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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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教授 |
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市村 正也 (イチムラ マサヤ)
ICHIMURA Masaya
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論文
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Effects of Complexing Agents on Electrochemical Deposition of FeSxOy in ZnO/FeSxOy Heterostructures
A. Supee, M. Ichimura
Applied Physics A 123 722 2017年11月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction
N. Ichikawa, M. Ichimura, M. Kato
Int. J. Hydrogen Energy 42 22698 - 22703 2017年10月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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透明p型半導体NiOの電気化学堆積
トンバインガルディ、市村
電気学会論文誌A 137 542 - 546 2017年09月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Drop-photochemical deposition of aluminum oxide thin films from aqueous solutions
S. Sato and M. Ichimura
Materials Research Express 4 046405 2017年04月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Three-step pulse electrochemical deposition of FeSxOy thin films and their characterization
A. Supee and M. Ichimura
Materials Research Express 4 036410 2017年03月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen
N. Ichikawa, M. Kato, M. Ichimura
Appl. Phys. Lett. 109 153904 2016年10月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Effects of annealing on properties of electrochemically deposited CuxZnyS thin films
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 41 255 2016年09月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 55 098004 2016年09月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Effects of complexing agents on electrochemical deposition of FeSxOy thin films
A. Supee and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 55 081202 2016年08月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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J. J. M. Vequizo, M. Yokoyama, M. Ichimura, and A. Yamakata
Appl. Phys. Exp. 9 067101 2016年06月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
著書
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太陽電池入門
市村正也 (担当： 単著 )
オーム社 2012年04月 ISBN: 978-4-274-21191-1
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高校化学からはじめる半導体
市村正也 (担当： 単著 )
オーム社 2011年03月 ISBN: 978-4-274-20996-3
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新インターユニバーシティ半導体工学
- (担当： 共著 )
オーム社 2009年04月
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新インターユニバーシティ固体電子物性
- (担当： 共著 )
オーム社 2009年04月
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インターユニバーシティ半導体工学
- (担当： 共著 )
オーム社 1999年04月
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半導体物性工学
- (担当： 共著 )
朝倉書店 1990年04月
総説・解説記事
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真空度測定のコツ
市村正也
応用物理 85 ( 6 ) 508 2016年06月 [査読有り] [依頼有り]
総説・解説（学術雑誌） 単著
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真空技術のコツ
市村正也
応用物理 ( 応用物理学会 ) 85 ( 1 ) 49 - 52 2016年01月
総説・解説（国際会議プロシーディングズ） 単著
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真空技術超入門
市村正也
Journal of the Vacuum Society of Japan（真空） ( 日本真空学会 ) 58 ( 8 ) 273 - 281 2015年08月
総説・解説（国際会議プロシーディングズ） 単著
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電気化学堆積法を用いたSnS 系ヘテロ接合太陽電池の開発
市村正也
高効率太陽電池－化合物・集光型・量子ドット型・Si・有機系・その他材料－ ( NTS ) 106 - 113 2012年05月
総説・解説（その他） 単著
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硫化物を用いた薄膜太陽電池
市村正也
月間ディスプレイ ( テクノタイムズ社 ) 17 ( 10 ) 41 - 46 2011年10月
総説・解説（商業誌） 単著
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薄膜シリコン太陽電池
市村正也
最新太陽電池技術の徹底検証・今後の展開 ( 情報機構 ) 29 - 36 2008年11月
総説・解説（その他） 単著
研究発表
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電気化学堆積法によるFeOOH/FeS2ヘテロ接合の作製
武田、市村
27回 日本MRS年次大会 2017年12月 - 2017年12月
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FABRICATION OF FeOOH/FeS2 HETERO JUNCTIONS by ELECTROCHEMICAL DEPOSITION AND SULFUR ANNEALING
S. Maki, M. Ichimura
27th Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf. (Otsu) 2017年11月 - 2017年11月
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CHARACTERIZATION OF FeS O THIN FILMS PREPARED BY THREE-STEP PULSE ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
A. Supee, M. Ichimura
XXVI International Materials Research Congress (Mexico) 2017年08月 - 2017年08月
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ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF Cu-DOPED P-TYPE γ-FeOOH THIN FILMS
S. Kobayashi, M. Ichimura
XXVI International Materials Research Congress (Mexico) 2017年08月 - 2017年08月
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FABRICATION OF NiO THIN FILMS BY GALVANOSTATIC ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
M. Koyama, M. Ichimura
XXVI International Materials Research Congress 2017年08月 - 2017年08月
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N TYPE AlOx THIN FILMS FABRICATED BY DROP PHOTOCHEMICAL DEPOSITION
M. Umemura, M. Ichimura
XXVI International Materials Research Congress (Mexico) 2017年08月 - 2017年08月
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Fabrication of Fe-S-O thin films by sulfur annealing of electrochemically deposited FeOOH films
S. Maki, M. Ichimura
26th Annual Meeting of MRS-J (Englich session) 2016年12月 - 2016年12月
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Fabrication of Fe-S/FeOOH hetero junctions by electrochemical deposition
N. Takeda, M. Ichimura
26th Annual Meeting of MRS-J (Englich session) 2016年12月 - 2016年12月
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Fabrication of AlOx thin films by drop photochemical deposition
S. Sato, M. Ichimura
26th Annual Meeting of MRS-J (Englich session) 2016年12月 - 2016年12月
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Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
M. Ichimura [招待有り]
Int. Conf. Engineering, Science, and Nanotechnology (Solo, Indonesia) 2016年08月 - 2016年08月
工業所有権
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光起電力素子およびその製造方法
特願 特願2013-171577
川井正一、祖父江進、市村正也
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Method for forming gold plating
特願 10/895498 特開 7641944B2 特許 7641944
Masaya Ichimura, Kanji Masui
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光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
特願 2004-210430 特開 2005-60828 特許 4521228
市村正也, 増井寛二
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化合物半導体の製造方法及び製造装置
特開 2958448
-市村正也，荒井英輔，後藤文孝
学術関係受賞
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SEMI Silicon Wafer Committee, Technical Committee Award 2006
2006年04月 -
受賞者： - -
Prof. Ramasamy National Award for Crystal Growth 2004
2004年04月 -
受賞者： -