 2022年10月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer 査読あり 国際誌
Baratov, Ali; Kawabata, Shinsaku; Urano, Shun; Nagase, Itsuki; Ishiguro, Masaki; Maeda, Shogo; Igarashi, Takahiro; Nezu, Toi; Yatabe, Zenji; Matys, Maciej; KACHI, Tetsu; adamowicz, boguslawa; WAKEJIMA, Akio; Kuzuhara, Masaaki; YAMAMOTO, Akio; Asubar, Joel
Applied Physics Express 15 104002 2022年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs using Rational Functions and Dependent Current Sources 査読あり 国際共著 国際誌
A. Jadhav, T. Ozawa, A. Baratov, J. T. Asubar, M. Kuzuhara, A. Wakejima, S. Yamashita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, S. Roy and B. Sarkar
IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 797 - 807 2022年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evaluation of electroluminescence of AlGaN/GaN HEMT on free-standing GaN substrate 査読あり 国際誌
Ma, Qiang; Ando, Yuji; Tanaka, Atsushi; WAKEJIMA, Akio
Applied Physics Express 15 094004 2022年09月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Laser slice thinning ofGaN‑on‑GaN high electron mobility transistors 査読あり 国際誌
Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Yotaro Wani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, YutoAndo, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, Akio Wakejima, YujiAndo, HiroshiAmano
Scientific Reports 76 7363 2022年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bias-Dependence of Electroluminescence in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on SiC Substrate 査読あり 国際誌
Q. Ma, S. Urano, A. Tanaka, Y. Ando and A. Wakejima,
IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 297 - 300 2022年03月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Influence of a thick nitride layer on transmission loss in GaN-on-3C-SiC/low resistivity Si 査読あり 国際誌
Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, and Akio Wakejima
IEICE ELEX 19 20210563 2022年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
書籍等出版物
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空間伝送型ワイヤレス給電技術の最前線
篠原真毅（ 担当： 共著）
シーエムシー出版 2021年05月 （ ISBN:978-4-7813-1603-1 ）
総ページ数：283 担当ページ：20 記述言語：日本語 著書種別：学術書
MISC
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次世代移動体通信用GaNトランジスタ技術 招待あり
分島 彰男
2021 Microwave Workshop Digest 2021年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
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GaN系HEMTを用いたマイクロ波無線電力伝送整流用ダイオード 招待あり
分島 彰男
2020 Microwave Workshop Digest 2020年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
講演・口頭発表等
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Improved Turn-On Voltage Controllability in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes Using Etch Endpoint Detection Process
Yuji Ando1 , Kensuke Oishi1 , Hidemasa Takahashi1 , Ryutaro Makisako1 , Akio Wakejima2 , Jun Suda1
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka
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Microwave Power Performance of AlGaN/GaN HEMT on Semi-insulating Mndoped GaN Substrate
Tomoharu Sugino1 , Kenji Osaki1 , Kentaro Nonaka2 , Tomohiko Sugiyama2 , Yoshitaka Kuraoka2 , Akio Wakejima1
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka
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Improvement of Breakdown Voltage by Utilizing Moderately-Doped Contact Layers in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification
Tomoya Watanabe1 , Hidemasa Takahashi1 , Akio Wakejima2 , Yuji Ando1,3, Jun Suda1,
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka
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GaN HEMTの実測温度特性を用いた変調動作下の熱過渡特性解析
伊東 俊祐1、土屋 洋一1、田中 敦之2、須賀 唯知3、分島 彰男1
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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二層カーボンコンポジット高熱伝導材によるGaNデバイスの低熱抵抗化
大崎 賢司1、土屋 洋一1、齊藤 裕人1、田中 敦之2、須賀 唯知3、マルティネス ノラ3、竹馬 克洋4、分島 彰男
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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サーマルロックインによるGaN HEMTのゲートリーク電流箇所の同定
崎田 由樹1、小林 久雄2、馬 強1、齊藤 裕人1、大崎 賢司1、伊東 俊祐1、分島 彰男1
第７０回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用
渡邉 智也1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2
第７０回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上
大石 健介1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳
第７０回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Gated-Anode AlGaN/GaN Diode for Microwave Wireless Power Transfer 国際会議
Akio Wakejima
2021 Taiwan Wireless Power Transfer International Workshop
開催年月日： 2021年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色
浦野 紫陽1、馬 強1、安藤 裕二2、田中 敦之2、分島 彰男1
第82回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
その他競争的資金獲得実績
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地球と宇宙で使える 24GHz 高効率大電力伝送システム及び新規GaN 系整流 素子の開発
2023年12月 - 2025年11月
国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙探査イノベーションハブ RFP10
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
配分額：1700000円 （ 直接経費：1700000円 、 間接経費：1870000円 ）