安田 和人 (ヤスダ カズヒト)

YASUDA Kazuhito

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

教授

出身大学

  • 1970年04月
    -
    1974年03月

    芝浦工業大学   工学部   電気工学   卒業

出身大学院

  •  
    -
    1980年03月

    大阪大学  工学研究科  電気工学博士課程  単位取得満期退学

取得学位

  • 大阪大学 -  工学博士

  • 大阪大学 -  工学修士

学外略歴

  • 1980年04月
    -
    1985年08月

      株式会社富士通研究所、富士通株式会社   研究員

所属学会・委員会

  • 2012年04月
    -
    2014年03月

    2013 第16回II-VI族化合物関連材料国際会議

  • 2008年04月
    -
    継続中

    米国材料研究学会

  • 1976年03月
    -
    継続中

    応用物理学会

専門分野(科研費分類)

  • 電子・電気材料工学

  • 電子デバイス・電子機器

  • 応用物性

 

研究経歴

  • Si基板上の厚膜CdTe単結晶成長層を用いた高性能放線画像検出器の開発

    科学研究費補助金  

    研究期間:  1995年04月  -  現在

  • MOVPE法による単結晶厚膜CdTe 層を用いた高性能放射線検出器の開発

    国際共同研究   新エネルギー技術研究開発費  

    研究期間:  1993年04月  -  現在

  • MOVPE法によるCdZnTe成長と電気特性制御

    国際共同研究   共同研究  

    研究期間:  1990年04月  -  現在

  • MOVPE法によるHgCdTeピタキシヤル成長と赤外線デバイスへの応用

    国際共同研究   共同研究  

    研究期間:  1980年04月  -  現在

論文

  • Improving the performances of CdTe gamm ray detectors by H2/Ar ECR plasma processing

    M.Niraula,, K.Yasuda, S. Kitagawa, et al.

    IEEE Electron Device Letters ( IEEE )  37 ( 8 ) 1059 - 1062   2016年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Surface processing of CdTe detectors using hydrogen bromide-based etching solution

    M.Niraula, K.Yasuda, N.Takai, M.Matsumoto, et al.

    IEEE Electron Device Letters ( IEEE )  16 ( 8 ) 856 - 858   2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of large-area imaging arrays using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates

    M.Niraula, K.Yasuda, et al.

    IEEE Trans. Nucl. Sci.   61 ( 5 ) 2555 - 2558   2014年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of nuclear-radiation detectros using thick single-crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE

    K.Yasuda, M.Niraula et al.

    "J. Electroin Materials   43 ( 8 ) 2860 - 2863   2014年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for X-ray and gamma-ray spectroscopic detector development

    M.Niraula, K.Yasuda et al.

    Phys. Status Solid   C11 ( 7-8 ) 1333 - 1336   2014年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Post growth annaling of CdTe layers grown on Si substartes by metalorganic vapor phase epitaxy

    K.Yasuda, M.Niraula et al.

    J. Electron. Mater.   42 ( 11 ) 3125 - 3128   2013年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of nuclear-radiation detectros using thick single-crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE

    K.Yasuda, M.Niraula, et al.

    Extend. Abstract 2013 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials     149 - 150   2013年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for X-ray and gamma-ray spectroscopic detector development

    M.Niraula, K.Yasuda, et al.

    The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials   24 ( Tu ) B4 - B4   2013年09月  [査読有り]  [招待有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • MOVPE growth of thick single crystal CdZnTe epitaxial layers on Si substrate for Nuclear Radiation Detector development

    M.Niraula, K.Yasuda et al.

    Trans. Nucl. Sci.   60 ( 4 ) 2859 - 2863   2013年08月  [査読有り]  [招待有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Charge transport properties of p-CdTe/n-CdTe/n+-Si diode-type nuclear radiation detectors based on metalorganic vapor-phase epitaxy-grown epilayers

    M.Niraula, K.Yasuda, et al.

    J. Appl. Phys.   114 ( 16 ) 164510 - 164515   2013年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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著書

  • MRS Symp. Proceedings, Nuclear Radiation Detection Materials

    A.Burger, M.Fiederle, L.Franks, K.Lynn, D.L.Perry, K.Yasuda (担当: 共編著 )

    Materials Research Society  2012年04月

  • MRS Symp. Proceedings, Nuclear Radiation Detection Materials

    M.Fiederle, D.L.Perry, A.Burger, L.Franks, K.Yasuda (担当: 共編著 )

    Materials Research Society  2010年04月 ISBN: 978-1-60511-137-7

  • 光エレクトロニクス 第7章, 8章

    安田 和人 (担当: 共著 )

    オーム社  2009年04月 ISBN: 978-4-274-20786-0

  • 光エレクトロニクス 第5章

    安田 和人 (担当: 共著 )

