出身大学 【 表示 ／ 非表示 】

出身大学

出身大学院 【 表示 ／ 非表示 】

出身大学院

取得学位 【 表示 ／ 非表示 】

取得学位

所属学会・委員会 【 表示 ／ 非表示 】

所属学会・委員会

専門分野（科研費分類） 【 表示 ／ 非表示 】

専門分野（科研費分類）

研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】

研究経歴

• 半導体の電気的特性の評価

  国内共同研究  

  研究期間：   - 

• 半導体薄膜の電気・光化学堆積

  個人研究  

  研究期間：   - 

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文

• Semiconducting Cu-doped AlOx films fabricated by drop-photochemical deposition

  M. Umemura, M. Ichimura

  Mater. Res. Express   6   035904   2019年03月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• On the Possibility of Valence Control of Aluminum Oxide for Electronics Applications

  M. Ichimura

  J. Electron. Mater.   6 ( 1 ) 583 - 588   2019年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   単著

• Fabrication of Pyrite FeS2 Films from Electrochemically Deposited FeOOH by Sulfur Annealing

  S. Maki, N. Takeda, M. Ichimura

  Int. J. Electrochem. Sci.   13   10829 - 10836   2018年10月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Fabrication of Copper Oxide Thin Films by Galvanostatic Deposition from Weakly Acidic Solutions

  M. Keikhaei, M. Ichimura

  Int. J. Electrochem. Sci.   13   9931 - 9941   2018年09月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Electrochemical deposition of Cu-doped p-type iron oxide thin films

  S. Kobayashi, M. Ichimura

  Semicond. Sci. Technol.   33 ( 9 ) 105006   2018年09月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions

  Y. Ichikawa, M. Ichimura, T. Kimoto, M. Kato

  ECS J. Solid St. Sci. Technol.   7 ( 8 ) Q127 - Q130   2018年08月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Fast electrochemical deposition of Ni(OH)2 precursor involving water electrolysis for fabrication of NiO thin films

  M. Koyama, M. Ichimura

  Semicond. Sci. Technol.   33 ( 5 ) 055011   2018年05月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Effects of Complexing Agents on Electrochemical Deposition of FeSxOy in ZnO/FeSxOy Heterostructures

  A. Supee, M. Ichimura

  Applied Physics A   123   722   2017年11月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction

  N. Ichikawa, M. Ichimura, M. Kato

  Int. J. Hydrogen Energy   42   22698 - 22703   2017年10月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• 透明p型半導体NiOの電気化学堆積

  トンバインガルディ、市村

  電気学会論文誌A   137   542 - 546   2017年09月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

全件表示 >>

著書 【 表示 ／ 非表示 】

著書

• 太陽電池入門

  市村正也 (担当： 単著 )

  オーム社  2012年04月 ISBN: 978-4-274-21191-1

• 工学系のための応用数学

  市村正也, 森田良文 (担当： 共著 )

  森北出版  2018年09月 ISBN: 978-4-627-08201-4

• 高校化学からはじめる半導体

  市村正也 (担当： 単著 )

  オーム社  2011年03月 ISBN: 978-4-274-20996-3

• 新インターユニバーシティ半導体工学

  - (担当： 共著 )

  オーム社  2009年04月

• 新インターユニバーシティ固体電子物性

  - (担当： 共著 )

  オーム社  2009年04月

• インターユニバーシティ半導体工学

  - (担当： 共著 )

  オーム社  1999年04月

• 半導体物性工学

  - (担当： 共著 )

  朝倉書店  1990年04月

総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事

• 真空度測定のコツ

  市村正也

  応用物理   85 ( 6 ) 508   2016年06月  [査読有り]  [依頼有り]

  総説・解説（学術雑誌）   単著

• 真空技術のコツ

  市村正也

  応用物理 ( 応用物理学会 )  85 ( 1 ) 49 - 52   2016年01月

  総説・解説（国際会議プロシーディングズ）   単著

• 真空技術超入門

  市村正也

  Journal of the Vacuum Society of Japan（真空） ( 日本真空学会 )  58 ( 8 ) 273 - 281   2015年08月

