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所属学会・委員会

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専門分野（科研費分類） 【 表示 ／ 非表示 】

専門分野（科研費分類）

研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】

研究経歴

• 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

  研究期間：  2010年04月  -  現在

• アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

  個人研究  

  研究期間：  2003年03月  -  2017年03月

• 電気化学法による半導体の加工

  個人研究  

  研究期間：  2000年03月  -  現在

• ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

  個人研究  

  研究期間：  1997年04月  -  現在

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文

• Effects of Nb Doping on the Photocatalytic Performance of Rutile TiO2 Single Crystals

  Masashi Kato, Hayao Najima, Takaya Ozawa

  Journal of The Electrochemical Society   166 ( 10 ) H468 - H472   2019年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

  Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Masashi Kato

  Journal of Visualized Experiments   146   e59007   2019年04月  [査読有り]  [招待有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• RECOMBINATION AND DIFFUSION PROCESSES IN ELECTRONIC GRADE 4H SILICON CARBIDE

  P. Ščajev, L. Subačius, K. Jarašiūnas, M. Kato

  Lithuanian Journal of Physics   59 ( 1 ) 26 - 34   2019年04月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Ultraviolet light induced electrical hysteresis effect in graphene-GaN heterojunction

  Ajinkya K. Ranade, Rakesh D. Mahyavanshi, Pradeep Desai, Masashi Kato, Masaki Tanemura, Golap Kalita

  Applied Physics Letters   114   151102   2019年04月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, free-carrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques

  Patrik Ščajev, Saulius Miasojedovas, Liudvikas Subačius, Kęstutis Jarašiūnas, Alexander V. Mazanik , Olga V. Korolik, Masashi Kato

  Journal of Luminescence   212   92 - 98   2019年04月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC

  Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, and Tsunenobu Kimoto

  Journal of Applied Physics   124 ( 9 ) 095702   2018年09月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions

  Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato

  the ECS Journal of Solid State Science and Technology   7 ( 8 ) Q127 - Q130   2018年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (1120) epitaxial layer caused by electron beam irradiation

  Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123   225101-1 - 225101-6   2018年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Increased expression level of Hsp70 in the inner ears of mice by exposure to low frequency noise

  Hiromasa Ninomiya, Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Masashi Kato, Kyoko Ohgami, Xiang Li, Dandan Shen, Machiko Iida, Ichiro Yajima, Charalampos E. Angelidis, Hiroaki Adachi, Masahisa Katsuno, Gen Sobue, Masashi Kato

  Hearing Research   363   49 - 54   2018年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation

  Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yong Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato

  Materials Science Forum   924   151 - 154   2018年06月  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著

  

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

著書

• 薄膜の評価技術ハンドブック

  加藤　正史 (担当： 共編著 , 担当範囲: 第2章第4節第4項　DLTS法 )

  株式会社テクノシステム  2013年01月

• ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向　－普及に向けたデバイスプロセスと実装技術－

  加藤正史 (担当： 単著 , 担当範囲: 第３章第４節　陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善 )

  S&T出版  2012年10月 ISBN: 978-4-907002-06-0

• ＳｉＣパワーデバイス最新技術　＝次世代パワーエレクトロニクス＝

  加藤　正史 (担当： 単著 , 担当範囲: 第１２章．ＳｉＣへの金属電極の形成方法 )

  サイエンス＆テクノロジー株式会社  2010年05月 ISBN: 9784903413846

総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事

• 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性：人工光合成

  加藤　正史

  セラミックス 第54巻 1月号（2019年） ( 日本セラミックス協会 )  54 ( 1 ) 36 - 39   2019年01月  [依頼有り]

  総説・解説（学術雑誌）   単著

• 人はなぜ研究者を続けることができるか

  加藤 正史

  応用物理   86 ( 6 ) 505 - 506   2017年06月

  その他記事   単著

• SiC光陰極による人工光合成

  加藤　正史

  ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  62 ( 1 ) 19 - 23   2017年01月

