加藤 正史 (カトウ マサシ)

KATO Masashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

准教授

ホームページ

http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/

研究分野・キーワード

半導体工学

出身大学

  •  
    -
    1998年03月

    名古屋工業大学   工学部   電気情報工学科   卒業

出身大学院

  •  
    -
    2003年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学専攻博士課程  修了

  •  
    -
    2000年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学専攻修士課程  修了

取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士(工学)

学外略歴

  • 2016年07月
    -
    2019年03月

      名古屋大学   未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター   客員准教授

  • 2010年08月
    -
    2010年09月

      ヴィリニュス大学   研究員

  • 2009年08月
    -
    2009年10月

      ヴィリニュス大学   研究員

  • 2008年08月
    -
    2008年10月

      ヴィリニュス大学   研究員

所属学会・委員会

  •  
     
     

    ICSCRM2019プログラム委員会

  • 2014年09月
    -
    2016年08月

    第 18 回結晶成長国際会議(ICCGE-18)実行委員会(現地実行委員)

  • 2014年02月
    -
    2020年03月

    文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

  • 2013年01月
    -
    継続中

    自動車技術会

  • 2010年09月
    -
    2011年01月

    GV(グリーンビークル)マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」

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専門分野(科研費分類)

  • 電子・電気材料工学

  • デバイス関連化学

 

研究経歴

  • 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

    研究期間:  2010年04月  -  現在

  • アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

    個人研究  

    研究期間:  2003年03月  -  2017年03月

  • 電気化学法による半導体の加工

    個人研究  

    研究期間:  2000年03月  -  現在

  • ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

    個人研究  

    研究期間:  1997年04月  -  現在

論文

  • Heat shock protein 70 is a key molecule to rescue imbalance caused by low‑frequency noise

    Reina Negishi‑Oshino, Nobutaka Ohgami, Tingchao He, Xiang Li, Masashi Kato, Masayoshi Kobayashi, Yishuo Gu, Kanako Komuro, Charalampos E. Angelidis, Masashi Kato

    Archives of Toxicology     2019年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Characterisation of defects in p-type 4H-, 6H- and 3C-SiC epilayers grown on SiC substrates

    Masashi Kato, Naoto Ichikawa, Yoshitaka Nakano

    Materials Letters   254   96 - 98   2019年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Effects of Nb Doping on the Photocatalytic Performance of Rutile TiO2 Single Crystals

    Masashi Kato, Hayao Najima, Takaya Ozawa

    Journal of The Electrochemical Society   166 ( 10 ) H468 - H472   2019年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

    Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Masashi Kato

    Journal of Visualized Experiments   146   e59007   2019年04月  [査読有り]  [招待有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • RECOMBINATION AND DIFFUSION PROCESSES IN ELECTRONIC GRADE 4H SILICON CARBIDE

    P. Ščajev, L. Subačius, K. Jarašiūnas, M. Kato

    Lithuanian Journal of Physics   59 ( 1 ) 26 - 34   2019年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Ultraviolet light induced electrical hysteresis effect in graphene-GaN heterojunction

    Ajinkya K. Ranade, Rakesh D. Mahyavanshi, Pradeep Desai, Masashi Kato, Masaki Tanemura, Golap Kalita

    Applied Physics Letters   114   151102   2019年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, free-carrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques

    Patrik Ščajev, Saulius Miasojedovas, Liudvikas Subačius, Kęstutis Jarašiūnas, Alexander V. Mazanik , Olga V. Korolik, Masashi Kato

    Journal of Luminescence   212   92 - 98   2019年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC

    Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, and Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics   124 ( 9 ) 095702   2018年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions

    Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato

    the ECS Journal of Solid State Science and Technology   7 ( 8 ) Q127 - Q130   2018年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (1120) epitaxial layer caused by electron beam irradiation

    Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123   225101-1 - 225101-6   2018年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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著書

  • 薄膜の評価技術ハンドブック

    加藤 正史 (担当: 共編著 , 担当範囲: 第2章第4節第4項 DLTS法 )

    株式会社テクノシステム  2013年01月

  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-

    加藤正史 (担当: 単著 , 担当範囲: 第3章第4節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善 )

    S&T出版  2012年10月 ISBN: 978-4-907002-06-0

  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=

    加藤 正史 (担当: 単著 , 担当範囲: 第12章.SiCへの金属電極の形成方法 )

    サイエンス&テクノロジー株式会社  2010年05月 ISBN: 9784903413846

総説・解説記事

  • 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性:人工光合成

    加藤 正史

    セラミックス 第54巻 1月号(2019年) ( 日本セラミックス協会 )  54 ( 1 ) 36 - 39   2019年01月  [依頼有り]

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • 人はなぜ研究者を続けることができるか

    加藤 正史

    応用物理   86 ( 6 ) 505 - 506   2017年06月

    その他記事   単著

  • SiC光陰極による人工光合成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  62 ( 1 ) 19 - 23   2017年01月

