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所属学会・委員会

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専門分野（科研費分類） 【 表示 ／ 非表示 】

専門分野（科研費分類）

研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】

研究経歴

• 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発

  研究期間：  2010年04月  -  現在

• アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理

  個人研究  

  研究期間：  2003年03月  -  2017年03月

• 電気化学法による半導体の加工

  個人研究  

  研究期間：  2000年03月  -  現在

• ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発

  個人研究  

  研究期間：  1997年04月  -  現在

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文

• Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC

  Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima

  Materials Today Communications   31   103648-1 - 103648-3   2022年05月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Characterization of Defect Structure in Epilayer Grown on On‑Axis SiC by Synchrotron X‑ray Topography

  Kotaro Ishiji, Masashi Kato, Ryuichi Sugie

  Journal of Electronic Materials   51   1541 - 1547   2022年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Depth Distribution of Defects in SiC PiN Diodes FormedUsing Ion Implantation or Epitaxial Growth

  Shuhei Fukaya,Yoshiyuki Yonezawa,Tomohisa Kato,Masashi Kato

  Physica Status Solidi B ( Wiley-VCH GmbH )    2100419-1 - 2100419-6   2021年10月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Deep levels related to the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC

  Hiroki Nakane, Masashi Kato, Yutaro Ohkouchi, Xuan Thang Trinh, Ivan G. Ivanov, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son

  Journal of Applied Physics   130   065703   2021年08月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Durable and efficient photoelectrochemical water splitting using TiO2 and 3C–SiC single crystals in a tandem structure

  Endong Zhang, Zhenhang Liu, Masashi Kato

  Solar Energy Materials and Solar Cells   230 ( 15 ) 111260   2021年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Carrier recombination in SrTiO3 single crystals: impacts of crystal faces and Nb doping

  Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa

  Journal of Physics D: Applied Physics ( IOP Science )  54 ( 34 ) 345106   2021年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Flexible Photocatalytic Electrode Using Graphene, Non-noble Metal, and Organic Semiconductors for Hydrogen Evolution Reaction

  Kohei Kondo, Yusuke Watanabe, Junya Kuno, Yosuke Ishii, Shinji Kawasaki, Masashi Kato, Golap Kalita, Yoshiyuki Hattori, Oleksandr Mashkov, Mykhailo Sytnyk, Wolfgang Heiss

  Energy Technology   9 ( 8 ) 2100123   2021年05月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type GaN layers

  Masashi Kato, Takato Asada, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

  Journal of Applied Physics   129 ( 11 ) 115701   2021年03月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Nondestructive measurements of depth distribution of carrier lifetimes in 4H-SiC thick epitaxial layers using time-resolved free carrier absorption with intersectional lights

  Takashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato

  Review of Scientific Instruments ( AIP Publishing LLC )  91 ( 12 ) 123902   2020年12月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

  Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

  CrystEngComm ( Royal Society of Chemistry )  22   8299 - 8312   2020年10月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

著書

• 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

  監修者　岩室 憲幸 (担当： 分担執筆 , 担当範囲: 第１編　第１章　第３節 )

  (株)エヌ・ティー・エス  2022年02月

• 薄膜の評価技術ハンドブック

  加藤　正史 (担当： 共編著 , 担当範囲: 第2章第4節第4項　DLTS法 )

  株式会社テクノシステム  2013年01月

• ＳｉＣパワーデバイスの開発と最新動向　－普及に向けたデバイスプロセスと実装技術－

  加藤正史 (担当： 単著 , 担当範囲: 第３章第４節　陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCのショットキーダイオードの整流特性改善 )

  S&T出版  2012年10月 ISBN: 978-4-907002-06-0

• ＳｉＣパワーデバイス最新技術　＝次世代パワーエレクトロニクス＝

  加藤　正史 (担当： 単著 , 担当範囲: 第１２章．ＳｉＣへの金属電極の形成方法 )

  サイエンス＆テクノロジー株式会社  2010年05月 ISBN: 9784903413846

総説・解説記事 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事

• パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化

  加藤 正史

  セラミックス   55 ( 9 ) 699 - 699   2020年09月

  書評,文献紹介等   単著

• 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性：人工光合成

  加藤　正史

  セラミックス 第54巻 1月号（2019年） ( 日本セラミックス協会 )  54 ( 1 ) 36 - 39   2019年01月  [依頼有り]

  総説・解説（学術雑誌）   単著

• 人はなぜ研究者を続けることができるか

  加藤 正史

  応用物理   86 ( 6 ) 505 - 506   2017年06月

  その他記事   単著

• SiC光陰極による人工光合成

  加藤　正史

  ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  62 ( 1 ) 19 - 23   2017年01月

