加藤 正史 (カトウ マサシ)

KATO Masashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

准教授

ホームページ

http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/

研究分野・キーワード

半導体工学

出身大学

  •  
    -
    1998年03月

    名古屋工業大学   工学部   電気情報工学科   卒業

出身大学院

  •  
    -
    2003年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学専攻博士課程  修了

  •  
    -
    2000年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学専攻修士課程  修了

取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士(工学)

学外略歴

  • 2016年07月
    -
    2018年03月

      名古屋大学   未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター   客員准教授

  • 2010年08月
    -
    2010年09月

      ヴィリニュス大学   研究員

  • 2009年08月
    -
    2009年10月

      ヴィリニュス大学   研究員

  • 2008年08月
    -
    2008年10月

      ヴィリニュス大学   研究員

所属学会・委員会

  • 2014年09月
    -
    2016年08月

    第 18 回結晶成長国際会議(ICCGE-18)実行委員会(現地実行委員)

  • 2014年02月
    -
    2018年03月

    文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員

  • 2013年01月
    -
    継続中

    自動車技術会

  • 2010年09月
    -
    2011年01月

    GV(グリーンビークル)マテリアルイノベーションの戦略マップ策定・ロードマップ作成およびそれらの「見える化」

  • 2005年01月
    -
    2010年12月

    IEEE

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専門分野(科研費分類)

  • 電子・電気材料工学

  • デバイス関連化学

 

研究経歴

  • 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

    研究期間:  2010年04月  -  現在

  • アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

    個人研究  

    研究期間:  2003年03月  -  2017年03月

  • 電気化学法による半導体の加工

    個人研究  

    研究期間:  2000年03月  -  現在

  • ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

    個人研究  

    研究期間:  1997年04月  -  現在

論文

  • Improved performance of 3Csingle bondSiC photocathodes by using a pn junction

    Naoto Ichikawa, Masaya Ichimura, Masashi Kato

    International Journal of Hydrogen Energy   42 ( 36 ) 22698 - 22703   2017年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Effects of thermal aging on Cu nanoparticle/Bi-Sn solder hybrid bonding

    M. Usui, T. Satoh, H. Kimura, S. Tajima, Y. Hayashi, D. Setoyama, M. Kato

    Microelectronics Reliability   78   93 - 99   2017年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Risk Assessment of Neonatal Exposure to Low Frequency Noise Based on Balance in Mice

    Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Hiromasa Ninomiya, Xiang Li, Masashi Kato, Ichiro Yajima, Masashi Kato

    Frontiers in Behavioral Neuroscience   11   30   2017年02月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions

    Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   56   04CR06   2017年02月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen through the use of cocatalysts

    Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura

    Applied Physics Letters   109   153904-1 - 153904-4   2016年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices

    Masashi Kato

    Proc. SPIE 9957, Wide Bandgap Power Devices and Applications     995703-1 - 995703-9   2016年09月  [査読有り]  [招待有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   単著

  • Degradation of a sintered Cu nanoparticle layer studied by synchrotron radiation computed laminography

    Masanori Usui, Hidehiko Kimura, Toshikazu Satoh, Takashi Asada, Satoshi Yamaguchi, Masashi Kato

    Microelectronics Reliability   63   152 - 158   2016年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film

    M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa

    Electronics Letters ( The Institution of Engineering and Technology )  52 ( 14 ) 1246 - 1248   2016年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of a microwave photoconductance measurement technique for the study of carrier dynamics in highly-excited 4H-SiC

    L Subačius, K Jarašiūnas, P Ščajev, M Kato

    Measurement Science and Technology   26   125014-1 - 125014-8   2015年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes

    Masashi Kato, Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima

    Japanese Journal of Applied Physics   55   01AC02-1 - 01AC02-4   2015年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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著書

  • 薄膜の評価技術ハンドブック

    加藤 正史 (担当: 共編著 , 担当範囲: 第2章第4節第4項 DLTS法 )

    株式会社テクノシステム  2013年01月

  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-

    加藤正史 (担当: 単著 , 担当範囲: 第3章第4節 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善 )

    S&T出版  2012年10月 ISBN: 978-4-907002-06-0

  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=

    加藤 正史 (担当: 単著 , 担当範囲: 第12章.SiCへの金属電極の形成方法 )

    サイエンス&テクノロジー株式会社  2010年05月 ISBN: 9784903413846

総説・解説記事

  • 人はなぜ研究者を続けることができるか

    加藤 正史

    応用物理   86 ( 6 ) 505 - 506   2017年06月

    その他記事   単著

  • SiC光陰極による人工光合成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  62 ( 1 ) 19 - 23   2017年01月

