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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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職名 |
准教授 |
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外部リンク |
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研究経歴
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Si基板上のGaN系HEMTの高周波特性
（選択しない）
研究期間： 2014年04月 - 2017年03月
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レーザ光を用いたGaNの活性化
（選択しない）
研究期間： 2013年04月 - 2014年03月
論文
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AlGaN/GaN HEMT on 3C-SiC/Low-Resistivity Si Substrate for Microwave Applications 招待あり 査読あり 国際誌
Akio WAKEJIMA, Arijit BOSE, Debaleen BISWAS, Shigeomi HISHIKI, Sumito OUCHI, Koichi KITAHARA, and Keisuke KAWAMURA
IEICE Trans. Electronics E105.C 457 - 465 2022年10月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer 査読あり 国際誌
Baratov, Ali; Kawabata, Shinsaku; Urano, Shun; Nagase, Itsuki; Ishiguro, Masaki; Maeda, Shogo; Igarashi, Takahiro; Nezu, Toi; Yatabe, Zenji; Matys, Maciej; KACHI, Tetsu; adamowicz, boguslawa; WAKEJIMA, Akio; Kuzuhara, Masaaki; YAMAMOTO, Akio; Asubar, Joel
Applied Physics Express 15 104002 2022年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs using Rational Functions and Dependent Current Sources 査読あり 国際共著 国際誌
A. Jadhav, T. Ozawa, A. Baratov, J. T. Asubar, M. Kuzuhara, A. Wakejima, S. Yamashita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, S. Roy and B. Sarkar
IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 797 - 807 2022年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evaluation of electroluminescence of AlGaN/GaN HEMT on free-standing GaN substrate 査読あり 国際誌
Ma, Qiang; Ando, Yuji; Tanaka, Atsushi; WAKEJIMA, Akio
Applied Physics Express 15 094004 2022年09月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Laser slice thinning ofGaN‑on‑GaN high electron mobility transistors 査読あり 国際誌
Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Yotaro Wani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, YutoAndo, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, Akio Wakejima, YujiAndo, HiroshiAmano
Scientific Reports 76 7363 2022年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bias-Dependence of Electroluminescence in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on SiC Substrate 査読あり 国際誌
Q. Ma, S. Urano, A. Tanaka, Y. Ando and A. Wakejima,
IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 297 - 300 2022年03月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Influence of a thick nitride layer on transmission loss in GaN-on-3C-SiC/low resistivity Si 査読あり 国際誌
Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, and Akio Wakejima
IEICE ELEX 19 20210563 2022年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Dependence of Electrical Characteristics on Epitaxial Layer Structure of AlGaN/GaN HEMTs Fabricated on Freestanding GaN Substrates 査読あり 国際誌
Y. Ando, R. Makisako, H. Takahashi, A. Wakejima and J. Suda
IEEE Transactions on Electron Devices 69 88 2021年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions 査読あり 国際誌
Jadhav, Aakash and Ozawa, Takashi and Baratov, Ali and Asubar, Joel T. and Kuzuhara, Masaaki and Wakejima, Akio and Yamashita, Shunpei and Deki, Manato and Nitta, Shugo and Honda, Yoshio and Amano, Hiroshi and Roy, Sourajeet and Sarkar, Biplab
IEEE Transactions on Electron Devices 68 6059 2021年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs 査読あり 国際誌
Yuji Ando; Hidemasa Takahashi; Qiang Ma; Akio Wakejima; Jun Suda
IEEE Transactions on Electron Devices 2020年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
書籍等出版物
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空間伝送型ワイヤレス給電技術の最前線
篠原真毅（ 担当： 共著）
シーエムシー出版 2021年05月 （ ISBN:978-4-7813-1603-1 ）
総ページ数：283 担当ページ：20 記述言語：日本語 著書種別：学術書
MISC
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次世代移動体通信用GaNトランジスタ技術 招待あり
分島 彰男
2021 Microwave Workshop Digest 2021年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
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GaN系HEMTを用いたマイクロ波無線電力伝送整流用ダイオード 招待あり
分島 彰男
2020 Microwave Workshop Digest 2020年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
講演・口頭発表等
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Gated-Anode AlGaN/GaN Diode for Microwave Wireless Power Transfer 国際会議
Akio Wakejima
2021 Taiwan Wireless Power Transfer International Workshop
開催年月日： 2021年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色
浦野 紫陽1、馬 強1、安藤 裕二2、田中 敦之2、分島 彰男1
第82回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価
齊藤 裕人1、福井 青空1、小畑 智弘1、田中 敦之2、須賀 唯知3、竹内 魁3、分島 彰男1
第82回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定
小畑 智弘1、福井 青空1、齊藤 裕人1、Li Lei1、分島 彰男1
第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
高橋 英匡1、安藤 裕二1、生島 百恵3、分島 彰男3、須田 淳1,2
第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製
安藤 裕二1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2
第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性
田中 大貴1、分島 彰男3、安藤 裕二1、須田 淳1,2
第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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GaN系HEMTを用いたマイクロ波無線電力伝送整流用ダイオード 招待あり
分島 彰男
MWE2020
開催年月日： 2020年11月 - 2020年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Gated-Anode GaN HEMT Based Diode for Microwave Wireless Power Transfer 国際会議
Akio Wakejima
Wireless Power Week 2020
開催年月日： 2020年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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「窒化ガリウム（GaN）により実現可能域にきたマイクロ波電力伝送」 招待あり 国際会議
分島 彰男
第１２回アカデミックナイト
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等