加藤 正史 (カトウ マサシ)

KATO Masashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
工学教育総合センター

職名

准教授

ホームページ

http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/

外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 名古屋工業大学 )

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学  / 半導体材料工学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器  / 半導体デバイス工学

出身学校

  • 名古屋工業大学   工学部   電気情報工学科   卒業

    - 1998年03月

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    国名:日本国

出身大学院

  • 名古屋工業大学   工学研究科   電気情報工学専攻   博士課程   修了

    - 2003年03月

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    国名:日本国

  • 名古屋工業大学   工学研究科   電気情報工学専攻   修士課程   修了

    - 2000年03月

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    国名:日本国

学外略歴

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2009年08月 - 2009年10月

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    国名:リトアニア共和国

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2008年08月 - 2008年10月

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    国名:リトアニア共和国

  • ヴィリニュス大学   研究員

    2010年08月 - 2010年09月

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    国名:リトアニア共和国

  • 名古屋大学   未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター   客員准教授

    2016年07月 - 2021年03月

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    国名:日本国

所属学協会

  • 第 18 回結晶成長国際会議(ICCGE-18)実行委員会(現地実行委員)

    2014年09月 - 2016年08月

  • 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

    2014年02月 - 2020年03月

  • 自動車技術会

    2013年01月 - 現在

  • GV(グリーンビークル)マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」

    2010年09月 - 2011年01月

  • IEEE

    2005年01月 - 2010年12月

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研究経歴

  • 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

    (選択しない)  

    研究期間: 2010年04月 - 現在

  • アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

    (選択しない)  

    研究期間: 2003年03月 - 2017年03月

  • 電気化学法による半導体の加工

    (選択しない)  

    研究期間: 2000年03月 - 現在

  • ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

    (選択しない)  

    研究期間: 1997年04月 - 現在

論文

  • Effects of ion implantation process on defect distribution in SiC SJ-MOSFET 査読あり 国際誌

    Takuya Fukui, Tatsuya Ishii, Takeshi Tawara, Kensuke Takenaka, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   62   016508-1 - 016508-6   2023年01月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acb0a2

    DOI: 10.35848/1347-4065/acb0a2

  • 4H-SiC Auger recombination coefficient under the high injection condition 査読あり 国際誌

    Kazuhiro Tanaka, Keisuke Nagaya, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SC1017-1 - SC1017-4   2023年01月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acaca8

    DOI: 10.35848/1347-4065/acaca8

  • Vascular endothelium as a target tissue for short-term exposure to low-frequency noise that increases cutaneous blood flow 査読あり 国際誌

    Yuqi Deng, Nobutaka Ohgami, Takumi Kagawa, Fitri Kurniasari, Dijie Chen, Masashi Kato, Akira Tazaki, Masayo Aoki, Hiroki Katsuta, Keming Tong, Yishuo Gu, Masashi Kato

    Science of The Total Environment   851 ( 1 )   158828   2022年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.scitotenv.2022.158828

    DOI: 10.1016/j.scitotenv.2022.158828

  • Surface recombination velocities for the (100) and (001) crystal faces of bismuth vanadate single crystals 査読あり 国際誌

    Endong Zhang, Masashi Kato

    Journal of Physics D: Applied Physics   56   025103-1 - 025103-5   2022年12月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6463/aca6f7

    DOI: 10.1088/1361-6463/aca6f7

  • Mechanochemical Synthesis of Cesium Titanium Halide Perovskites Cs2TiBr6-xIx (x = 0, 2, 4, 6) 査読あり 国際共著 国際誌

    Christian Kupfer, Jack Elia, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec

    Crystal Research Technology   2200150-1 - 2200150-6   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/crat.202200150

    DOI: 10.1002/crat.202200150

  • Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada

    Scientific Reports   12   18790   2022年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-022-23691-y

    DOI: 10.1038/s41598-022-23691-y

    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41598-022-23691-y

  • Trapping effects and surface/interface recombination of carrier recombination in single- or poly-crystalline metal halide perovskites 査読あり 国際共著 国際誌

    Ntumba Lobo, Takuya Kawane, Gebhard Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Christoph Brabec, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   2022年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/aca05b

    DOI: 10.35848/1347-4065/aca05b

  • Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation 査読あり 国際誌

    Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato

    Materials Science in Semiconductor Processing   153   107126-1 - 107126-5   2022年09月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107126

  • Metal Organic Frameworks as Synthetic Precursors for SILAR: A Tale of Two Oxides 査読あり 国際共著 国際誌

    Noseung Myung, Kongshik Rho, Eun Bee Shon, Tae Wan Park, Soo Yeon Kim, Masashi Kato, Krishnan Rajeshwar

    ECS Journal of Solid State Science and Technology   11   093007   2022年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2162-8777/ac8fb3

  • Estimation of surface recombination velocities and bulk carrier lifetime for SrTiO3 using angle-lapped structures 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Yosuke Kato

    Chemical Physics Letters   805   139955-1 - 139955-3   2022年08月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2022.139955

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書籍等出版物

  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

    監修者 岩室 憲幸( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 第1編 第1章 第3節)

    (株)エヌ・ティー・エス  2022年02月 

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    総ページ数:414   担当ページ:31-38   記述言語:日本語   著書種別:一般書・啓蒙書

  • 薄膜の評価技術ハンドブック

    加藤 正史( 担当: 共編者(共編著者) ,  範囲: 第2章第4節第4項 DLTS法)

    株式会社テクノシステム  2013年01月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-

    加藤正史( 担当: 単著 ,  範囲: 第3章第4節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善)