  総説・解説（商業誌）   単著

• 半導体を用いた水素生成技術

  加藤　正史

  応用物理 ( 公益社団法人　応用物理学会 )  85 ( 2 ) 100 - 104   2016年02月

  総説・解説（国際会議プロシーディングズ）   単著

• ハウリングを高速応答のアナログ回路で除去

  加藤正史、久保真奈美、谷口淳紀、ナラサンビ　アヌスヤ

  日経エレクトロニクス ( 日経BP社 )    65 - 71   2014年10月

  総説・解説（商業誌）   共著

• 世界初！「SiCと水から水素を製造！」

  加藤正史

  マテリアルステージ ( 技術情報協会 )  ( 2月 ) 64 - 66   2014年02月

  総説・解説（商業誌）   単著

• シリコンカーバイドの太陽光吸収を利用した水素生成

  加藤　正史

  ケミカルエンジニヤリング ( 化学工業社 )  58 ( 10 ) 7 - 11   2013年10月

  総説・解説（商業誌）   単著

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表

• 22p-E106-8　局在表面プラズモン共鳴を有するTiO2におけるキャリア再結合

  張　銘鑫、張　恩棟、加藤　正史

  第69回応用物理学会春季学術講演会  (青山学院大学およびオンライン)  2022年03月  -  2022年03月 

• 23p-E204-8　斜め研磨構造を利用したSrTiO3表面再結合速度の高精度評価

  加藤遥介、加藤正史

  第69回応用物理学会春季学術講演会  (青山学院大学およびオンライン)  2022年03月  -  2022年03月 

• Effects of defects created by ion implantation on SiC devices

  Masashi Kato

  第4回材料科学フロンティア研究院国際シンポジウム ～材料科学における融合研究～  (名古屋工業大学およびオンライン)  2022年03月  -  2022年03月  名古屋工業大学 材料科学フロンティア研究院

• Effects of point defects on SiC power devices

  Masashi Kato  [招待有り]

  International Conference on Recent Advances in Materials and Radiation Measurements (RAMRAM-2022)  (online)  2022年02月  -  2022年02月  SSN college of Engineering

• GaNエピ層キャリアライフタイムの遅い成分の電気的特性への寄与

  前田 卓人, 浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史

  先進パワー半導体分科会第8回講演会  (オンライン)  2021年12月  -  2021年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

• 4H-SiC結晶のオージェ再結合係数の高品質品再評価

  田中 和裕, 長屋 圭祐, 加藤 正史

  先進パワー半導体分科会第8回講演会  (オンライン)  2021年12月  -  2021年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

• イオン注入により作成した4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるキャリアライフタイム評価

  福井 琢也, 石井 達也, 俵 武志, 加藤 正史

  先進パワー半導体分科会第8回講演会  (オンライン)  2021年12月  -  2021年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

• 4H-SiCバイポーラ劣化抑制に求められるドリフト層内キャリアライフタイムの評価

  三井 俊樹, 加藤 正史

  先進パワー半導体分科会第8回講演会  (オンライン)  2021年12月  -  2021年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

• 顕微自由キャリア吸収法によるSiCデバイス内キャリア寿命評価

  加藤正史, 福井琢也, 俵　武志

  第41回 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2021  (オンライン)  2021年10月  -  2021年10月  ナノテスティング学会

• [10p-S202-8] 高品質 4H-SiC 結晶を用いたオージェ再結合係数の再検討

  田中 和裕、長屋 圭祐、加藤 正史

  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  (オンライン)  2021年09月  -  2021年09月  応用物理学会

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工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

工業所有権

• 炭化珪素半導体装置

  特願 特願2022-025142 

  俵武志、原田信介、加藤正史、福井琢也

• 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置

  特願 特願2018-104637 

  加藤 昌志、大神 信孝、曾根 三千彦、杉本 賢文、加藤 正史

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2016-033015 

  加藤正史、市川尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2015-076647 

  加藤　正史,長谷川　貴大,市川　尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極およびそれを用いた水素製造装置

  特願 特願2015-014184 

  加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

• 高変換効率ＳｉＣ光電極

  特願 2014-227634 

  加藤　正史、長谷川　貴大、市川　尚澄

• 界面抵抗を低減したＳｉＣ光電極およびその製造方法、ならびにＳｉＣ光電極を用いた水素製造装置

  特願 2014-015515 

  加藤　正史, 長谷川　貴大

• 半導体キャリアライフタイム測定方法

  特願 2013-165683 

  加藤　正史,森　祐人

• ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

  特願 特願2013-051477 

  加藤正史、久保真奈美

• ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路

  特願 特願2013-051488 

  加藤 正史，久保 真奈美，谷口 淳紀

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学術関係受賞 【 表示 ／ 非表示 】

学術関係受賞

• 永井技術賞

  2021年03月16日   永井科学技術財団   SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発  

  受賞者：  加藤正史

• Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards

  2021年   IOP Publishing  

  受賞者：  Masashi Kato

• the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014

  2014年10月21日   MRS-J  

  受賞者：  Masashi Kato

• 文部科学大臣表彰科学技術賞（理解増進部門）

  2014年04月15日   文部科学省  

  受賞者：  平田晃正、丸田章博、加藤正史、江龍修

• 安藤博記念学術奨励賞

  2010年06月19日   財団法人安藤研究所  

  受賞者：  加藤正史

• 電子情報通信学会学生研究奨励賞

  2003年06月04日   -  

  受賞者：  -

• Best Paper Award

  2003年02月22日   The Indian Science Congress Association, Chennai Chapter  

  受賞者：  Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai

学会・委員会等活動 【 表示 ／ 非表示 】

学会・委員会等活動

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