    総説・解説(商業誌)   単著

  • 半導体を用いた水素生成技術

    加藤 正史

    応用物理 ( 公益社団法人 応用物理学会 )  85 ( 2 ) 100 - 104   2016年02月

    総説・解説(国際会議プロシーディングズ)   単著

  • ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

    加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ

    日経エレクトロニクス ( 日経BP社 )    65 - 71   2014年10月

    総説・解説(商業誌)   共著

  • 世界初!「SiCと水から水素を製造!」

    加藤正史

    マテリアルステージ ( 技術情報協会 )  ( 2月 ) 64 - 66   2014年02月

    総説・解説(商業誌)   単著

  • シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  58 ( 10 ) 7 - 11   2013年10月

    総説・解説(商業誌)   単著

研究発表

  • [Fr-1B-03] High Performance 3C-SiC Photocathode with Texture Structure Formed by Electrochemical Etching

    Masashi Kato, Tomohiro Ambe

    ICSCRM2019  (Kyoto ICC)  2019年09月  -  2019年10月  ICSCRM2019 Organizing Committee

  • [Fr-3B-05LN] Microscopic FCA system for carrier lifetime measurement in SiC with high spatial resolution

    Keisuke Nagaya, Takashi Hirayama, Takeshi Tawara, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato

    ICSCRM2019  (Kyoto ICC)  2019年09月  -  2019年10月  ICSCRM2019 Organizing Committee

  • [Th-P-51LN] Nondestructive depth distribution measurements of carrier lifetime in 4H-SiC thick epitaxial layers with high spatial resolution

    akashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato

    ICSCRM2019  (Kyoto ICC)  2019年09月  -  2019年10月  ICSCRM2019 Organizing Committee

  • [19a-E301-4] GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布

    安田 優斗、宇佐美 茂佳、田中 敦之、天野 浩、加藤 正史

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • [18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存

    加藤 正史、浅田 貴斗、朱 帥、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • [20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定

    長屋 圭祐、平山 貴史、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • [19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価

    塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • [A-1-03] Observation of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures

    T. Kawane, G.J. Matt, S. Shrestha, L. Jevgen, C.J. Brabec, A. Kanak, P. Fochuk, M. Kato

    SSDM2019  (Nagoya University)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • [PS-4-22] Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates

    S. Zhu, K. Ito, K. Tomita, T. Narita, T. Kachi, M. Kato

    SSDM2019  (Nagoya University)  2019年09月  -  2019年09月  JSAP

  • エピ成膜したOn axis SiCのX線トポグラフィ観察

    石地耕太郎,加藤正史

    X線トポグラフィ研究会  (大阪大学 吹田キャンパス)  2019年08月  -  2019年08月 

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工業所有権

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2016-033015 

    加藤正史、市川尚澄

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2015-076647 

    加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2015-014184 

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

  • 高変換効率SiC光電極

    特願 2014-227634 

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

  • 界面抵抗を低減したSiC光電極およびその製造方法、ならびにSiC光電極を用いた水素製造装置

    特願 2014-015515 

    加藤 正史, 長谷川 貴大

  • 半導体キャリアライフタイム測定方法

    特願 2013-165683 

    加藤 正史,森 祐人

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051477 

    加藤正史、久保真奈美

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051488 

    加藤 正史,久保 真奈美,谷口 淳紀

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051469 

    加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

  • アクティブノイズコントロールシステムおよびそれらに用いられる電子回路

    特願 特願2013-014367 

    加藤正史、山中星良

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学術関係受賞

  • the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月21日   MRS-J  

    受賞者:  Masashi Kato

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)

    2014年04月15日   文部科学省  

    受賞者:  平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

  • 安藤博記念学術奨励賞

    2010年06月19日   財団法人安藤研究所  

    受賞者:  加藤正史

  • 電子情報通信学会学生研究奨励賞

    2003年06月04日   -  

    受賞者:  -

  • Best Paper Award

    2003年02月22日   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

    受賞者:  Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

 
 

学会・委員会等活動

  • 2018年04月
    -
    2019年03月

    応用物理学会   ISPlasma2019/IC-PLANTS2019プログラム委員

  • 2017年04月
    -
    現在

    応用物理学会   学術講演会プログラム委員

  • 2016年12月
    -
    2017年11月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会第4回講演会実行委員長

  • 2016年04月
    -
    2020年03月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会幹事

  • 2014年01月
    -
    2014年12月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会庶務幹事

  • 2013年12月
    -
    2014年11月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会第1回講演会実行委員

  • 2012年11月
    -
    2013年10月

    応用物理学会   ICSCRM2013プログラム委員

  • 2011年12月
    -
    2014年12月

    応用物理学会   国際固体素子・材料コンファレンス論文委員

  • 2011年07月
    -
    2020年03月

    自動車技術会   自動車技術会 車載用パワーエレクトロニクス技術部門委員会 委員

  • 2010年12月
    -
    2011年11月

    応用物理学会   2011年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員