    オーム社  1997年03月 ISBN: 4-274-13085-1

総説・解説記事

  • 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発

    安田和人, ニラウラ マダン

    光アライアンス ( 日本工業出版(株) )  23 ( 6 ) 33 - 36   2012年06月

    総説・解説(商業誌)   共著

研究発表

  • Recent progress in CdTe/n+-Si epitaxial layer based Heterojunction diode-type gamma detectros

    M.Niraula, K.Yasuda, M.Kojima, et al.  [招待有り]

    IEEE 2016 23rd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma Ray Detectors   (Strassbourg, France)  2016年10月  -  2016年11月  IEEE

  • Surface processing of CdTe crystals in H2/Ar electron cyclotron resonance plasma

    M.Niraula, K.Yasuda, S.Kitagawa, et al.

    IEEE 2016 23rd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma Ray Detectors  (Strasbourg France)  2016年10月  -  2016年11月  IEEE

  • Characterization of (211) and (100) CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    K.Yasuda, M.Niraula, M.Kojima, et al.

    2016 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials  (Baltimore, USA)  2016年10月  -  2016年10月  2016 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials

  • Dry etching characyeristics of MOVPE grown CdTE epilayers in CH4, H2, Ar ECR plasmas

    K.Yasuda, M.Niraula, N.Araki, M.Miyata, et al.

    2016 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials  (Baltimore, USA)  2016年10月  -  2016年10月  2016 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials

  • MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性

    小島 將弘、北川 翔三、安田和人、他

    2016第77回応用物理学会秋期学術講演会  (朱鷺メッセ、新潟市)  2016年09月  -  2016年09月  応用物理学会

  • MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性

    小島 將弘、安田 和人、ニラウラ マダン、他

    2016第63回応用物理学会春期学術講演会  (東京工業大学大岡山キャンパス)  2016年03月  -  2016年03月  応用物理学会

  • MOVPE法による(211)及び(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性

    北川 翔三、ニラウラ マダン、安田 和人 他

    2016第63回応用物理学会春期学術講演会  (東京工業大学大岡山キャンパス)  2016年03月  -  2016年03月  応用物理学会

  • MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のエッチピット評価

    坪田眞太郎、安田 和人、ニラウラ マダン、 他

    2016第63回応用物理学会春期学術講演会  (東京工業大学大岡山キャンパス)  2016年03月  -  2016年03月  応用物理学会

  • Study of CdTe surface processed with hydrogen bromide based etching solution

    M.Niraula, K.Yasuda, Y.Ito, et al.

    IEEE 2015 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma Ray Detectors   (San Diego)  2015年11月  -  2015年11月  IEEE

  • Chracterization of large-area spectroscopic imaging array fabricated using epitaxially grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates

    M.Niraula, K.Yasuda, S.Kouno, et al.  [招待有り]

    "IEEE 2015 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma Ray Detectors  (San Diego)  2015年11月  -  2015年11月  IEEE

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工業所有権

  • 放射線検出器の製造方法

    特願 特願2011-109374 

    安田 和人, ニラウラ マダン

  • 半導体放射線検出器の製造方法

    特願 特願2006-17716 

    安田和人、ニラウラマダン

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    K.Yasuda, M.Niraula

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 PCT/JP2004/017891  特開 04819480.7  特許 1691422

    K.Yasuda , M. Niraula

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 PCT/JP2004/017891  特開 04819480.7  特許 1691422

    K.Yasuda , M.Niraula

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 PCT/JP2004/017891  特開 WO2005/053038  特許 1691422

    K.Yasuda, M.Niraula

  • Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same

    特願 PCT/JP2004/017891  特開 WO2005/053038  特許 7,355,185

    K.Yasuda, M.Niraula

  • 半導体放射線検出器

    特願 第4131498号  特許 4131498

    安田和人、ニラウラマダン

  • 半導体放射線検出器の製造方法

    特願 特願2007-276652  特許 第4107616号

    安田和人、ニラウラマダン

  • Rare earth oxide coated phosphors and a process for preparing the same

    特願 US:6,699,523 

    W.Park, K.Yasuda, B.K.Wagner, C.J.Summers

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学術関係受賞

  • 第60回電気科学技術奨励賞

    2012年11月27日   公益財団法人電気科学技術奨励会  

    受賞者:  Niraula Madan、安田 和人

  • 第10回永井学術賞

    1993年04月   -  

    受賞者:  -

 
 

学会・委員会等活動

  • 2012年04月
    -
    2014年03月

    2013 第16回II-VI族化合物関連材料国際会議   国際プログラム委員

  • 2009年05月
    -
    2012年03月

    米国材料研究学会   セッション世話人、座長、放射線検出器材料部門、春期学会サンフランシスコ

  • 2008年04月
    -
    2009年04月

    米国材料研究学会   セッション世話人、座長、放射線検出器材料部門、春期学会サンフランシスコ