  総説・解説（商業誌）   単著

• 半導体を用いた水素生成技術

  加藤　正史

  応用物理 ( 公益社団法人　応用物理学会 )  85 ( 2 ) 100 - 104   2016年02月

  総説・解説（国際会議プロシーディングズ）   単著

• ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

  加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ　アヌスヤ

  日経エレクトロニクス ( 日経BP社 )    65 - 71   2014年10月

  総説・解説（商業誌）   共著

• 世界初！「SiCと水から水素を製造！」

  加藤正史

  マテリアルステージ ( 技術情報協会 )  ( 2月 ) 64 - 66   2014年02月

  総説・解説（商業誌）   単著

• シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

  加藤　正史

  ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  58 ( 10 ) 7 - 11   2013年10月

  総説・解説（商業誌）   単著

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表

• Fr-P14 SiCにおけるキャリア寿命評価手法比較

  加藤 正史

  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」  (広島大学)  2019年06月  -  2019年06月 

• [9p-S321-7] Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure

  Zhenhang Liu、Masashi Kato

  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月  -  2019年03月 

• [11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動

  石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志

  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月  -  2019年03月 

• [10a-PB1-18] ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定

  河根 拓哉、Matt Gebhard、Osvet Andres、Shrestha Shreetu、Jevgen Levchuk、Brabec Christoph、Kanak Andrii、Fochuk Petro、加藤 正史

  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学)  2019年03月  -  2019年03月 

• [11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

  長屋 圭祐、平山 貴史、俵 武志、村田 晃一、土田 秀一、加藤 正史

  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月  -  2019年03月 

• [11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング

  長屋 圭祐、平山 貴史、加藤 正史

  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学)  2019年03月  -  2019年03月 

• Characterization and Suppression of Defects in Silicon Carbide Crystal for Power Semiconductors

  Masashi Kato  [招待有り]

  Semiconductor Power Devices  (National Chiao-Tung University)  2018年12月  -  2018年12月  National Chiao-Tung University

• SiC結晶のキャリア寿命評価

  加藤 正史  [招待有り]

  第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会  (電力中央研究所)  2018年12月  -  2018年12月  日本学術振興会 結晶加工と評価技術第１４５委員会

• SiC結晶の応用分野と評価技術 ーパワーデバイス・光触媒とキャリア寿命を中心にー

  加藤正史  [招待有り]

  応用物理学会東海支部　第4回ニューフロンティアリサーチワークショップ  (名古屋工業大学)  2018年12月  -  2018年12月 

• CR6-4 Analysis of slow decays in TR-PL signals from a GaN homoepitaxial layer

  Masashi Kato, Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)  (The Ishikawa Ongakudo, the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, Japan)  2018年11月  -  2018年11月 

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工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

工業所有権

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2016-033015 

  加藤正史、市川尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2015-076647 

  加藤　正史,長谷川　貴大,市川　尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2015-014184 

  加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極

  特願 2014-227634 

  加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

• 界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置

  特願 2014-015515 

  加藤　正史, 長谷川　貴大

• 半導体キャリアライフタイム測定方法

  特願 2013-165683 

  加藤　正史,森　祐人

• ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

  特願 特願2013-051477 

  加藤正史、久保真奈美

• ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

  特願 特願2013-051488 

  加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀

• ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

  特願 特願2013-051469 

  加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

• アクティブノイズコントロールシステムおよびそれらに用いられる電子回路

  特願 特願2013-014367 

  加藤正史、山中星良

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学術関係受賞 【 表示 ／ 非表示 】

学術関係受賞

• the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

  2014年10月21日   MRS-J  

  受賞者：  Masashi Kato

• 文部科学大臣表彰科学技術賞（理解増進部門）

  2014年04月15日   文部科学省  

  受賞者：  平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

• 安藤博記念学術奨励賞

  2010年06月19日   財団法人安藤研究所  

  受賞者：  加藤正史

• 電子情報通信学会学生研究奨励賞

  2003年06月04日   -  

  受賞者：  -

• Best Paper Award

  2003年02月22日   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

  受賞者：  Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

学会・委員会等活動 【 表示 ／ 非表示 】

学会・委員会等活動