    総説・解説(商業誌)   単著

  • 半導体を用いた水素生成技術

    加藤 正史

    応用物理 ( 公益社団法人 応用物理学会 )  85 ( 2 ) 100 - 104   2016年02月

    総説・解説(国際会議プロシーディングズ)   単著

  • ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

    加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ アヌスヤ

    日経エレクトロニクス ( 日経BP社 )    65 - 71   2014年10月

    総説・解説(商業誌)   共著

  • 世界初!「SiCと水から水素を製造!」

    加藤正史

    マテリアルステージ ( 技術情報協会 )  ( 2月 ) 64 - 66   2014年02月

    総説・解説(商業誌)   単著

  • シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

    加藤 正史

    ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  58 ( 10 ) 7 - 11   2013年10月

    総説・解説(商業誌)   単著

研究発表

  • NbドープTiO2単結晶における光触媒活性とキャリアライフタイムの関係

    小澤 貴也、名嶋 駿、加藤 正史

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会  (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス)  2017年09月  -  2017年09月 

  • 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度

    加藤 正史、小濱 公洋、Zhang Xinchi、市村 正也、木本 恒暢

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会  (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス)  2017年09月  -  2017年09月 

  • 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動

    石川 由加里、須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、加藤 正史

    第78回応用物理学会 秋季学術講演会  (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス)  2017年09月  -  2017年09月 

  • Characterization of GaN epilayers on GaN substrates by a microwave photoconductivity decay method

    Masashi Kato, Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  (Hotel Kyocera, Kirishima, Kyushuu, Japan)  2017年08月  -  2017年08月 

  • SiC photocathode for a solar to hydrogen conversion technology

    Masashi Kato  [招待有り]

    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017  (International Convention Center (ICC) Jeju)  2017年06月  -  2017年06月 

  • 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制

    加藤正史、市川義人、市村正也、木本恒暢

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  (名古屋大学VBLベンチャーホール )  2017年05月  -  2017年05月 

  • GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価

    浅田貴斗、市川義人、伊藤健治、冨田一義、成田哲生、加地 徹、加藤正史

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  (名古屋大学VBLベンチャーホール )  2017年05月  -  2017年05月 

  • Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers

    Kenji Shiojima, Naoto Ichikawa, Masashi Kato

    Compound Semiconductor Week 2017  (Berlin, Germany)  2017年05月  -  2017年05月 

  • 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

    片平 真哉、市川 義人、原田 俊太、木本 恒暢、加藤 正史

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月 

  • 光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定

    加藤 正史、前 伸一、米澤 喜幸、加藤 智久

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月 

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工業所有権

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2016-033015 

    加藤正史、市川尚澄

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2015-076647 

    加藤 正史,長谷川 貴大,市川 尚澄

  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置

    特願 特願2015-014184 

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

  • 高変換効率SiC光電極

    特願 2014-227634 

    加藤 正史、長谷川 貴大、市川 尚澄

  • 界面抵抗を低減したSiC光電極およびその製造方法、ならびにSiC光電極を用いた水素製造装置

    特願 2014-015515 

    加藤 正史, 長谷川 貴大

  • 半導体キャリアライフタイム測定方法

    特願 2013-165683 

    加藤 正史,森 祐人

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051477 

    加藤正史、久保真奈美

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051488 

    加藤 正史,久保 真奈美,谷口 淳紀

  • ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

    特願 特願2013-051469 

    加藤正史、久保真奈美、谷口 淳紀

  • アクティブノイズコントロールシステムおよびそれらに用いられる電子回路

    特願 特願2013-014367 

    加藤正史、山中星良

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学術関係受賞

  • the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

    2014年10月21日   MRS-J  

    受賞者:  Masashi Kato

  • 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)

    2014年04月15日   文部科学省  

    受賞者:  平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

  • 安藤博記念学術奨励賞

    2010年06月19日   財団法人安藤研究所  

    受賞者:  加藤正史

  • 電子情報通信学会学生研究奨励賞

    2003年06月04日   -  

    受賞者:  -

  • Best Paper Award

    2003年02月22日   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

    受賞者:  Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

 
 

学会・委員会等活動

  • 2017年04月
    -
    現在

    応用物理学会   学術講演会プログラム委員

  • 2016年12月
    -
    2017年11月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会第4回講演会実行委員長

  • 2016年04月
    -
    2018年03月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会幹事

  • 2014年01月
    -
    2014年12月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会庶務幹事

  • 2013年12月
    -
    2014年11月

    応用物理学会   先進パワー半導体分科会第1回講演会実行委員

  • 2012年11月
    -
    2013年10月

    応用物理学会   ICSCRM2013プログラム委員

  • 2011年12月
    -
    2014年12月

    応用物理学会   国際固体素子・材料コンファレンス論文委員

  • 2011年07月
    -
    2018年03月

    自動車技術会   自動車技術会 車載用パワーエレクトロニクス技術部門委員会 委員

  • 2010年12月
    -
    2011年11月

    応用物理学会   2011年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員