    S&T出版  2012年10月  ( ISBN:978-4-907002-06-0

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=

    加藤 正史( 担当: 単著 ,  範囲: 第12章.SiCへの金属電極の形成方法)

    サイエンス&テクノロジー株式会社  2010年05月  ( ISBN:9784903413846

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

MISC

  • パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化

    加藤 正史

    セラミックス   55 ( 9 )   699 - 699   2020年09月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:書評論文,書評,文献紹介等  

    その他リンク: http://www.ceramic.or.jp/ihensyub/topics/topics2020.9.pdf

  • 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性:人工光合成 招待あり

    加藤 正史

    セラミックス 第54巻 1月号(2019年)   54 ( 1 )   36 - 39   2019年01月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

  • 人はなぜ研究者を続けることができるか

    加藤 正史

    応用物理   86 ( 6 )   505 - 506   2017年06月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

  • SiC光陰極による人工光合成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング   62 ( 1 )   19 - 23   2017年01月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:化学工業社  

  • 半導体を用いた水素生成技術

    加藤 正史

    応用物理   85 ( 2 )   100 - 104   2016年02月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(国際会議プロシーディングズ)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

  • ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

    加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ

    日経エレクトロニクス   65 - 71   2014年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:日経BP社  

  • 世界初!「SiCと水から水素を製造!」

    加藤正史

    マテリアルステージ   ( 2月 )   64 - 66   2014年02月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:技術情報協会  

  • シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング   58 ( 10 )   7 - 11   2013年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   出版者・発行元:化学工業社  

講演・口頭発表等

  • IIA-15 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度の励起強度依存性

    小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • IB-11 光学的手法によるチャネリングイオン注入の角度検出

    丸橋 拓実, 佐藤 寿弥, 米澤 喜幸, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • IB-12 SiC PiN ダイオードへの H +注入によるバイポーラ劣化の抑制

    渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • IB-13 HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する PL 信号の相違

    石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • IB-15 集光した偏光レーザーを用いた SiC 内部の転位の 3 次元観測

    佐藤 寿弥, 加藤 智久, 原田 俊太, 加藤 正史

    先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡国際会議場  

  • OTC-06 Observation of carrier lifetimes inside of SiC epilayers and devices 招待あり 国際会議

    Masashi Kato

    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2022年11月 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan   国名:台湾  

  • [J-5-03] Auger recombination coefficient in 4H-SiC under the high injection condition 国際会議

    Kazuhiro TANAKA, Keisuke NAGAYA , Masashi KATO

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials  2022年09月 

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • [C-4-03] Accurate estimation of surface recombination velocities for SrTiO3 using angle-lapped structures 国際会議

    Masashi Kato, Yosuke Kato

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials  2022年09月 

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 20p-C306-6 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度

    小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史

    2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会  2022年09月 

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 20p-C306-5 H+注入によるSiC PiNダイオード内積層欠陥拡張の抑制

    渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

    2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会  2022年09月 

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    開催年月日: 2022年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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産業財産権

  • 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置

    加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史

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    出願番号:特願2018-104637  出願日:2018年05月

    特許番号/登録番号:19230941  登録日:2021年07月  発行日:2021年07月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤正史、市川尚澄

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    出願番号:特願2016-033015  出願日:2016年02月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄

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    出願番号:特願2015-076647  出願日:2015年04月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

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    出願番号:特願2015-014184  出願日:2015年01月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 高変換効率SiC光電極

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

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    出願番号:2014-227634  出願日:2014年11月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 界面抵抗を低減したSiC光電極およびその製造方法、ならびにSiC光電極を用いた水素製造装置

    加藤 正史, 長谷川 貴大

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    出願番号:2014-015515  出願日:2014年01月

    出願国:国内   取得国:国内

  • 半導体キャリアライフタイム測定方法

    加藤 正史,森 祐人

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    出願番号:2013-165683  出願日:2013年08月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美

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    出願番号:特願2013-051477  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤 正史,久保 真奈美,谷口 淳紀

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    出願番号:特願2013-051488  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

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    出願番号:特願2013-051469  出願日:2013年03月

    出願国:国内   取得国:国内

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受賞

  • 永井技術賞

    2021年03月   永井科学技術財団   SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発

    加藤正史

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  • Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards

    2021年   IOP Publishing  

    Masashi Kato

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

  • the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月   MRS-J  

    Masashi Kato

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)

    2014年04月   文部科学省  

    平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

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    受賞国:日本国

  • 安藤博記念学術奨励賞

    2010年06月   財団法人安藤研究所  

    加藤正史

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    受賞区分:出版社・新聞社・財団等の賞  受賞国:日本国

  • 電子情報通信学会学生研究奨励賞

    2003年06月   -  

    -

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    受賞国:日本国

  • Best Paper Award

    2003年02月   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

    Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

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    受賞区分:国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:インド

 

委員歴

  • 応用物理学会   応用物理学会 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員  

    2022年08月 - 2022年09月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会第9回講演会プログラム委員長  

    2022年01月 - 2022年12月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   ISPlasma2019/IC-PLANTS2019プログラム委員  

    2018年04月 - 2019年03月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   学術講演会プログラム委員  

    2017年04月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会第4回講演会実行委員長  

    2016年12月 - 2017年11月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会幹事  

    2016年04月 - 2020年03月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会庶務幹事  

    2014年01月 - 2014年12月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   先進パワー半導体分科会第1回講演会実行委員  

    2013年12月 - 2014年11月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   ICSCRM2013プログラム委員  

    2012年11月 - 2013年10月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会   国際固体素子・材料コンファレンス論文委員  

    2011年12月 - 2014年12月   

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