  総説・解説（国際会議プロシーディングズ）   単著

• 電気化学堆積法を用いたSnS 系ヘテロ接合太陽電池の開発

  市村正也

  高効率太陽電池－化合物・集光型・量子ドット型・Si・有機系・その他材料－ ( NTS )    106 - 113   2012年05月

  総説・解説（その他）   単著

• 硫化物を用いた薄膜太陽電池

  市村正也

  月間ディスプレイ ( テクノタイムズ社 )  17 ( 10 ) 41 - 46   2011年10月

  総説・解説（商業誌）   単著

• 薄膜シリコン太陽電池

  市村正也

  最新太陽電池技術の徹底検証・今後の展開 ( 情報機構 )    29 - 36   2008年11月

  総説・解説（その他）   単著

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表

• Fabrication of MgO Thin Films by Electrochemical Deposition with Cu Catalyst

  M. KEIKHAEI, M. ICHIMURA

  第28回日本MRS年次大会  2018年12月  -  2018年12月 

• エレクトロニクス応用のための酸化アルミニウムへの不純物ドーピング

  市村正也

  第28回日本MRS年次大会  2018年12月  -  2018年12月  日本MRS

• 電気化学堆積法によるFeOOH/FeS2ヘテロ接合の作製

  武田、市村

  27回　日本MRS年次大会  2017年12月  -  2017年12月 

• FABRICATION OF FeOOH/FeS2 HETERO JUNCTIONS by ELECTROCHEMICAL DEPOSITION AND SULFUR ANNEALING

  S. Maki, M. Ichimura

  27th Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf.  (Otsu)  2017年11月  -  2017年11月 

• CHARACTERIZATION OF FeS O THIN FILMS PREPARED BY THREE-STEP PULSE ELECTROCHEMICAL DEPOSITION

  A. Supee, M. Ichimura

  XXVI International Materials Research Congress  (Mexico)  2017年08月  -  2017年08月 

• ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF Cu-DOPED P-TYPE γ-FeOOH THIN FILMS

  S. Kobayashi, M. Ichimura

  XXVI International Materials Research Congress  (Mexico)  2017年08月  -  2017年08月 

• FABRICATION OF NiO THIN FILMS BY GALVANOSTATIC ELECTROCHEMICAL DEPOSITION

  M. Koyama, M. Ichimura

  XXVI International Materials Research Congress  2017年08月  -  2017年08月 

• N TYPE AlOx THIN FILMS FABRICATED BY DROP PHOTOCHEMICAL DEPOSITION

  M. Umemura, M. Ichimura

  XXVI International Materials Research Congress  (Mexico)  2017年08月  -  2017年08月 

• Fabrication of AlOx thin films by drop photochemical deposition

  S. Sato, M. Ichimura

  26th Annual Meeting of MRS-J (Englich session)  2016年12月  -  2016年12月 

• Fabrication of Fe-S-O thin films by sulfur annealing of electrochemically deposited FeOOH films

  S. Maki, M. Ichimura

  26th Annual Meeting of MRS-J (Englich session)  2016年12月  -  2016年12月 

全件表示 >>

工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

工業所有権

• 光起電力素子およびその製造方法

  特願 特願2013-171577 

  川井正一、祖父江進、市村正也

• Method for forming gold plating

  特願 10/895498  特開 7641944B2  特許 7641944

  Masaya Ichimura, Kanji Masui

• 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置

  特願 2004-210430  特開 2005-60828  特許 4521228

  市村正也, 増井寛二

• 化合物半導体の製造方法及び製造装置

  特開 2958448 

  -市村正也，荒井英輔，後藤文孝

学術関係受賞 【 表示 ／ 非表示 】

学術関係受賞

• SEMI Silicon Wafer Committee, Technical Committee Award 2006

  2006年04月   -  

  受賞者：  -

• Prof. Ramasamy National Award for Crystal Growth 2004

  2004年04月   -  

  受賞者：  -

学会・委員会等活動 【 表示 ／ 非表示 】

学会・委員会等活動